软性基板新制造技术体系.doc

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1、新製造技術体系,壬"、亍厶・才A・厶」>Z7-厶・才〉・7^/U厶①加工手法七材料技術2009/03/0200:00加藤伸一匸日経之彳夕口X出典:日経口卢八彳兔,2008年9月号,pp.31・33(記事(止執筆時①情報広基乍H扌50,現在疋肚異卞召場合力'笳Z夕U-y印刷疋17

2、jm(Z)配線(1)U一A印刷怎,半導体層,絶縁膜,金属層,着色層,接着層刷(二使•^技術疋笳?>。兔力丿一a印刷①利点肚,装置価格力,looo万円程度七安。址,印刷広使用歹召彳y夕材料(二対丁召制約力吵卞<,材料使用効率力瀚80%七高

3、s,大面積入①成膜(二向〈注2)o注2)/i/SL,加工寸法力•数十/zm比較的大勿、,3O

4、Jm厚以下(二薄膜化L(;<欠点力,$)^>°X7I丿一A印刷◎量産加工寸法①微細化力「乙①数年間疋100pm力、e>30

5、jm去疋進人疋吉上。線幅30pm0加工(止,PDP用①電磁波遮断7彳儿夕向疗人量産化。乙料总17pm(二微細化歹召技術总X夕

6、丿一A印刷機大手6二工一口>夕精密工業力'開発JZi口<儿厶基板◎表面人加工总施LfcdttC.toT実現。線幅/線間隔(L/S)30pm未満6汽9一、/总7、刁H一A印刷

7、丁召場合,V^/L厶基板上広押扌召彳A夕①濡;h広力W力,問題§。乞乙疋,同社T(±,表面広多孔質層总形成卜(PET)v^/b厶Q17pm◎配線总印刷丁召技術总開発LA:o-^多孔質層肚>7^/k厶基板V印刷吸収。,塗布個所①周囲広濡;h広役割总担刁。产齐木儿長lpm夕(2)b塗布u:,着色層,配線層,絶縁層,半導体層卞乂①形成(乙使用歹召。彳a夕>^x7卜①利点肚,版自吏bT(c平面上①必要卞部分自在(二直描点曲召。^>7^X7卜塗布(二/召描画寸法①微細化肚,乙①数年間疋数十“m力、e>20

8、jm程度求疋進

9、人fc/2L通常卜・、;/量産V^)V(D描画寸法U:直径約13pm力、限界。乙料以下◎微細化疋肚,硏究,于忙彳、儿長l

10、jm(7)有機卜严夕总形成例力'出疋吉上。产卡彳、儿長lpm①有機卜7入夕肚,東京大学工学系硏究科量子相工"夕卜口二夕夹硏究乜、丿夕一准教授染谷隆夫氏力,j7MaxPlanckInstituteforSolidStateResearch七共同疋新製造技術体系,壬"、亍厶・才A・厶」>Z7-厶・才〉・7^/U厶①加工手法七材料技術2009/03/0200:00加藤伸一匸日経之彳夕口X出典:日経

11、口卢八彳兔,2008年9月号,pp.31・33(記事(止執筆時①情報広基乍H扌50,現在疋肚異卞召場合力'笳Z夕U-y印刷疋17

12、jm(Z)配線(1)U一A印刷怎,半導体層,絶縁膜,金属層,着色層,接着層刷(二使•^技術疋笳?>。兔力丿一a印刷①利点肚,装置価格力,looo万円程度七安。址,印刷広使用歹召彳y夕材料(二対丁召制約力吵卞<,材料使用効率力瀚80%七高s,大面積入①成膜(二向〈注2)o注2)/i/SL,加工寸法力•数十/zm比較的大勿、,3O

13、Jm厚以下(二薄膜化L(;<欠点力,$)^>°X7I丿一

14、A印刷◎量産加工寸法①微細化力「乙①数年間疋100pm力、e>30

15、jm去疋進人疋吉上。線幅30pm0加工(止,PDP用①電磁波遮断7彳儿夕向疗人量産化。乙料总17pm(二微細化歹召技術总X夕

16、丿一A印刷機大手6二工一口>夕精密工業力'開発JZi口<儿厶基板◎表面人加工总施LfcdttC.toT実現。線幅/線間隔(L/S)30pm未満6汽9一、/总7、刁H一A印刷丁召場合,V^/L厶基板上広押扌召彳A夕①濡;h広力W力,問題§。乞乙疋,同社T(±,表面広多孔質層总形成卜(PET)v^/b厶Q17pm◎配線总印刷

17、丁召技術总開発LA:o-^多孔質層肚>7^/k厶基板V印刷吸収。,塗布個所①周囲広濡;h広役割总担刁。产齐木儿長lpm夕(2)b塗布u:,着色層,配線層,絶縁層,半導体層卞乂①形成(乙使用歹召。彳a夕>^x7卜①利点肚,版自吏bT(c平面上①必要卞部分自在(二直描点曲召。^>7^X7卜塗布(二/召描画寸法①微細化肚,乙①数年間疋数十“m力、e>20

18、jm程度求疋進人fc/2L通常卜・、;/量産V^)V(D描画寸法U:直径約13pm力、限界。乙料以下◎微細化疋肚,硏究,于忙彳、儿長l

19、jm(7)有機卜严夕总形成例

20、力'出疋吉上。产卡彳、儿長lpm①有機卜7入夕肚,東京大学工学系硏究科量子相工"夕卜口二夕夹硏究乜、丿夕一准教授染谷隆夫氏力,j7MaxPlanckInstituteforSolidStateResearch七共同疋開発。有機半導Ag電極总形成。上哲①疋,電極①幅(±2pm,厚m25nm^:$)^>。通常卜M二ctw量産描画寸法①微細化力殖径13pm程度§<7?i±,吐出疋吉召液滴①量

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