软性基板新制造技术体系4

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1、新製造技術体系，「少灭亍厶・才A・7<7U厶」入亍厶・才〉・7^/U厶①加工手法七材料技術2009/03/0200:00加藤伸一=日経7口戸八彳兔出典：日経之彳夕口〒丿"兔，2008年9月号，pp.31-33（記事d:執筆時勿青報C：基，現在m異卞｛場合声笳Z7

2、丿一A印刷疋17pm◎配線（1）X7

3、丿一A印刷（j：，半導体層，絶縁膜，金属層，着色層，接着層卞^OE

4、J刷（乙使刁技術疋笳6。灭/丿一A印刷。利点怎，装置価格力亍1000万円程度七安。ttz，印刷山吏用歹召対歹召制約力，少卞<，材料使用効率力'約80%t高⑴。总引乙，大面積入①成膜（乙向〈注2〉o注2）D，加工寸法力

5、•数十/zm比較的大弐、，30pm厚以下広薄膜化欠点夕$）S°灭夕I丿一A印刷◎量産加工寸法◎微細化力-乙◎数年間疋100pm30pm求疋進°線幅30pmO加工U:，PDP用（7）電磁波遮断7彳儿夕向中乙量産化。17pm（C微細化歹召技術总兔八丿一灯卩刷機大手d一口精密工業力瀾発J上刁彳儿厶基板◎表面Q加工总施L/i-t（CJ；oT実現。尢。線幅/線間隔（L/S）30pm未満6汽9一、/总入刁小一債印刷丁召場合，7彳儿厶基板上（二指疗召彳A夕①濡料広力▼力'問題6。乞H，同社m，表面（乙多孔質層总形成L/i^Ux^uy・b（PET）7

6、L/i°-0多孔質層肚▽彳儿厶基板Q印刷吸収（.，塗布1,尢個所。周囲（乙濡;h広役割总担刁。長lpm（Z）有機b7>>/Z夕（2）^>^XX7b塗布d：，着色層，配線層，絶縁層，半導体層肚乂。形成口吏用歹§。彳A夕声工卜①利点u：，版自吏bTir平面上◎必要肚部分rtmz自在（乙直描点（乙笳召。彳A夕少工、）/卜塗布描画寸法①微細化X，乙（7）数年間疋数十“nn力、e>20pm程度求疋進人住尢。tzttL通常◎彳A夕少工卜・7量産描画寸法U:直径約13pm限界t。乙壮以下◎微細化m，硏究，产千彳、儿長lpm（7）有機卜严債声兔夕总形成。比例力'出。于十彳、儿長lpmo有機卜刘如

7、東京大学工学系硏究科量子相工"夕卜口二"、硏究七、小一准教授^Ag電極总形成電極◎幅!i2pm，厚m25nmTJ）6。通常6人、丿▽少工、、丿卜•7M乙/召量産描画心一、丿寸法◎微細化力•直径13pm程度，吐出液滴①量力,最小疋lpl。力、微量化T。染谷氏2—以下広微量化疋従来◎彳y^xx^b^比人疋l/iooo以下f（7x厶卜）S超微細液滴◊吐出总可能!^L/z技術自吏。lfl◎液滴力漢現場合，直径u：1.3pmt1r小行:召。乙

8、◎吐出技術肚産業技術総合硏究所（産総硏）±/z^/口少一部門力•開発rZ-A-^>7^x7卜」技術。注3）彳A夕声工、）/卜技術m，「液滴◎量。制御疋入一八一彳A夕声工、7卜总上回召方法ttMilL力'立」（彳A夕声工'7卜技術总使。上電子〒"压開発歹｛技術者）。乙①性力、直径lpm以下（7）微細卞八夕一二Ab总行刁場合広肚，他◎方法总検討■｛乙》乙卞召。微細化①限界。理由（i卜技術◎原理。液滴总小$<，体積Q対歹召表面積（厂比力吠吉<，溶媒力,瞬間的広乾<。液滴总1pm以下｛Zt^L，吐出瞬間（◎容媒力•乾注4）産総硏m，fl才n微細液滴◎吐出总可能VI,尢技術①詳細，公開LT

9、I^I^。，彳A夕声工、;/卜疋吐出疋吉召材料①種類力，乙①数年間疋増丸疋吉悒。ITO（indiumtinoxide）PCu，Si，従来U:難L^o尢材料力、彳A夕化疋吉召J;刃乙卞0，金属配線吃半導休①塗布力$現実的（c^oT^fca5）。7i5）^>7^X7卜塗布疋使材料力•制約理由总^71<>&溶力溶剤总使X，吐出粘度怎調整，飛/l/2液滴爪7変性03、条件总満比歹必要步柚召性力疋杞召。硼（年）[7U7拡大b/i画像力'開nm才一歹一（Z）微細八夕一〉总成型（3）成型U:，7彳儿厶基板上Q3次元構造总形成f召技術tL<使乍。7彳儿厶上人^八夕一〉成型◎方法X2種類$>召o-

10、Ofi，押。出。成型疋溶融L/i^Uv-^e）7^/u厶总作製丁召際（H9一二、卞召方法，fe9-O（i，7^/bA±（C塗布L/iUV硬化樹脂方法疋笳6。前者X液晶八彳、儿用付吉拡散少一卜卞導光少一卜，後者肚液晶A^/U用厶•少一卜'電子7—汽一。I丿7'構造◎形成力M弋表的卞例5召。口一儿状金型总使成型現在，量産IxWGJ:線幅，直径七t30pm程度去疋加工寸法（T）微細化力•進AzHE吟後肚nm才一歹_6寸法W勺一、人形成J尢金型自吏成型＞7aU＞b技術（CioT，数十nm