扩散炉(48所)简介-alan.ppt

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1、一、扩散工艺原理二、四探针原理三、扩散装置示意图四、P2O5，Cl2的性质五、高温氧化/扩散系统的设备简介制造PN结原理：实质上就是想办法使受主杂质(P型)，在半导体晶体内的一个区域中占优势，而使施主杂质(N型)在半导体内的另外一个区域中占优势，这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触，而此时半导体晶体内部就形成PN结。利用磷原子(N型)向晶硅片(P型)内部扩散的方法，改变晶硅片表面层的导电类型，从而形成PN结。这就是用POCl3液态源扩散法制造P-N结的基本原理。扩散的工艺原理VR=F×V/I四探针可以排成不同的几何形状，最常见的是排成一条直线。探针间距远大于

2、结深时，几何修正因子为4.5325。I四探针法原理五氧化二磷英文名称Phosphoruspentoxide；Phosphoricanhydride别名：磷酸酐物质的理化常数:外观与性状：白色粉末，不纯品为黄色粉末，易吸潮。分子量141.94蒸汽:0.13kPa(384℃)熔点：563℃溶解性：不溶于丙酮、氨水，溶于硫酸密度相对密度(水=1)2.39；相对密度(空气=1)4.9稳定性：稳定危险特性：接触有机物有引起燃烧危险。受热或遇水分解放热，放出有毒的腐蚀性烟气。具有强腐蚀性。。Cl2①颜色气味状态：通常情况下为有刺激性气味黄绿色的气体。②密度：比空气密度大，标况时是ρ=M/

3、V(m)=(71g/mol)/(22.4L/mol)=3.17g/L。③易液化。熔沸点较低，在101kPa下，熔点-107.1°C，沸点-34.6°C，降温加压可将氯气液化为液氯，液氯即Cl2，其与氯气物理性质不同，但化学性质基本相同。④溶解性：可溶于水，且易溶于有机溶剂，难溶于饱和食盐水。1体积水在常温下可溶解2体积氯气，形成氯水，密度为3.170g/L。高温氧化/扩散系统的设备简介闭管的炉体尾部气路尾气液收集瓶气源进气口炉体尾气管尾气排放管道高温氧化/扩散系统的设备简介控制部分：位于控制柜的计算机控制系统分布在各个层面，而每个层面的控制系统都是相对的独立部分，每层控制对应层的

4、推舟、炉温及气路部分，是扩散/氧化系统的控制中心。在每层相应的前面板上，左侧分布15寸触摸屏，右侧分布状态指示灯、报警器、急停开关和控制开关。高温氧化/扩散系统的设备简介推舟净化部分：推舟净化柜的顶部装有照明灯；正面是水平层流的高效过滤器及推舟的丝杠、导轨副传动系统及SiC悬臂浆座，丝杠的右端安装有驱动步进电机，导轨两端是限位开关。一是为硅片进出提供高洁净区，二是将高温热气流驱散，以免灼热的气流将过滤器及净化台顶部烤焦。限位开关极限保护开关净化系统步进电机高温氧化/扩散系统的设备简介电阻加热炉体部分电阻加热炉体部分也细分三部分，顶层部分配置水冷散热器及排热风扇，废弃室顶部设有抽风

5、口，与外接负压抽风管道连接后，可将工艺过程残余气体带走。中间部分为加热炉体部分，配置炉管、控温热电偶、超温保护热电偶。炉柜的底层安装有加热炉的功率部件（可控硅、散热器、接触器、变压器、可控硅过零触发器等）及散热风机。热电偶高温氧化/扩散系统的设备简介气源部分气源柜顶部设置有排毒口，用以排除在换源过程中泄露的有害气体。柜顶设置有三路工艺气体及一路CDA的进气接口，接口以下安装有减压阀、截止阀，用以对进气压力进行控制及调节。对应于气路，分别装有相应的电磁阀、气动阀、过滤器、单向阀、MFC及源瓶冷阱等。柜子底部装有MFC电源、控制开关、保险等电路转接板及设备总电源进线转接板。高温氧化/

6、扩散系统的设备简介气源气路小N2MFCO2MFC大N2MFC