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1、学习报告一、DDR2简介二、DDREA量测一DDR原理简介DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDRSDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。下图即为简单的DDR的数据传递方式。Inputandoutputfunctiondescription—DDR2Inputandoutputfunctiondescription—DDR2Bank：Bank表示一个存储阵列。在对一个存储单元进行寻址的时候，首先制定一个行地址，再制定一个列地址然后对其进行读写操作。Page:对于Bank里面的每一行的存储单元的总
2、和即叫做Page。COLBITS:thenumberofcolumnaddressbitsORG:thenumberofI/O(DQ)bits在DDR2初始化时候首先需要进行MRS(ModeRegisterSet)以及EMRS(ExtendedModeRegisterSet)的配置。其中MRS主要是对CASlatency,burstlength,burstsequence,testmode,DLLreset,WRandvariousvendorspecificoptions实现DDR2的各种应用。EMRS主要是对DLLdisablefunction,driver
3、impedance,additiveCASlatency,ODT(OnDieTermination),single-endedstrobe,andOCD(offchipdriverimpedanceadjustment)。CASLatency:CAS潜伏期。CAS为列地址选通脉冲，在列地址确定之后就可以传输数据，但是仍需要经过一段时间才会有数据发出，这段间隔的时间即为CAS潜伏期，简写为CL。AdditiveLatency:简称AL。在RAS命令之后会立即执行CAS命令，CAS命令发出到被设备执行的时间则成为AL。延时参数越小，内存运行速度越快，但是有的内存不能
4、运行较低的延时，可能会丢失数据RL：ReadLatencyWL:WriteLatency.RL=AL+CL.WL=RL-1BurstLength:突发长度。简称为BL，Burst模式是数据连续传输的方式，连续传输周期的数量就是突发长度BL。DM(DATAMask)即为数据屏蔽。前面所提的数据传输的突发长度，如果连续写入数据其中有不需要的数据，就是通过DM信号来对其进行屏蔽。1个DM信号对应8个数据位(DQ)，当DM为高电平时，则同一DQS/DQS#触发的数据被屏蔽。Prechargeoperation:预充电操作。预充电就是在对某一行进行完读写操作后，要对另一行
5、进行寻址，就需要将原来的有效行关闭，重新发送行列地址，因此precharge命令就是关闭现有的工作行并开始新的行操作。Precharge命令在Clock的上升沿被触发，条件为CS,RASandWEareLOWandCASisHIGH。Precharge可以对一个Bank进行操作或者对所有的Bank进行同步操作，具体的设定通过A10,BA0,BA1,BA2来实现从Read到Precharge命令的最小时间为AL+BL/2+max(RTP,2)-2CLKPrecharge命令必须在tRAS满足之后才能执行。同时read到precharge的最小时间还需要满足>=tR
6、TP。tRTP:在Read命令后，从Clock的上升沿到最后的四位预读取的时间就是tRTP(ReadtoPrecharge)tRAS:DDR行有效至有效预充电的最短时间叫做tRAS.tRP:在发出Precharege命令之后还需要经过一段时间才允许发送RAS行有效命令打开新的工作行，这段时间被称为tRP。tRP越小，DDR运行速度越快。从Write到Precharge命令的最小时间为WL+BL/2+tWR在DDR进行写的时候，从Burstwrite完成到Precharge命令执行的时间被称为tWRPrechargeoperationPrechargeoperat
7、ionReadtoPrechargeWritetoPrechargeAutoPrechargeoperation当A10设定为高的情况下，AutoPrechargeoperation被使能。当Read命令后，在大于tRAS和tRTP被满足的条件下，在Read命令AL+BL/2的周期的CLK的边沿触发时出开始进行AutoPrecharge。当Write命令后，在大于tWR满足的情况下，在CLK的边沿触发时开始AutoPrechargeODT—OnDieTerminationOnDieTermination功能即可以对DQ,DQS/DQS,RDQS/RDQS,and
8、DM的终端电阻进行开关，
