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时间:2020-03-16
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1、DDR3详解DDR3(double-data-ratethreesynchronousdynamicrandomaccessmemory)即第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器。是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来,其数据传输速度为DDR2的两倍。内存相关工作流程与参数了解DDR3,首先从认识内存相关工作流程与参数开始,这样会比较容易理解一些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。DDR3的内部是一个存储阵列,将数据填进去,你可以把它想象成一张表格。和表
2、格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑Bank(LogicalBank,下面简称Bank)。DDR3内部Bank示意图,这是一个NXN的阵列,B代表Bank地址编号,C代表列地址编号,R代表行地址编号。如果寻址命令是B1、R2、C6,就能确定地址是图中红格的位置目前DDR3系统而言,还存在物理Bank的概念,这是对内存子系统的一个相关术语,并不针对内存芯片。内存为了保
3、证CPU正常工作,必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽,单位是bit(位)。控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽,这个位宽就称为物理Bank(PhysicalBank,有的资料称之为Rank)的位宽。目前这个位宽基本为64bit。在实际工作中,Bank地址与相应的行地址是同时发出的,此时这个命令称之为“行激活”(RowActive)。在此之后,将发送列地址寻址命令与具体的操作命令(是读还是写),这两个命令
4、也是同时发出的,所以一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。根据相关的标准,从行有效到读/写命令发出之间的间隔被定义为tRCD,即RAStoCASDelay(RAS至CAS延迟,RAS就是行地址选通脉冲,CAS就是列地址选通脉冲),我们可以理解为行选通周期。tRCD是DDR的一个重要时序参数,广义的tRCD以时钟周期(tCK,ClockTime)数为单位,比如tRCD=3,就代表延迟周期为三个时钟周期。接下来,相关的列地址被选中之后,将会触发数据传输,但从存储单元中输出到真正出现在内存芯片的I/O接口之间还需要一定的时间(数据触发本身
5、就有延迟,而且还需要进行信号放大),这段时间就是非常著名的CL(CASLatency,列地址脉冲选通潜伏期)。CL的数值与tRCD一样,以时钟周期数表示。不过CL只是针对读取操作。BL=4目前内存的读写基本都是连续的,因为与CPU交换的数据量以一个CacheLine(即CPU内Cache的存储单位)的容量为准,一般为64字节。而现有的Rank位宽为8字节(64bit),那么就要一次连续传输8次,这就涉及到我们也经常能遇到的突发传输的概念。突发(Burst)是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输的周期数就是突发长
6、度(BurstLengths,简称BL)。谈到了突发长度时。如果BL=4,那么也就是说一次就传送4×64bit的数据。但是,如果其中的第二笔数据是不需要的,怎么办?还都传输吗?为了屏蔽不需要的数据,人们采用了数据掩码(DataI/OMask,简称DQM)技术。通过DQM,内存可以控制I/O端口取消哪些输出或输入的数据。这里需要强调的是,在读取时,被屏蔽的数据仍然会从存储体传出,只是在“掩码逻辑单元”处被屏蔽。数据选通脉冲DQSDQS是DDR中的重要功能,主要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期,并便于接收方准确接收数据。DQ
7、S是双向信号,在写入时用来传送由北桥发来的DQS信号,读取时,则由芯片生成DQS向北桥发送。可以说,它就是数据的同步信号。在读取时,DQS与数据信号同时生成(也是在CK与CK#的交叉点)。而DDR内存中的CL也就是从CAS发出到DQS生成的间隔,数据真正出现在数据I/O总线上相对于DQS触发的时间间隔被称为Tac。实际上,DQS生成时,芯片内部的预取已经完毕了,由于预取的原因,实际的数据传出可能会提前于DQS发生(数据提前于DQS传出)。DQS是了保证接收方的选择数据,DQS在读取时与数据同步传输。但由于芯片有预取的操作,所以输出时
8、的同步很难控制,只能限制在一定的时间范围内,数据在各I/O端口的出现时间可能有快有慢,会与DQS有一定的间隔,这也就是要有一个tAC规定的原因。而在接收方,一切必须保证同步接收,不能有tAC之类的偏差。这样在写入时,芯片不再自己生成D
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