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时间:2020-02-26
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1、图中RS即为串联电阻:包括电池的体电阻、表面电阻、电极电阻、电极与硅表接触电阻等Rsh为旁漏电阻即为并联电阻,为硅片边缘不清洁及内部缺陷引起RS很小,Rsh很大理想情况下可以忽略,Ish很小串并联电阻对填充因子(FF)影响很大,串联电阻Rs越高,填充电流下降越多,填充因子减少的越多,并联电阻减少的越多效果相同。
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