模拟电路课件.ppt

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1、第五章存储器15-1存储器分类5-2随机存取存储器5-3只读存储器5-4CPU与存储器的连接重点:1、区分ROM、RAM 2、数据在内存中的存放格式3、存储器芯片介绍及扩展74LS138存储器:信息存储部件1、0状态25.1存储器分类一、按和CPU的关系分:内存:CPU可直接访问;存储速度快;容量有限,受地址总线位数限制外存:CPU不可直接访问;存储速度慢;海量,要配置专门的驱动设备才能完成访问外存,例:硬盘、软盘、磁带、光盘CPU通过内存间接访问外存二、按材料分: 半导体(内存);磁芯(磁盘),磁表面,激光(光盘)CPU内存外存CACHE3ROM只读存储器。用于存储操作系统程序BIO

2、S及用户固化程序。掉电时数据仍存在。按是否可以多次写入及擦除方法可分为4种。按集成电路内部结构的不同可分为几种: 掩膜型ROM:厂家烧写无法再次写入PROM:用户烧写EPROM:紫外线擦除可以多次写入EEPROM:电可擦除三、半导体存储器的分类4RAM: 随机存取存储器,可读写。掉电时数据丢失。按集成电路内部结构的不同可分为几种:SRAM:信息存于触发器内;存取速度快,20~40ns;价格高DRAM:信息存于极间电容内;存取速度慢,100~200ns;价格低5四、选择存储器考虑因素①易失性②只读性③位容量④速度⑤功耗双极型(电流型)功耗大CMOS型(电压型)功耗小⑥可靠性⑦价格6五、数

3、据在内存中存储格式1、数据在内存中以字节为单位,1个字节占内存一个地址,并且地址由00000H开始直至CPU所能支持的最高地址2、一个字按相邻两个字节存放,存入时以低位字节在低地址,高位字节在高地址,字单元的地址以低位地址表示75-2随机存取存储器RAM一、静态随机存取存储器SRAM(Static)1、SRAM的结构存储一位信息的单元结构:6个管组成的双稳态触发器电路①存储矩阵:一块存储器芯片中的基本存储单元按位结构或字结构排列成矩阵,存储二进制信息。位结构N*1用于动态RAM和大容量静态RAM字结构N*8用于容量较小的静态RAM8矩阵:参见图5-2可以节约译码电路例:共9个数据,以矩

4、阵3×3排列,即,则共需6根地址线,若以线性排列,共需9根,节约3根②地址译码器:对CPU发出的地址信号译码③存储器控制电路:片选、读、写片选:产生信号选中芯片,允许对其进行读、写操作读、写:控制三态双向缓冲器(输出入驱动),控制数据流方向9地址译码器存储矩阵三态双向缓冲器存储器控制逻辑……………………A0A1APR/WCSD0D1Dn片选读写信号102、SRAM芯片6116(2k*8位)6264(8k*8)62128(16k*8) 例:6164:8k*8存储空间地址线数据线2k=21313根(A12~A0)8根(D0~D7)控制线:4根(CE1、CE2、WE、OE)CE=CE1∧CE

5、2CE工作方式LHL写操作LLH读操作H**未选中11另:1k=21010根A9~A0 1M=22020根A19~A0存储速度快,但价格贵二、DRAM:Dynamic信息存于场效应管的栅漏间电容,为防止漏电效应,避免信息丢失,需要对数据“刷新”(对存储单元中的信息读出,经读出放大器放大后再写入)。一般刷新时间2ms。存储速度较慢,但价格便宜12三、高速缓存器CACHE为解决与CPU匹配及价格问题的矛盾,引入CACHE技术CACHE:为介于CPU和主存储器之间的小容量存储器 作用:用于存放CPU经常访问的代码和数据,以实现CPU的零等待。 开机时CACHE无任何内容→将主存储器中经常被C

6、PU使用的一部分内容“拷贝”到CACHE中→CPU要读取存储器数据时,CACHE控制器根据送出的地址,判定数据是否在CACHE中→若在,则“命中” 当CACHE:32k时,命中率86%当为64k时,命中率92%13四、存储器的工作时序图5-8存储器和CPU连接时的要求:CPU的读周期>TA。从CPU送出的地址信号有效到CPU要求的数据在总线上稳定的时间间隔>TA。从片选信号有效到CPU要求的数据在总线上稳定的时间间隔>TCO,否则外部电路须产生WAIT信号,迫使CPU插入TW周期来满足上述时间要求。145-3只读存储器ROM芯片系列:2764、2716、2732、27128、27256

7、这一系列芯片的数据引脚都是8根,只是地址引脚和控制引脚不同2716:2k×827128:16k×8例:2764芯片,容量8k×8,地址线:A12~A0,数据线8根:D7~D0图5-11读出::芯片使能:输出允许,连到信号线RD15编程: :编程时电压输入 :编程脉冲控制端VCC、GND:电源电压和地ROM相对于RAM,少了,多了165-4CPU与存储器的连接连接时应考虑:CPU总线的负载能力数据缓冲器或总线驱动器CPU的时序与存储器存取时间的配

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