《模拟电路》ppt课件

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1、总复习一、绪论：了解二、二极管及其基本电路1．半导体的基本知识1）本征半导体：不含杂质、完全纯净的半导体2）杂质半导体:N型半导体：掺入少量的5价元素。多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴，以电子导电为主。P型半导体：掺入少量的3价元素。少数载流子是自由电子，多数载流子是空穴，以空穴导电为主。2．PN结与二极管单向导电性：外加正向电压（正偏）时，外电场与内电场方向相反，空间电荷区变窄，形成较大的扩散电流，PN结呈现很小的电阻，称为正向导通；外加反向电压（反偏）时，外电场与内电场方向相同，空间电荷区变宽，形

2、成较小的漂移电流，PN结呈现很大的电阻，称为反向截止。3．二极管基本电路分析：1）二极管的理想模型2）二极管的恒压降模型要求：a）判断二极管是否导通，（P97习题3.4.5）b）分析限幅电路中二极管的工作状态，画输出电压的波形。三、半导体三极管及放大电路基础1）结构：NPN型和PNP型分为三区：发射区、集电区和基区；两结：发射结Je和集电结Jc2）各极间电流分配关系IC＝IB＋ICEOIBIE＝IB＋ICICIE＝（1＋）IB＋ICEO（1＋）IB3）放大条件：发射结正偏，集电结反偏。各极之间

3、的电位关系为：NPN管：VC＞VB＞VEPNP管：VC＜VB＜VE4）特性曲线输入特性曲线：Si管：Vth=0.5V，Ge管：Vth=0.1V1、半导体三极管BJT5）三极管的三种工作状态：放大状态：工作在放大区，发射结正偏，集电结反偏截止状态：工作在截止区，发射结反偏，集电结反偏饱和状态：工作在饱和区，发射结正偏，集电结正偏要求能根据各电极的电位，判断三极管的管脚和工作状态。（P185习题4.1.1、4.1.2）当BJT处于工作状态时，Si管：VBE=0.6~0.8V(取0.7V)[Ge管：VBE=0.2

4、~0.3V(取0.2V)]输出特性曲线：分为截止区、放大区、饱和区三个区域。2．基本共射极放大电路：3）合理设置静态工作点静态分析：确定静态值：IB、IC、VCE。有两种方法，图解法：了解。估算法：重点。1）判断放大电路能否正常放大交流信号原则：a）发射结正偏，集电结反偏；b）交流信号应畅通。静态偏置电路有三种：(要求掌握两种)要求能判断放大电路能否正常放大交流信号，简述理由。（P186习题4.2.1）2）基本放大电路的分析工作点偏低，输出波形容易出现截止失真；工作点偏高，输出波形容易出现饱和失真；要求由输

5、出波形能判断是什么失真.a）固定偏置电路1：b）射极偏置电路：先求IBICVCEVBIE（IC）IBVCE动态分析：计算电压增益、输入电阻和输出电阻有两种方法：图解分析法：了解。a）固定偏置电路：小信号等效电路法：重点。b）射极偏置电路：d）共基极电路(电路分析不要求）习题4.3.9、4.3.12、4.4.3、4.4.4(用NPN的三极管)c）共集电极电路(电路分析不要求）四、场效应管放大电路1）结型场效应管（JFET）：N沟道和P沟道。耗尽型：当VGS＝0时，有导电沟道，ID0；JFET是电压

6、控制器件，属于单极型晶体管。增强型：当VGS＝0时，没有导电沟道，ID＝0；2）MOS管：要求根据转移特性曲线判断FET的类型。习题：5.1.1、5.1.2、5.3.3、5.3.53.场效应管放大电路的分析(了解)五、集成运算放大器2．差分式放大电路：1．电流源：（了解）特点：交流电阻大，直流电阻小。2）基本概念：3）分析计算：(对基本差放)(了解)a）静态分析b）各性能指标只与输出方式有关，与输入方式无关。由T1输出时，输出与输入反相；由T2输出时，输出与输入同相。1）零点漂移（温度漂移）：c）动态分析差

7、模特性、共模特性、共模抑制比。六、反馈放大电路1.基本概念分类：电压串联、电压并联、电流串联和电流并联负反馈2.反馈类型的判断1）判断有无反馈，找出反馈元件；2）用瞬时极性法判断是负反馈，还是正反馈；3）从输出端的采样对象判断是电压反馈,还是电流反馈；4）从输入端的联接方式,判断是串联反馈,还是并联反馈;如习题：P3747.1.2及例题。3．负反馈对放大电路性能的影响1）使电压增益减小，但稳定度提高2）减小非线性失真3）抑制干扰和噪声4）扩展频带5）对输入电阻与输出电阻的影响串联负反馈使输入电阻增加，并联负

8、反馈使输入电阻减小电压负反馈使输出电阻减小，电流负反馈使输出电阻增加5．深度负反馈条件下，电压增益的估算1）判断反馈类型，找出反馈元件2）画反馈网络，求反馈信号与输出信号的关系串联反馈，求反馈电压Vf，并联反馈，求反馈电流If.3）求电压放大倍数AVF或AVSF。4.负反馈放大器的基本关系式(了解)如习题P3787.4.4、7.5.1、7.5.2例：在深度负反馈的条件下，估算下列电路电压放大倍数。解：图1：1）反