资源描述：
《常微分方程边值问题数值解法.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、常微分方程边值问题数值解法-正文 用某种离散化数值步骤求出常微分方程边值问题在离散点上的近似解的方法。各种实际问题导出不同类型的边值问题。较简单的有二阶常微分方程两点边值问题：求函数y=y(x)，x∈【α,b】，使它满足微分方程和边值条件式中ƒ、g1、g2为已知函数；α与b为两个给定的端点。较一般地有一阶常微分方程组两点边值问题:求N个函数使其满足微分方程组和边值条件式中诸ƒn、gi是已知函数;r为给定的自然数。有些问题因求解区间是无穷区间而被称作奇异边值问题，相应的边界条件变为对解在无穷远处渐近行为的限制,例如,要
2、求y(x)在区间【0，)上平方可积或要求当x趋于无穷时，y(x)趋于某极限值。还有些实际问题因要求解满足多个点上的条件而被称作多点边值问题。近年来，对反映边界层现象的奇异摄动边值问题提出了一些新的数值解法。此外，关于存在多个解的分歧现象数值解问题也引起人们的注意。打靶法 主要思路是:适当选择和调整初值条件,(选什么)求解一系列初值问题，使之逼近给定的边界条件。如果将描述的曲线视作弹道，那么求解过程即不断调整试射条件使之达到预定的靶子,所以称作打靶法或试射法,此类方法的关键是设计选取初值的步骤。对非线性边值问题可通过下列
3、步骤求数值解：①计算初值问题的数值解y1。若g(y1(b),y姈(b))=B,近似地满足，则y1即为所求；否则进行②。②计算初值问题的数值解y2,若g(y2(b),y娦(b))=B近似地满足，则y2即为所求；否则令m＝3进行③。 ③将g(y(b),y┡(b))视为y(α)的函数,用线性逆插值法调整初值，即计算然后进行④。④计算初值问题的数值解ym并进行判定：若b点边值条件近似地满足,则ym即为所求;否则令m+1崊m转向③继续计算直到满意为止。 特别地，若微分方程是线性的，则打靶法变成线性组合法，即根据常微分方程理论
4、适当选取初值可得到一组线性独立解，利用它们的线性组合导出边值问题的解。例如线性方程边值问题的数值解可通过两个初值问题数值解来实现。事实上，设y1(x)和y2(x)分别是方程(1)的具有初值条件和的两个解，于是是(1)与(2)的解。1.硼扩散杂质分布研究.王荣尚世琦不详】《辽宁大学学报：自然科学版》1994年第2期6页38-43页2.屈盛刘祖明廖华陈庭金晶体硅扩散层有效杂质的浓度分布作者单位：云南师范大学太阳能研究所云南省农村能源工程重点实验室,昆明,650092期刊：太阳能学报ISTICEIPKUJournal：ACT
5、AENERGIAESOLARISSINICA年，卷(期)：2006,27(3)3.硅中注入硼的扩散孔凡志长沙电力学院物理与信息工程系，【出 处】《长沙电力学院学报：自然科学版》2003年第2期4页83-86页4.来源：《经营管理者》2011年第11期 作者：陈超;固态源扩散——重要的半导体器件扩散工艺5.：《玻璃》1983年第05期 作者：谭丽芳,潘国璋石英玻璃中杂质扩散对半导体材料和器件的影响及其改进措施6.《半导体杂志》1996年04期离子注人硅在砷化镓中的扩散模型孙继忠罗永祥7.半导体技术>2006年2期>扩
6、散和清洗的发展方向——国产半导体设备探讨：盛金龙刘效祯一《光学学报》2008年11期加入收藏获取最新Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂林涛郑凯马骁宇【摘要】：杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn3As2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验。实验发现,随着扩散时间从20～120min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53nm;当扩散时间超过60min后,
7、样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32nm。分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga0.51In0.49P缓冲层的影响。还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂中的Al-Ga的互扩散系数。二您的位置：杂志>《半导体光电》>1990年>第04期来源：《半导体光电》1990年第04期 作者：彭秀兵;选择字号适用于GaAs红外发光二极管生产的开管Z
8、n扩散收藏本文 分享1前言红外遥控技术在诸如家电业,安全与保卫等领域得到了越来越广泛的应用,红外遥控管市场随之大幅度扩大。为了在质和量两方面满足遥控技术中对GaAs红外发光二极管的需求,对原有生产工艺进行一些改进就显得十分必要和迫切了。对于GaAs红外发光管生产中的Zn扩散工艺,过去通常是采用闭管扩散法,它的优点是工艺稳定,扩散浓
