ALTEX_BP_SEP[1].2008.ppt

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1、AltexTechnologyCorp.2008/09/09工廠外觀黃光室現場SiC,GaNHighBrightness:AlGaInp,InGaNChipprobing,ChipsorterFlipchip,WhiteLEDpackageFlipChipBackLightModuleAltexSubstrateEpiwaferChipPackageddeviceModule/SystemProductApplicationALTEXbusinessscope專利技術CSPCSPvsWireBondProcessFlow(AuPad)PassivationRedistribut

2、ionGrindUBMAuPadSilverPasteAgNi/AuPhotoResisterSolderballFlipChipDesign「FlipChip」把GaNLED晶片粒倒接合於散熱基板上，因沒有金線及P電極的阻礙，可提高其發光效率因為使用覆晶技術的電阻會降低，所以熱產生也相對降低。同時這樣的接合亦能有效降低其熱阻值，可更有效率地將熱轉至下一層的散熱基板，比起一般GaNLED藍寶石(sapphire)基板的低傳導基材有更佳的導熱特性。傳統與Altex「FlipChip」光ＧａＡｓサファイヤ基板サファイヤ基板ＧａＡｓサファイヤ基板光主要發光表面與焊墊形成表面屬於同一表

3、面，因此至少30%的光線被阻擋一片晶圓先切割成單顆晶片，再一顆一顆晶片進行打線封裝，相當於一片晶圓要做4萬次相同的製程由於第二點的緣故，一條生產線所需的設備數量相當多主要發光表面與焊墊形成表面不屬於同一表面，因此無任何光線被阻擋一次製程即完成一片晶圓之所有4萬顆晶片的封裝，再把該晶圓切割成單顆晶片，生產時間因而縮短，且良率亦提升同樣產量的一條生產線所需的設備數量計約節省至少90%Altex’sLEDCSP絶縁膜電極電極光ＧａＡｓサファイヤ基板封止樹脂框架基板Padsonbottom100%BrightnessnopadsshadingConventionalLEDPackage

4、框架（基板）サファイヤ基板Au電線電極BondingPad封止樹脂電極光ＧａＡｓサファイヤ基板Padshading-30%lightingConventionalLEDandAltexCSPComparisonInLuminanceBetweenSample1ConventionalStructure0603/SMDWireBondingSample2Altex’sStructure0603CSPFlipChip傳統現存的散熱問題CSP&traditional差別△20oC金線導電但導熱度還是不足LED下方是Sapphire基板，導熱性不佳DiagramofFlipchip傳統

5、LED封裝Altex「FlipChip」FlipChipLEDOver-driverFlipchipThermalStabilityFlipChip優點目前LED封裝多數以「打線」WireBond方式為主。「FlipChip」的方式有助於體積縮小-應用於高效率、高功率LED的終極製程。「FlipChip」技術具有導電性佳、提高亮度、散熱快及封裝尺寸縮小等優點，廣泛應用於高效率產品的封裝製程。Wafer整片一次性封裝製程，封裝成本比目前傳統LED封裝製程的成本降低約30%。Wafer整片一次性封裝製程，確保白光Bin集中。DiagramofFlipchipNichia&Sieme

6、nsPatentsforLeadFrameCHIPALTEX’sLicencedPatentsforFLIPCHIPTechnologyCoatedwithphosphorNoneedtobecoatedwithphosphor塗佈技術與結構Normal產品隨機的bin分佈範圍Sidebin(20%)Sidebin(20%)Altex可控制bin分佈範圍CIECoordinationBintableShortenProcessWireBondProcessDiebondWireBondLeadFrameEncapsulatingPhosphorModulateFINALASSY

7、PersonalizationEncapsulatingPhosphor-NT0.2/dieWireBondLeadFrame-NT0.4/dieModulateCSPFlipChipDiebondEquipmentsInvestmentFLIP-CHIPChipSizeChipSizeChipSizeDIEMount12milX12mil8milX8mil6milX6mil70uX70uPrecision±15u50uX50uPrecision±10u40uX40uPrecision±5u