Fe-Zn掺杂钛基多元氧化电极制备与性能与研究

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1、-分类号编号烟台大学毕业论文（设计）Fe-Zn掺杂钛基催化氧化电极的制备与性能研究ThePreparationandPerformanceResearchofFe-ZnDopedTitaniumBaseCatalyticOxidationElectrode申请学位：工学学士__________院系：环境与材料工程学院_专业：环境工程___________姓名：杜传花_____________学号：200882501108_______指导老师：王德义（副教授）_____2012年05月20日烟台大

2、学.---Fe-Zn掺杂钛基催化氧化电极的制备与性能研究姓名：杜传花________导师：王德义（副教授）2012年05月20日.---烟台大学烟台大学毕业论文（设计）任务书院（系）：环境与材料工程学院姓名杜传花学号200882501108毕业届别2012届专业环境工程毕业论文（设计）题目Fe-Zn掺杂钛基催化氧化电极的制备与性能研究指导老师王德义学历博士职称副教授所学专业材料物理与化学本课题针对目前钛基涂层涂层电极的不足之处，提出制备新型多元复合电极，提高其电催化活性、析氧电位以及电极的使用寿命

3、，达到降低难生化降解有机废水的处理处理成本，提高电极电流利用效率。课题研究探索了钛基锡锑掺杂铁锌涂层电极的制备过程中，锡锑的最佳掺杂比、掺杂铁的量、最佳退火温度、退火时间，以及用自制电极电解模拟印染废水时的适宜电解电压。[1]崔玉虹，冯玉杰，刘峻峰.Sb掺杂钛基SnO2电极的制备、表征及其电催化性能研究[J].功能材料，2005，36（2）:234-237[2]杨雅雯，王守伟，赵燕等.稀土Ce掺杂SnSb复合涂层电极的实验研究.环境工程报,2008,2（3）L370-373[3]王静，冯玉杰稀土G

4、点掺杂Sn,Sb多组分涂层电极的制备的实验研究.环境化学,2005,24（4）:64-68[4]梁开文，谢光炎，肖锦.废水净化的电化学方法进展.给水排水，1998，24（1）:64-68[5]CHEGH.Electrochemicaltechnologiesinwastewatertreatment[J].Sep2004,38(1):11-41[6]LIAOMS，A.M.Polcaro,ISHIKAVA.[J].SurfSci,2000,445：267-282进度安排：（1）2012-02-25—

5、—2008-03-17：查阅文献，准备开题报告；（2）2012-03-18——2008-04-11：进行实验，探究记录原始实验数据；（3）2012-04-12——2008-05-09：整理实验数据，撰写论文；（4）2012-05-10——2008-05-20：修改论文，并进行排版；（5）2012-05-21——2008-05-27：完成学士学位论文，准备答辩；（6）2012-05-28——2008-06-03：通过答辩。.---指导教师（签字）：年月日院（系）意见：教学院长（主任）（签字）：年月日

6、.---摘要钛基氧化物涂层DSA(DimensionallyStableAnodes)电极是20世纪70年代初兴起来的一类新的阳极材料，它是以耐腐蚀性强的金属材料（如金、铂、钛、不锈钢等）作为基底材料，在其表面涂敷一层具有电化学催化活性的金属氧化物薄膜而成。其中，以钛为基体的电极因其较之其他方法无可比拟的优势在化工、冶金、水处理、环保、电解等领域具有广阔的发展和应用前景。DSA电极的制作方法很多，本课题采用的方法是溶胶-凝胶法，这是一种常用的，简单而经济的DSA电极制作方法。利用这种法制成的涂层电

7、极具有电催化活性高，对反应的选择性强，副反应少，工作电位低，能耗少，制作方法简单，没有二次污染等优点。本课题研究了钛基锡锑电极掺杂锌铁等元素，研究发现：钛基锡锑电极锡锑的最佳掺杂比约为9:1，铁的最佳掺杂量是1%,要制得表面较平整的电极其最佳退火温度为550℃，最佳退火时间为120min。制的的钛基锡锑锌铁电极电解2h的模拟印染废水，其色度去除率为97.5%，COD的去除率可75.1%。关键词：钛基锡锑电极；溶胶-凝胶法；电催化活性；印染废水.---AbstractTitaniumoxidecoa

8、tingelectrodeorDSAelectrode(DimensionallyStableAnodes)isanewclassofanodematerialsemergingatthebeginningof20thcentury,itsstructureiswithstrongcorrosionresistanceofmetalmaterial(suchasgold,platinum,titanium,stainlesssteel)asthebasematerial,andth