2018年高考化学三轮冲刺物质结构与性质考前练习新人教版

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1、物质结构与性质1.钾和碘的相关化合物在化工、医药、材料等领域有着广泛的应用。回答下列问题:(1)元素K的焰色反应呈紫红色,其屮紫色对应的辐射波长为nm(填标号)。A.404.4B.553.5C.589.2D.670.8E.766.5(2)基态K原子中,核外电子占据的最高能层的符号是,占据该能层电子的电子云轮廓图形状为oK和3属于同一周期,且核外最外层电子构型相同,但金属K的熔点、沸点等都比金属"低,原因是O(3)X射线衍射测定等发现,LASF6屮存在k离子。叮离子的儿何构型为,屮心原子的杂化形式为O(4)KT03晶体是一种性能良好的非线性光学材料,具有钙钛矿型的立体结构,边长为a=0.446n

2、m,晶胞中K、I、0分别处于顶角、体心、面心位置,如图所示。K与0间的最短距离为nm,与K紧邻的0个数为。(5)在KIO,晶胞结构的另一种表示中,I处于各顶角位置,则K处于位置,0处于位置。OI•OoK2.研究发现,在CO2低压合成甲醇反应(CO2+3H2二CHsOH+FLO)中,Co氧化物负载的血氧化物纳米粒子催化剂具有高活性,显示出良好的应用前景。回答下列问题:(1)Co基态原子核外电子排布式为o元素如与0中,第一电离能较大的是,基态原子核外未成对电子数较多的是。(2)C()2和CHbOH分子中C原子的杂化形式分别为和o(3)在C02低压合成甲醇反应所涉及的4种物质中,沸点从高到低的顺序为

3、,原因是⑷硝酸猛是制备上述反应催化剂的原料,Mn(N0:J冲的化学键除了。键外,还存在o(5)Mg0具有%Cl型结构(如图),其中阴离子采用面心立方最密堆积方式,X射线衍射实验测得MgO的品胞参数为a=0.420nm,则厂(0‘)为nm。MnO也属于NaCl型结构,晶胞参数为a"=0.448nm,则/'(Mn2')为nmo00•Mg1.(2016•新课标全国卷I)(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题:(1)基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar],有个未成对电子。(2)Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、垒键,但Ge原子之间难以形成双键或卷键。从原子结构角

4、度分析,原因是。(3)比较下列错卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因。GcCliGeBriGeh熔点/°c-49.526146沸点/°c83.1186约400(4)光催化述原CO?制备CH,反应中,带状纳米ZrhGeO」是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、0电负性由大至小的顺序是O(5)Ge单晶具有金刚石型结构,其中Ge原子的杂化方式为,微粒之间存在的作用力是。(6)晶胞有两个基本要素:①原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置,下图为Ge单晶的晶胞,其中原子坐标参数八为(0,0,0);B为(丄,0,丄);C为(丄,0)。则D原子的坐标参数为。2222②晶胞参数,描述晶胞的大小和形状。己知

5、Ge单晶的晶胞参数干565.76pm,其密度为g・cm'(列出计算式即可)。2.硫酸四氨合铜(II)是一种重要的染料及农药中间体。a、b、c、d、e是硫酸四氨合铜(I【)小原子序数依次增大的五种元素。(1)该配合物中,配体的电子式为;五种元素中电负性最大的是(填元素名称),基态b原子的价层电子排布图为。(1)a和其它4种元素形成的二元共价化合物中,分子中既含有极性共价键、又含有非极性共价键的化合物是、(填化学式,写出两种)。(2)基态e原子中,核外占据最高能层的电子的电子云轮廓图形状为形;c、d元素形成的分子dc3中心原子杂化轨道类型为o(3)元素d可以形成两种常见含氧酸,其通式为(HO)JO

6、„,请根据结构与性质的关系解释该两种含氧酸酸性强弱的原因是o(4)与铜同周期的锌为六方最密堆积晶体,晶胞如图。锌的原子半径为r,在正四面体A】A2A4B中,点A】到AA.B平面的距离为h,M是阿伏加徳罗常数的值。锌原子的配位数为,品胞参数(长、宽、高)依次为,晶体密度的计算式为o的研究。如过渡元素原子结构、超分子结构、晶体结构研究等。(1)过渡元素Ni原子的基态电子排布式为,Ni的核外电子由基态跃迁至激发态时产生的光谱是(填“吸收”或“发射”)光谱。⑵孤錨离子[C(NH2)3,]可以与甲基磺酸根(ClhSOs-)形成超分子晶体,其局部结构如图所示。①组成该晶体的元素中第一电离能最大的是,其中C

7、的杂化类型有。②元素C、N、S的简单氢化物在水中的溶解度从大到小的顺序为,原因是o(3)近年研究人员通过量子化学计算预测并合成了化合物Na2He,经X射线衍射分析其晶胞结构如图所示。①晶胞中Na堆积形成(填形状)空隙,He占据一半空隙,另一半由“占据。已知N^He晶体不能导电,理由是o②已知晶胞边长为anin,晶胞中Na的半径为bnm,贝血的半径为nm(列出计算式即可)。6.第二代半导体材料一一(

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