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1、简历:廖文翔Liao,Wen-Shiang一.个人资料:工作年资:14.6年出生日期:1959年10月19日家庭状况:已婚，育有三个孩子住址:台湾省苗栗县头份镇中正路252号E-mail:wsliaoumc@yahoo.com.twMobile:0987-292906Tel.:(037)668183二.教育背景:(1).国立台湾大学电机工程研究所固态电子组工学博士(2).美国加州大学洛杉矶分校(U.C.L.A)材料工程研究所电子材料组硕士(3).国立成功大学化学工程学系学士(4).台北市立建国高级中学三.获奖纪录:得奖奖座—1(联华电子股份有限公司(UMC)颁发)”UMC荣获升等纪
2、念奖座—May1,2004”由于负责研发之32nm以下世代VerticalDoubleGateMOSFET(FinFET)计划在短短八个月之内从零开始,圆满地达成目标,而且Reliability验证成果优良;45nm世代SiGe组件研发计划在短短四个月之内就迅速圆满地获得成功;PackageStrainedMOSFET研发计划更在短短三个月之内就迅速地完成;同时也发表了多篇最高等级之国际论文(IEEE-EDL,TED,IRPS,SPIE),因此获得提拔升迁至更高之荣誉职等。得奖奖座—2(华邦电子股份有限公司(Winbond)颁发)”专利提案第一名(发明王)—Feb.5,2002”由
3、于发明专利提案最多,因此于2002年第一季之华邦电子主管会议中,由章青驹总经理在华邦一级主管会议中亲自颁发华邦电子成立19年以来唯一之”创意标竿—发明王”荣誉奖座。得奖奖座—3(世界先进集成电路公司(Vanguard)颁发)”0.19μm64MSDRAM试制成功—Sept.14,1999”由于负责研发之DRAM关键电容器InnerCrownHSG制程整合成功,而且Reliability通过验证,被评选为0.19μm世代64MSDRAM制程技术研发杰出成果之一。17四.文献发表及发明专利:期刊论文及国际学术会议论文:43篇(投稿审核中:3篇)(IEEE-EDL:2篇;IEEE-TED
4、:1篇;JAP:2篇;APL:1篇;VLSI:1篇;IEEE-IRPS:2篇;IEEE-SPIE:7篇;JJAP:5篇;SSDM:5篇;J.Electrochem.:1篇;Microelec.Reliability:1篇;VLSI-TSA:1篇;IIT:1篇;ICSFS:1篇;EDSSC:1篇;IEDMS:4篇)美国发明专利:已获证14个(申请中:5个)中华民国发明专利:已获证19个(申请中:3个)中国大陆发明专利:已获证3个(申请中:3个)*荣誉事迹:多次担任”国际电子电机学会(IEEE)”之学术论文(EDL和TED)评审(Reviewer)五.工作经历:(A).2005年2月~
5、迄今:国立联合大学电子工程系兼任教授(教字第014208号)亲民技术学院电子工程系兼任教授(教字第014208号)任教课程:固态电子导论,电子材料工程,电子电路实验(上)(下),普通化学1997年2月~2005年1月:亲民工商专科学校电子工程科兼任副教授(副字第024683号)任教课程:基本电学,电子学(上)(下),电子学实验(上)(下),电路学,半导体制造工程,工程数学,数字信号处理,商业软件包(B-1).2006年1月~迄今:联华电子公司全球营销处技术经理(TechnicalManager)工作内容及绩效:(1).L65nmTechnologyBenchmark&Promoti
6、on(2).L65nmSP/LLModelling&DSMchecklist(3).SOITechnology&MarketingResearch(4).AnalogICTechnology&MarketingDevelopment(5).SkyworksSOIRFAntennaSwitch(6).DualFoundryMethodology(7).SRAMIoffvsIgmanuallycalculationmethodology(8).NorthAmericaRoadshowinMar./2006(9).Exploratorytechnologiesbelow100nm(10)
7、.BOACandMIMcapacitorresearch(11).Brochure&WebsiteupdatingforL65nm,L90nm,L130nm&SoCplatforms(12).AnalogICTechnology&Marketing(13).CarbonNanotube(CNT)Technology(14).NORFlashTechnology&Marketing17(15).SolarCellTechnology&Marketing(16).MEMS
