2019-2020年高三上学期第三次质检物理试卷含解析

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1、2019-2020年高三上学期第三次质检物理试卷含解析　一、选择题：本大题共10小题，每小题4分，共40分．其中1-7题是单选，8-10是多选．全部全对的，得4分；选对但不全的，得2分；有选错的，得0分．1．下列说法正确的是（　　）A．伽利略通过构思的理想实验指出：在水平面上运动的物体若没有摩擦，将保持这个速度一直运动下去；从而得出结论是：力是维持物体运动的原因B．牛顿发现了万有引力定律，并利用扭秤实验装置比较准确地测出了引力常量GC．天文学家开普勒对前人关于天体运动的研究提出开普勒三大定律D．在现实生活中不存

2、在真正的质点，将实际的物体抽象为质点是物理学中一种重要的科学研究方法﹣﹣即理想实验法2．如图示，一宽40cm的匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向里．一边长为20cm的正方形导线框位于纸面内，以垂直于磁场边界的恒定速度v=20cm/s通过磁场区域，在运动过程中，线框有一边始终与磁场区域的边界平行，取它刚进入磁场的时刻为t=0，在以下四个图线中，正确反映感应电流随时间变化规律的是（　　）A．B．C．D．3．如图所示，在光滑水平面上质量分别为mA=2kg、mB=4kg，速率分别为vA=5m/s、vB=2m/s的A、B两

3、小球沿同一直线相向运动（　　）A．它们碰撞前的总动量是18kg•m/s，方向水平向右B．它们碰撞后的总动量是18kg•m/s，方向水平向左C．它们碰撞前的总动量是2kg•m/s，方向水平向右D．它们碰撞后的总动量是2kg•m/s，方向水平向左4．如图所示，水平面上有电阻不计的U形导轨NMPQ处于匀强磁场中，磁感应强度大小为B，方向与水平面夹角为θ，垂直于ab且指向右斜上方．导轨宽度为L，M和P之间接入电流为I（不计内阻），垂直于导轨搁一根质量为m、接入导轨间的电阻为R的金属棒ab，当ab棒静止时，ab棒受到的摩

4、擦力的大小（　　）A．BILsinθB．BILcosθC．u（mg﹣BILsinθ）D．u（mg+BILsinθ）5．某小型交流发电机的示意图，其矩形线圈abcd的面积为S=0.03m2，共有10匝，线圈总电阻为r=1Ω，线圈处于磁感应强度大小为T的匀强磁场中，可绕与磁场方向垂直的固定对称轴OO′转动，线圈在转动时可以通过滑环和电刷保持与外电路电阻R=9Ω的连接．在外力作用下线圈10πrad/s绕轴OO′匀速转动时，下列说法中正确的是（　　）A．电阻R的发热功率是3.6WB．交流电流表的示数是0.6AC．用该交

5、流发电机给电磁打点计时器供电时，打点的时间间隔一定为0.02sD．如果将电阻R换成标有“6V3W”字样的小灯泡，小灯泡能正常工作6．绕有线圈的铁芯直立在水平桌面上，铁芯上套着一个铝环，线圈与电源、开关相连，如图所示．线圈上端与电源正极相连，闭合开关的瞬间，铝环向上跳起．若保持开关闭合，则（　　）A．如果电源的正、负极对调，观察到的现象不变B．铝环跳起到某一高度后将回落C．铝环停留在某一高度D．铝环不断升高7．如图所示，静止的电子在加速电压为U1的电场作用下从O经P板的小孔射出，又垂直进入平行金属板间的电场，在偏

6、转电压为的电场作用下偏转一段距离．现使U1加倍，要想使电子的运动轨迹不发生变化，应该（　　）A．使U2加倍B．使U2变为原来的4倍C．使U2变为原来的倍D．使U2变为原来的倍8．如图所示，理想变压器的输入端电压u=311sin100πt（V），原副线圈的匝数之比为n1：n2=10：1；若图中电流表读数为3A，则（　　）A．电压表读数为22VB．电压表读数为31.1VC．变压器输出功率为44WD．变压器输入功率为66W9．如图所示，一束电子以大小不同的速率沿图示方向飞入横截面是一正方形的匀强磁场，下列判断正确的是

7、（　　）A．电子在磁场中运动时间越长，其轨迹线越长B．电子在磁场中运动时间越长．其轨迹线所对应的圆心角越大C．在磁场中运动时间相同的电子，其轨迹线一定重合D．电子的速率不同，它们在磁场中运动时间一定不相同10．如图所示，将一轻弹簧下端固定在倾角为θ的粗糙斜面底端，弹簧处于自然状态时上端位于A点．质量为m的物体从斜面上的B点由静止下滑，与弹簧发生相互作用后，最终停在斜面上．则下列说法正确的是（　　）A．物体最终将停在A点B．物体第一次反弹后不可能到达B点C．整个过程中重力势能的减少量大于物体克服摩擦力做的功D．整

8、个过程中物体的最大动能小于弹簧的最大弹性势能　二、实验题：本大题共2小题，第11题6分，第12题9分，共15分．把答案写在答题卡中指定答题处，不要求写出演算过程．11．（1）某同学用20分度游标卡尺测量小球的直径，读数如图甲所示，小球直径为　　mm．（2）乙图中螺旋测微器读数为　　mm．12．xx年上海世博会上大量使用了LED发光二极管．小明设计了一个研究LED发光二极管特性的实验，用