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《脑缺血后短t1高信号的临床意义》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、脑缺血后短T1高信号的临床意义作者：张绍伟麦卫国罗汉超【摘要】提高对脑缺血后出现短T1高信号的认识并探讨其临床意义。方法：分析23例患者脑梗塞后出现短T1高信号的MRI表现，全部病例均同时行CT检查和随访。结果：病变位于基底节区15例，皮、髓质区5例，小脑3例；基底节区病变呈斑片状短T1信号，皮、髓质区及小脑病变呈散在斑点状短T1信号改变；23例MRI检查出现短T1信号后，立即行CT检查，22例病变中无高密度影，1例枕叶梗塞部位出现少许点状高密度影与MR图像相似。结论：脑缺血后出现短T1高信号并非出血，而是多种因素综合所致，这对临床正确治疗选
2、择很有意义。【关键词】脑缺血脑梗塞磁共振成像短T1信号TheInvestigationandClinicalSignificanceforShortT1HyperinsenseafterCerebralIschemiaZHANGShaowei,MAIWeiguo,LUOHanchaoRadiologyDepartment,ChanganHospitalofDongguan,Dongguan,523843,Guangdong,China【ABSTRACT]Objective:Toimprovetheinvestigationandclinica
3、lsignificanceforT1HighsignalaftertheCerebralischemia.Methods:MRTfeaturesofT1hyperinsenseafterthebrainobstructionin23caseswerecollectedandanalyzed,CTexaminationwasperformedonal1casesandtheresultwasfollowedupinthemeanwhile.Results:Abnormalitywaslocatedonbasestanzaareain15case
4、s,skinandmedullaareain5cases,cerebellain3cases.TheAbnormalityinbasestanzaareaappearedaflecks1iceformshortT1signal.Butinskin,medullaareaandcerella,theabnormalitypresentedspreadandchangedshortT1signalinthespot,aftertheappearanceofshortT1signalbyMRTexaminationsin23cases,CTexam
5、inationneedstobegivenatonce.Amongallthecases,highdensityshadowforabnormalitycannotbefoundin22cases,butafewhighdensityshadowsappearintheoccipitalobstructionparts.Conclusion:ShortT1hyperinsenseappearingbehindcerebralischemiaisnotresultedfromthebleedingbutfromvariouscariousfac
6、tors,soitisveryimportantfortheclinicaltreatment.[KEYWORDS]BrainIschemia,BrainInfarction,MagneticResonanceImaging,ShortT1Signal众所周知，脑梗死在T1WI上表现为低信号，T2WI上表现为高信号影。但在临床工作中，我们遇到少部分病人在脑血管意外发作后3~12h急查CT没有发现出血灶，而第二天复查MRI发现梗塞灶内出现斑点状短T1高信号，立即再复查CT,梗塞灶内未见高密度出血。同样在一部分脑外伤病人中，出血吸收后，CT检查为
7、阴性，而MRI检查水肿软化灶中见短T1信号影，故对短T1信号的正确认识关系到临床的正确诊断和治疗。1资料与方法1.1一般资料2005.1-2007.10月在我院行MRI检查的脑梗塞病人，脑缺血后出现短T1高信号的23例病例，其中男14例，女9例；年龄41-86岁，平均年龄66岁；临床表现为头痛、头晕，口角歪斜，肢体乏力，肌张力降低等。1.2检查方法使用GESigna0・2T永磁型MRI成像仪，头颅线圈扫描，患者仰卧位，头先进，磁场中心定于听眉线，扫描序列包括：(1)自旋回波(SE)T1WI序轴、矢或冠位成像(TR/TE340/21),层厚8m
8、m,层距2mm,矩阵：256/192,NEX：4,FOV24mmx18mm,(2)快速自旋回波(FSE)T2WI序列横断位成像(TR/TE3500/94.5),层厚
