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《湖北省武汉市华中师大一附中2017-2018学年高二上期末物理试题（无答案）》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、华中师大一附中2017-2018学年度上学期高二期末检测物理试题时限：90分钟满分:110分一、选择题（本大题共10小题,每小题5分。在每小题给出的四个选项中，第1-6题只有一项符合题目要求，第7-10题有多项符合题目要求。全部选对的得5分，选对但不全的得3分。有选错的得0分。）1.将闭合多匝线圈置于仅随时间变化的磁场中，线圈平面与磁场方向垂直，关于线圈中产生的感应电动势和感应电流，下列表述正确的是（）A.感应电流产生的磁场力向与原磁场方向始终相同B.感应电动列的大小与线圈的匝数无关C.穿过线圈的磁通量越大，感应电动毎越大D.穿过
2、线圈的磁通量变化越快，感应电动势越人2.如图所示，匀强磁场的方向垂直纸而向里，一带电微粒从磁场边界d点垂直于磁场方向射入,沿曲线da打到屏MN上的a点，通过pa段用时为t,若该微粒经过P点时,与一个静止的不带电微粒碰撞并结合为一个新微粒，最终打到屏M±o两个微粒所受重力均忽略。新微粒运动的（）A.轨迹为Pa,至屏幕的时间将大于tC.轨迹为Pb,至屏幕的时间将等于tB.轨迹为Pb,至屏幕的时间将小于tD.轨迹为PC,至屏幕的时间将大于t3.如图所示，光滑水平血上存在有界匀强磁场，磁场方向垂直纸血向里,磁感应强度为B,质量为m边长为
3、a的正方形导体框MNQ斜向上垂直进入磁场，当MP刚进入磁场时速度为v,方向与磁场边界成45。，若导体框的总电阻为R,则（）A.导体进入磁场过程屮，导体框屮电流的方向为MNPQA.MP刚进入磁场时导体框中感应电流大小为上咤RB.MP刚进入磁场时MP两端的电压为兰竺4C.MP刚进入磁场时导体框所受安培力为旦栏R4・如图所示，两个闭合圆形线圈A、B的圆心重合,放在同一水平面内，线圈A中通以如下面右图所示的变化电流,t二0时电流方向为顺时针（如图中箭头所示）。在t「t2时间内，对于线圈B,下列说法中正确的是（）A.线圈B内有顺时针方向的电
4、流，线圈有收缩的趋势B.线圈B内有顺时针方向的电流，线圈有扩张的趋势C.线圈B内有逆时针方向的电流，线圈有扩张的趋势D.线圈B内有逆吋针方向的电流，线圈有收缩的趋势5.如图所示电路中，开关S开始闭合，电路处于稳定状态时，通过两电阻的电流大小分别为厶、/2,已知R
5、>R2,不计线圈L的直流电阻，④为理想电流表。在某一时刻突然断开开关S,则通过电流表的电流I随时间t变化的图线可能是下图中的6.如图所示为有理想边界的两个匀强磁场，磁感应强度均为B二0.5T,两边界间距离s=0.Im,一边长L二0.2m的正方形线框abed由粗细均匀的电阻
6、丝围成,总电阻R二0.4Q,现使线框以v=2ms的速度从位置1匀速运动到位置1【，则下列能正确反映整个过程屮线框a、b两点间的电势差U’b。随时间t变化的图线是（）20-;1ST10::5•••?・•?—：qI■;厶•510l52Or/IO-5s2OIS1O5OBCD7.如图为法拉第圆盘发电机的示意图，半径为r的导体圆盘绕竖直轴以角速度Q逆时针（从上向下看）旋转，匀强磁场B竖直向上，两电刷分别与圆盘B屮心轴和边缘接触，电刷间接有阻值为R的定值电阻，忽略圆盘电阻与接触电阻，则（）XXXX第7题A.流过定值电阻的电流方向为a到bB.b
7、、a间的电势差为3血$C.保持铜盘不动，磁场变为方向垂直于铜盘的交变磁场,则铜盘中有电流产生D.若血增大到原来的2倍,则定值电阻上消耗的功率增大到原来的4倍8.如图所示，磁场屮固定一个电荷量为Q的正点电荷，一个电荷量为q,质量为m的带电粒子（重力不计）以正点电荷为圆心在匀强磁场中做匀速圆周运动，测得以不同的绕行方向绕正电荷做半径为r的圆周运动时，周期之比为2:1,已知静电力常量为k,则下列说法中正确的是（）A.粒子可能带正电，以不同的绕行方向做圆周运动时所受洛伦兹力大小相等B.粒子一定带负电,II沿逆时针方向旋转时的线速度是沿顺时
8、针方向吋的丄2C.粒子顺时针旋转时，向心加速度大小为空绍mrD.粒子逆时针旋转时，向心加速度大小为黑L9•如图所示,理想变压器原、副线圈的匝数比为2:1,图中Rr4R0,R2=R4=R0,原线圈一侧接-恒定正弦交流电源，当开关S断开时，R「与Rs消耗的功率相等，下列说法正确的是（）第9题人勺3的阻值为4肌C.闭合S后,R
9、消耗的功率等于R3的4倍第10题B.闭合S后,U］:U2=10:3D.闭合S前后,R］两端的电压之比为6:510.半导体内导电的粒子-“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以空穴导
10、电为主的半导体叫P型半导体，以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能迸行测试的原理图，图屮一块长为纸宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通
