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1、通信工程学院毕业设计外文翻译毕业设计题目基于图像的LED发光特性测试系统夕卜文题目FabricationofHigh-performance400nmVioletLightEmittingDiode专业：信息T程学号：20120923学生姓名：刘妮指导教师姓名：马海涛指导教师职称：教授日期:400nm高性能紫光LED的制作与表征王东盛1,2，骆英民1，郭文平2,杜国同1,3,张克雄1,梁红伟1,4*,宋世巍1(1.人连理T人学物理与光电学院，辽宁大连116024;2.江苏新广联科技股份有限公司，江苏无锡214192;杨德超3,中人升1,柳阳13.吉林大学电子科学与工程学院
2、集成光电子国家重点实验室,吉林长春130012;4.中国科学院上海微系统与信息研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050)摘要：利用金属冇机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400nm高226发光学报笫34卷性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同P-AlGaN电子阻挡层结构：A1摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层；A1摩尔分数为11%的P-AlGaN电了阻挡层；A1摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度A1电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度A1
3、电子阻挡层的紫光LEDo带有10对P-AlGaN/GaN超品格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高，在20mA注入电流时测试得到的光输出功率为21mW。此外，该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。关键词：金属冇机物化学气相沉积；紫光发光二极管；GaN发光二极管；电子阻挡层；超品格最近儿年，甘为基础的材料已经吸引光电子器件的极大兴趣，如发光二极管(LED)和激光二极管(LDS)相关的主要发展场导致高亮度化发光二极管(LED)与紫外至琥珀色光谱区的波长，并且，耍实现对紫激光二极管的寿命达到10000个小吋的
4、吋间，随着LED商业化程度不断增加，人们一直对在量了效率(虽化宽松)和电动性能感兴趣，所有这些都与晶体质最和发光二极管结构有关。在这篇文章中，400nm高性能紫光LED的结构和光学特性在不同的条件下生长的阻扌肖层的MOCVD技术进行，结果发现，光输出效率在高注入电流效率高p-AlGaNill子阻挡层(EBL)严重影响，用10对阻挡/GaN超晶格电子阻挡层,LED显示21兆瓦的峰值波长为402nm的输出功率20毫安电流。二、实验2.1制备400nm紫光LED蓝宝石衬底上GaN构造平面样品C面蓝宝石衬底上通过Veeco的M0CVD系统生长k465i涡轮盘。三甲基铢(Ga),三
5、卬基钢(Tmin)和氨被用作遗传算法。硅烷和二茂镁(Mg)分别作为n型和p型掺杂剂，氢气和氮气作为携带气体。图像1展示出了示意性样品结构，在1150摄氏度的温度下，在氢环境屮首先对底物进行了处理，其次是30纳米厚的GaN缓冲层在530的增长，其次，温度上升到1070°C増长2uM掺杂GaN和1.5UMSi掺朵的n型GaN,11对InGaN多量子威尔斯(多量子阱)生长的活性层和量了阱的生长温度为770°C・最后，有源层覆盖的掺朵的p型GaN层在温度940°C为300毫克有源层，p-GaN层之间,AlGaNEBL层在三个条件下生长(1)低铝的摩尔分数(9%)(2)高铝的摩尔分
6、数(11%)(3)10对阻挡/GaN超晶格电子阻挡层(slebl,在2。5nm,Al的摩尔分数约为20%的超晶格的阻挡和GaN的厚度)层,在三和960°CAlGaNEBL相同的载气气氛和同温度下生长。为简单起见，这些样品分别表示样品，乙，丙.IdtiTBIt-图1蓝宝石衬底上生长的紫外发光二极管结构示意图2.2特性GaN薄膜的结品质量检查的X射线双品衍射(DCXRD)摇摆曲线使用约旦河谷XRD设备，在每-•种情况下，该装置是在裸芯片的几何形式，具冇300Um*300um的大小。电致发光(EL)LED的光谱被放在附近的电流注入排放的平而装置顶部光纤收集。同样，由硅探测器测量
7、的光输出功率放置在靠近顶部的发光二极管。同时，LED封装在5灯封装。额定注入电流为20毫安，与64兆瓦的电输入功率3.结果与讨论3.1DCXRD图2展示了样本的X射线模型:A,B和Co他们的半高全宽(FWIIM)的w的扫描摇摆曲线显示了样本A的280到316的反正割，样本B的265到280的反正割,样木C的255到275的反正割,说明品体具有很高的质量。而且图2也显示了w-2在(0002)反射中的样品的扫描。主顶峰对应于GaN的衍射,卫星的顶峰,表明InGaN和AlGaN衍射。InGan层的四个更加清晰地，强烈的卫星顶峰显示了
