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1、国家重点建设大学成人高等学历教育学生毕业设计（实习、论文）（200—200）题目：办学形式：办学层次：专业：年级：学号：姓名：指导老师：完成时间：毕业设计（实习、论文）成绩：年月日南昌大学本科生毕业设计(论文)书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm,行间距1.35倍。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。三、贝眉和页码：页眉和页码从屮文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract,tl录用罗马数字(I,II,III……)编
2、排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字(1,2,3……)编排。四、摘要1•中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体,摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，2.英文摘要：标题小二号TimesNewRoman体豹，“Abstract”四号TimesNewRoman体；"Abstract”内容小P4号TimesNewRoman体，“Keyword”小四号TimesNewRoman体加粗。五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。六、图表：图表内容五号宋体。七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文
3、献内容小四号宋体，其中英文用小四号TimesNewRoman体。八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。具体书写式样如下:TimesNewRoman,四号，居屮THESISOFBACHELOR(20—20年）中文:宋体；数字：TimesNewRoman四号，居中系学号:职称：学院:专业班级:学生姓名:指导教师:起讫日期:此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果。对本文的研究作出垂要贡
4、献的个人和集体，均已在文中以明确方式表明。本人完全意识到木申明的法律后果由木人承担。作者签名：日期：学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅利借阅。本人授权南昌大学可以将木论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影卬、缩卬或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。保密口，在年解密后适用木授权书。本学位论文属于不保密口。（请在以上相应方框内打“J”）作者签名：日期：III-V族氮化物及其高亮度蓝光I宋体，小二号，居中学生姓名:指导教师:标
5、题：宋体，四号，两端对齐，1.35倍行距宽禁带III—V族氮化物半导体材料在短波长内容：中文宋体，外文字符TimesNewRoman,小四,两端对齐,1.35倍行距器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面羊关键词：“关键词”三字加粗，关键词用“；”分隔摘要以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GM基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，
6、为生长可商晶化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。木文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III-V族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了日前国际上商品化的屮高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1•首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能人幅度提高，人大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工
7、作电压，提髙了光输出功率。木文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究屮心项冃的资助。关键词：氮化物；MOCVD；LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱日_录一体，小三号，居中摘要IAbstractII第一章GaN基半导体材料及器件进展(多数文章为“绪论”)11」III族氮化物材料及其器件的进展与应用11.2III族氮化物的基本结构和性质41.3掺杂和杂质特性121.4氮化物材料的制备131.5氮化物器件1922241.6GaN基材料与其它材料的比较1.7本论文工作的内容与安排第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺3
8、12.1MOCVD材料生长机理312.2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备32
