设备管理目标-硅片厂设备部

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1、文件名设备管理目标文件编号QEO/BYHN/ZD-10-09-2016（A/0）页码4/42、原材料及产品质量指标2.1、原料质量指标名称品种规格消耗量吨/年备注氯气氯%（体积）≥99.8水和其它含氧杂质%（质量）≤0.015.三氯化氮%（质量）≤0.002不挥发的残余物%（质量）≤0.0159573符合GB-T-5138-1966标准的优质品氢气1氢%（质量）≥99.9972氧%（质量）≤0.0033露点-60℃286（原始氢4%，循环氢282）2.2、产品质量指标2.2.1、合成HCL质量指标（体积）HCL含量：95~97%H2含量：3~5%无

2、游离氯（含量小于20ppm）水分含量≤200ppm2.2.2、CDI回收HCL质量指标（体积）HCL含量：≥95%H2含量：≤5%氯硅烷含量：≤0.5%2.3、技术经济指标产能（按70%）：合成HCL-9859T/a消耗CL2：9573T/a消耗H2：286T/a（其中补充氢4T；循环氢282T）3、工作原理3.1HCL、合成工艺原理HCL的合成是采用氢气在氯气中不爆炸燃烧的条件下进行的方法来制备：反应式：H2+CL2=HCL反应的发生需要一定的前提条件，即提供一定的能量，在光照或加热的情况下，二者能迅速反应，释放出大量的热。3.2、工艺流程3.2

3、.1、工艺流程说明（附工艺流程图）氯化氢合成是由三套相同的合成炉系统，氢气、氯气缓冲罐，事故排放接收设备组成（其中H2、CL2缓冲罐及事故排放装置为三套合成炉系统共用）3.2.1.1、原料外购液氯汽化后，到缓冲罐01V0701，经干燥后由管道输送至氯气缓冲罐V3-1.1.08。氢气来自制氢厂房及CDI装置，由管道输送至缓冲罐V5-1.1.10。3.2.1.2、HCL吸收为了吸收合成炉R1-1.1.01、R1-1.1.01/1、R1-1.1.01/2安全薄膜阀动作时的事故废气，以及合成炉开停车或不合格的废气，设置HCL吸收装置。系统由两台（一开一备）

4、一级降膜吸收器D1-1.1.1.01、D1-1.1.1.02，一台二级降膜吸收器D1-1.1.1.03，HCL吸收塔T1-1.1.1.08，储罐容器V1-1.1.1.04、V1-1.1.1.05、V1-1.1.1.06、V1-1.1.1.07、V2-1.1.1.09、V2-1.1.1.10、收集罐V4-1.1.1.29和换热器E1-1.1.1.11，泵P1-1.1.1.21/22，P1-1.1.1.23/24，P2-1.1.1.25/26等组成，充分吸收HCL后，尾气经T1-1.1.1.08排空，制得20%以下的盐酸输送到三废车间处理，收集排放的废

5、液被收集到设备V4-1.1.1.29，继而用0.5MPa的氮气压送到三废车间处理。4、操作步骤4.1开车前的准备4.1.1、按照工艺流程，依次对系统内所有设备（包括内件）、管道、阀门、分析取样点、电气、仪器仪表、安全设施等的施工安装进行检查和验收，确保其符合设计要求。4.1.2、确认公用工程(供电系统、氢气、氮气、脱盐水、压缩空气、循环水等)装置均已完成试车并投入正常运行；接通所有公用工程物料的供应管线，使之处于可用状态。烧碱（10﹪NaOH溶液）的配制。4.1.3、DCS操作系统准备工作：按设计条件校对所有仪表元件的位置、接管、标记及量程；对所有

6、调节阀逐一进行试验调校，保证其对所控参数能作出正确反应，并在仪表空气出现故障时能正确开闭；试验所有报警系统，确保其灵敏有效；对所有的安全阀进行校核、整定。4.1.3.1、启动仪表电源和操作员站。4.1.3.2、检查远传仪表和现场仪表是否正常。4.1.3.3、启动各调节阀，观察运转是否正常。4.1.3.4、检查各控制点设定值是否符合规定值。4.1.3.5、检查测控点的逻辑关系是否正确。4.1.3.6、以上检查合格，控制阀关闭待用。4.1.4、确认消防、安全、急救等设施齐全、可用。4.1.5、系统的吹扫和干燥4.1.5.1、开车前，用安全灯逐个设备检查

7、，有杂物积垢的应用刷子或其他方法清理干净。特别要把安装过程中遗留下来的杂物清理干净。4.1.5.2、用压缩空气逐段吹扫所有管道，除去灰尘和颗粒物。吹扫时，禁止从管道向设备中吹扫，防止颗粒等杂物吹入设备中。4.1.5.3、吹扫时拆开设备和阀门前的管道作为吹出口；管道吹净前拆下流量计限流孔板，待管道吹净后重新安装。4.1.5.4、用0.5MPa.G的压缩空气，按流程顺序逐台设备、逐条管道吹净（不得跨越设备、管道、阀门及工序之间的连接管道），反复多次吹扫，并用白绸于出口检查，无污物贴附其上为合格。在吹扫主管道的同时，注意吹扫相邻的蒸汽、空气、排污、分析取

8、样、仪表管等。4.1.5.5、设备最低处或死角，必要时采用人工清扫。4.1.5.6、系统如果有水，用热氮气干燥（露点达到-