三氯氢硅试题

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1、三氯氢硅合成工序试题1、三氯氢硅SiHCl3（101.325kPa）沸点是多少？答:三氯氢硅SiHCl3（101.325kPa）沸点是31.8℃。2、四氯化硅SiCl4（101.325kPa）沸点是多少？答:四氯化硅SiCl4（101.325kPa）沸点是57.6℃。3、三氯氢硅SiHCl3(0℃)时液体的密度是多少？答：三氯氢硅SiHCl3(0℃时)液体密度是1350kg/m3。4、四氯化硅SiCl4(0℃)时液体的密度是多少？答：四氯化硅SiCl4(0℃时)液体密度是1480kg/m3。5、硅粉与氯化氢气体的主反应方程式。答：主反

2、应：Si+3HCL=SiHCL3+H2+Q热6、硅粉与氯化氢气体的副反应方程式。答：副反应：Si+4HCL=SICL4+2H2+Q热7、硅粉的指标是什么？答：主要指标为：①、含量≥99%，其中Fe≤0.4%AL≤0.4%Ca≤0.1%。②、粒度：60—120目。8、硅粉质量好坏的一个重要标准是什么？答:在实际生产中硅粉质量的好坏，要看硅粉与氯化氢反应生成的TCS的产率，生产TCS比率越高，说明硅粉质量越好。9、氯化氢气体含水一般控制到多少。答：氯化氢气体含水量≤150ppm。10、画出简单的三氯氢硅合成工序流程方块图。答：硅粉输送TC

3、S合成分离除尘一级冷凝尾气压缩HCL干燥输送二级冷凝合成液罐精馏外卖psaHCL干燥输送HCL干燥输送11、一般情况下，每包硅粉的重量是多少？答：一吨。12、硅粉在什么设备内进行干燥？答：硅粉在硅粉干燥器内进行干燥。13、我公司共有几台三氯氢硅合成炉，单台产量是多少?答：共有五台合成炉，单台产量为年产5000吨三氯氢硅。14、三氯氢硅灭火采用何种物质，禁止使用何种物质灭火？答：三氯氢硅灭火采用二氧化碳、干石粉、干砂。禁止使用水和泡沫。15、四氯化硅灭火采用何种物质，禁止使用何种物质灭火？答:四氯化硅灭火采用干粉、砂土。禁止使用水灭火。

4、16、合成炉的温度是通过什么控制的？答：是通过导热油系统进行控制的。17、合成炉产生的三氯氢硅和四氯化硅混合气怎样进行除尘。答：经过一级旋风分离器、二级旋风分离器、一级布袋除尘器、二级布袋除尘器进行除尘。18、合成与精馏系统的废气通过什么设备进行吸收？答:合成与精馏系统的废气通过淋洗塔进行吸收。19、简述压缩机前合成混合气冷却工艺。答：从布袋除尘器出来的混合气再经过空冷器、循环水冷却器、5℃水一级冷却器、-35℃一级冷却器降温。空冷内一般无液体冷凝。循环水冷却器5℃水一级冷却器、-35℃一级冷却器冷凝下来的TCS、STC混合液进入合成

5、液存储罐内。以上除尘、冷却装置分别是每台炉对应一套系统。合成液储罐中的合成液输送到精馏系统进行精馏。20、合成压缩机后气体冷却设备是什么？答：5℃水二级冷却器、-35℃水二级冷却器。