计算机组成原理第4章2存储器

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1、2.动态RAM(DRAM)(1)动态RAM基本单元电路读选择线VDDT2T4T1预充电信号T3+VddCg写选择线写数据线读数据线读出与原存信息相反三管动态RAM存储单元电路如图:存储单元由于漏电流的存在，Xi(行选择线)存储下电面容分上三存个储的过数程据讨（论电：单元T1T3荷）不能长久保存，因写入刷新T2控制电路“写”C“读”此•必写须入定期数给据电容补充位位线线电荷，以避免存储数据G3•读出数据>存储数据的电V容DD的丢失，这种操作称为写入刷新控制G1G2再生或刷新。&&R•刷新数据R/WT4T5写入数据DIYj(列选择线)DO读出数据的控制门的控制门写入数据

2、：R/W=0,G导通，G截止Xi12(行选择线)存储T1T3单元当Xi＝Yj＝1时，输入数据DI经G3反相，“写”T2“读”T1、T3、T4、T5均导C被存入电容C中。位位通，此时可以对存储单线线元进行存取操作。G3>VDD写入刷若DI＝0，电容充电；新控制G1G2&&&&R若DI＝1，电容放电。R/WT4T5当Xi＝Yj＝0时，写入的数据由C保存。DIYj(列选择线)DO读出数据：R/W=1,G2导通，G1截止，Xi(行选择线)存储T1T3单元若C上当X充i＝有Y电j＝荷1时，，T2导“写”T2“读”通T1，、读T3位、线T4、输T出5均数导据0；C位位反通之，，

3、此时T可2截以止对存，储输单出线线元进行存取操作。数据1。G3>VDD写入刷新控制G1G2读位线信号分两路，&&&&R一路经T由D输出；R/W5OT4T5另一路经G、G、T231DIYj(列选择线)DO对存储单元刷新。刷新数据：若读位线为低电平，Xi经过G3反相后为高电平，(行选择线)存储单元对电容C充电；T1T3T2“写”“读”C若读位线为高电平，位位线线经过G3反相后为低电平，G3VDD电容C放电；>写入刷新控制G1G2当R/W=1,且X=1时，&&&&RiR/WC上的数据经T、T到23T4T5达“读”位线，然后经写入刷新控制电路DIYj(列选择线)DO对存储单

4、元刷新。此时,X有效，整个一行存储单元被刷新。由于列选择线Yij无效，因此数据不被读出。单管动态RAM基本单元电路数据线T+Cs字线读出时数据线有电流为“1”无电流为“0”写入时CS充电为“1”放电为“0”(2)动态RAM芯片举例1K*1bit①三管动态RAM芯片(Intel1103)读0读选择线行…A900写选择线地1…读A80址1…………写数…A译单元数据70电路据线码31线A6…031器…刷新放大器A50D读写控制电路先预充001…31列地址译码器00000A4A3A2A1A0②三管动态RAM芯片(Intel1103)写0读选择线行…A90写选择线地1…读A8

5、址1………写数…A译单元数据7电路据线码31线A6…31器…刷新放大器A5D读写控制电路01…31列地址译码器A4A3A2A1A0②三管动态RAM芯片(Intel1103)写0读选择线行…A910写选择线地1…读A81址1………写数…A译单元数据71电路据线码31线A6…131器…刷新放大器A51D读写控制电路01…31列地址译码器A4A3A2A1A0②三管动态RAM芯片(Intel1103)写0读选择线行…A910写选择线地1…读A81址1………写数…A译单元数据71电路据线码31线A6…131器…刷新放大器A51D读写控制电路01…31列地址译码器A4A3A2A

6、1A0②三管动态RAM芯片(Intel1103)写0读选择线行…A910写选择线地1…读A81址1………写数…A译单元数据71电路据线码31线A6…131器…刷新放大器A51D读写控制电路01…31列地址译码器00001A4A3A2A1A0②三管动态RAM芯片(Intel1103)写0读选择线行…A910写选择线地1…读A81址1…………写数…A译单元数据71电路据线码31线A6…131器…刷新放大器A51D读写控制电路01…31列地址译码器00001A4A3A2A1A0②三管动态RAM芯片(Intel1103)写0读选择线行…A910写选择线地1…读A81址1……

7、……写数…A译单元数据71电路据线码31线A6…131器…刷新放大器A51D读写控制电路01…31列地址译码器00001A4A3A2A1A0②三管动态RAM芯片(Intel1103)写0读选择线行…A910写选择线地1…读A81址1…………写数…A译单元数据71电路据线码31线A6…131器…刷新放大器A51D读写控制电路01…31列地址译码器00001A4A3A2A1A0②三管动态RAM芯片(Intel1103)写0读选择线行…A910写选择线地1…读A81址1…………写数…A译单元数据71电路据线码31线A6…131器…刷新放大器A51D读写控制电路01…3