英寸直拉单晶棒少子寿命检测

英寸直拉单晶棒少子寿命检测

ID:39651926

大小:337.50 KB

页数:13页

时间:2019-07-08

英寸直拉单晶棒少子寿命检测_第1页
英寸直拉单晶棒少子寿命检测_第2页
英寸直拉单晶棒少子寿命检测_第3页
英寸直拉单晶棒少子寿命检测_第4页
英寸直拉单晶棒少子寿命检测_第5页
资源描述:

《英寸直拉单晶棒少子寿命检测》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、八英寸直拉单晶棒少子寿命检测EightinchczochralskisinglecrystalrodsShaoZilifetest目录:一、采样及样品处理二、检测依据及设备三、检测原理及作业指导书四、检测环境及影响因素五、检测数据分析六、检测报告书一、采样及样品处理1、采样:单晶硅片单晶片:取单晶棒头部、中部、尾部各三片,要具有代表性。2、样品处理:(1)、试样待测面用320#(28~42μm)或W28(20~28μm)金刚砂研磨或喷砂。(2)、对圆片试样,用5~14μm氧化铝或金刚砂研磨上下表面。二、检测依据及设备1、检测依据:2、检测设备:

2、三、检测原理及作业指导书一、检测原理:光电导衰退法基本原理:光照射→非平衡载流子→电导率→电阻率→电流→电压→电压衰减规律→少数载流子的寿命。方法过程:直流光电导法和高频光电导法测量寿命的方法都在光脉冲照射下产生非平衡少数载流子衰减,而得到电压或电流的衰减信号,再检测这种电压或电流信号的衰减规律,从而测出样品的非平衡载流子的寿命。1、直流光电导衰退法对于N型半导体经推导:对于P型半导体经推导:2、高频光电导衰退法无光照的电流:i=Imsinωt有光照的电流:i=(Im+ΔI0)sinωt光照停止的电流:i=(Im+ΔI0exp(-t/τ))si

3、nωt串联电阻电压:V=(Vm+ΔV0exp(-t/τ))sinωt2、作业指导书(1)方法原理:高频光电导衰退法(2)仪器设备1.614-A2.1KVA电子交流稳压器2.GGS-3、SR8二踪示波器3.少子寿命仪(3)过程控制(操作步骤)1.开启稳压器:接通614-A2.lKVA电子交流稳压器,大约5分钟后,稳压器输出稳定在220伏时,方可接通GGS-3及SR8二踪示波器。2.开启寿命仪3.SR8二踪示波器4.接通示波器电源,当示波器萤光屏基线上出现基点,调节“↑↓”位移旋钮,把基点调到基线上。5.选用适当的微调扫描钮“t/div”及微调“v

4、/div”和“调谐”钮。6.旋转X轴水平位移“”旋钮,使曲线与Y轴相交于e点(e为2.72格处红点位置)。7.如果曲线头部出现平顶现象在曲线无畸变的情况下进行测量。8.当“t/div”和“v/div”及“调谐”都适当时,曲线尾部高于基线,这时可加底光照(将GGS-3寿命仪上的“底光”钮按下),判断曲线是否有陷阱。 9.填报寿命值的规定(暂行):10.特殊情况,按要求测量报数。11.用已知寿命值的样块检查测量系统是否处于正常状态(操作与正常测试同)。12.此寿命仪只测常规单晶产品的寿命。13.此设备最低值的报数为:4μs。四、检测环境及影响因素1

5、、检测环境:干燥、常温2、影响因素:体复合的条件;小注入的条件;样品内电场强度和光照面积;陷阱效应;光生伏特效应。五、检测数据分析六、检测报告书检验报告检测项目直拉单晶片电阻率的检测规格型号直径:50mm厚度:8.1mm单晶片委托单位及地址乐山职业技术学院产品等级优等品乐山市市中区肖坝路108号抽样基数单晶棒头中尾各三片生产单位乐山嘉源有限公司样品数量3片抽/送样日期2013-9-24检验状态符合检验要求检验日期2013-9-24检验类别委托检验检验依据国标GB/T1552-1995检验结果少子寿命为128S检验结论符合合同要求主检人员:徐航、

6、赵仕海质检机构(公章)审核人员:陈莉、何霞批准人员:签发日期:2013年9月34日谢谢观赏!

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。