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时间:2019-07-05
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1、半导体工艺学silvaco仿真实验报告电子110211214049浦探超2013目录一、氧化...................................................................................................................................225.1.1硅的局部氧化工艺中鸟嘴效应的仿真................................................................
2、.....225.1.2混合环境的氧化..........................................................................................................325.1.5LOCOS工艺中多晶硅缓冲..........................................................................................425.1.9沟槽侧墙向氧化的方向性...........
3、..............................................................................525.1.10沟槽氧化过程中的无效区的形成............................................................................6二、扩散...................................................................................
4、................................................724.1.1硼掺杂和退火.............................................................................................................724.1.2硼扩散的氧化增强效应.............................................................................
5、................824.1.3砷对晶格的损伤的扩散增强效应..............................................................................924.1.7发射极推进效应........................................................................................................1024.1.9砷的激活...................
6、.................................................................................................1124.1.12铟掺杂和退火..........................................................................................................12三、离子注入......................................
7、...................................................................................1223.1.2使用SVDP模型倾斜角的依靠性............................................................................1223.1.3使用SVDP模型掩蔽层厚度的依赖性.........................................................
8、............1323.1.5离子注入剂量对P沟道的影响...............................................................................1423.1.6使用高能量掺杂倒掺杂阱的形成..................
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