silvaco tcad 工艺仿真2

《silvaco tcad 工艺仿真2》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、SilvacoTCAD工艺仿真（二）Tangshaohua,SCU*1Silvaco学习E-Mail:shaohuachn@126.comshaohuachn@qq.com上一讲知识回顾熟悉仿真流程*2Silvaco学习1、建立仿真网格2、仿真初始化3、工艺步骤4、抽取特性5、结构操作6、Tonyplot显示goathenaLinexloc=0.0spac=0.02Linexloc=1.0spac=0.10Lineyloc=0.0spac=0.02Lineyloc=2.0spac=0.20inittwo.dDiffusetime=30temp=1200

2、dryo2extractname="Tox"thicknessoxidemat.occno=1x.val=0tonyplotquit小试牛刀之Diffuse做氧化优化这一讲的安排介绍各个工艺的参数及其意义举例说明这些工艺有：离子注入，扩散，淀积，刻蚀，外延和抛光*Silvaco学习3离子注入命令implant，参数及说明如下：*4Silvaco学习离子注入的参数及说明*5Silvaco学习离子注入的几何说明：注入面：α表面：∑仿真面：βTiltangle：θRotationangle：φ离子注入的例句*6Silvaco学习Implantphosphd

3、ose=1e14energy=100tilt=15Implantborondose=1e13energy=50tilt=0s.oxide=0.005Implantborondose=1e13energy=300bcatilt=0rotation=0Analytical注入：SVDP注入（s.oxide为屏氧厚度）：MonteCarlo注入：Implantborondose=1e14energy=50unit.damagedam.factor=0.1注入损伤：离子注入的例子*7Silvaco学习goathenaLinexloc=0.0spac=0.02L

4、inexloc=1.0spac=0.10Lineyloc=0.0spac=0.02Lineyloc=2.0spac=0.20initsiliconc.boron=1e16two.dImplantphosphdose=1e13energy=50tilt=7unit.damagedam.factor=0.05extractname="xj"xjmaterial="Silicon”mat.occno=1x.val=0.05junc.occno=1tonyplot抽取得到结深Xj＝0.267678μm把spac=0.02换成0.1看有什么不同扩散命令dif

5、fuse，参数及说明如下：*8Silvaco学习扩散的例句*9Silvaco学习Diffusetime=1hourtemp=1000c.boron=1e20Diffusetime=30temp=1200weto2Diffusetime=2temp=800t.final=1200nitropress=2Diffusetime=20temp=1200nitropress=2Diffusetime=2temp=1200t.final=800nitropress=2Diffusetime=1temp=1000nitropress=1.5磷的预沉积：湿氧氧化（也

6、可以定义气流）：变温扩散：快速热退火（RTA）：高级的扩散模型：MethodplsDiffusetime=1hourtemp=950nitroc.phos=1e20tsave=1tsave.mult=10dump.predep=predep扩散的例子*10Silvaco学习goathenaLinexloc=0.0spac=0.02Linexloc=1.0spac=0.10Lineyloc=0.0spac=0.1Lineyloc=2.0spac=0.20initsiliconc.boron=1e16two.dMethodplsDiffusetime=1

7、hourtemp=950nitroc.phos=1e20tsave=1tsave.mult=10dump.prefix=predeptonyplotpredep*.strtonyplot-overlaypredep*.str淀积命令deposit。参数及其说明如下：*11Silvaco学习淀积参数及例句*12Silvaco学习Depositoxidethick=0.1dy=0.01ydy=0.05Depositoxidethick=0.1div=10淀积，网格控制：Depositmaterial=BPSGthick=.1c.boron=1e20c.

8、phos=1e20淀积BPSG：Rate.depomachine=MOCVDcvddep.ra