高等电磁理论-重要定理和原理

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1、第4章重要定理和原理4.1惟一性定理4.2镜像原理4.3互易定理4.4等效原理4.5惠更斯定理4.6几何光学原理4.7互补原理4.1惟一性定理或条件：（2）初始时刻区域内的场分布是确定的；（3）边界面上或是确定的。（1）区域内源分布是确定的（有源或无源），与区域外的源分布无关；结论：区域V内的电磁场由麦克斯韦方程组惟一地确定。重要意义：（2）为各种求解场分布的方法提供了理论依据。（1）指出了获得惟一解所需给定的条件；证明思路：建立场的体、面积分关系（标量格林定理、坡印廷定理）证明方法：用反证法证明任意两个解的差均为零。证明：，，令，，则，，，且，（，）和（，），则假设有两组解由坡印廷定理

2、，在区域V上，有（t=0）（t>0）讨论几种情况：（1）时谐场——无限的周期性取代了有限时刻的初始条件，不需要初始条件也能保证场的惟一性。（2）无界空间——无限远条件取代有限边界条件(附加条件：所有源位于有限区域内。)有无限大区域中的场是由源唯一确定的。（3）对于标量波动方程(附加条件：所有源位于有限区域内。)则区域中的是由源唯一确定的。如果区域V中的源p给定以及1）边界S上的给定;或2）边界S上的给定；考虑差值函数满足利用标量格林恒等式可得得得4.2镜像原理镜像原理：等效源（镜像源）替代边界面的影响边值问题转换为无界空间问题；理论基础：惟一性定理。应用：（1）电壁附近的垂直电流元Il镜

3、像电流元x，在边界面z=0上:合成波电场：x故对于远区场：镜像电流元合成波电场：在边界面y=0上:（2）电壁附近的水平电流元对于远区场：故当水平电流元紧靠电壁，即d→0时，Eθ→0。讨论：归纳：结论：紧贴电壁的水平电流元不产生辐射场。结论：紧贴??电壁（磁壁）的水平电流元（磁流元）或垂直磁流元（电流元）不产生辐射场。电壁磁壁理想导体（3）导体直角的镜像原理（4）平行导体镜像原理（5）导体拐角的镜像原理（6）矩形波导中电流源的镜像原理4.3互易定理互易性两组源：；、、、、——两组不同的源与场之间的影响与响应关系——源a与场b之间的相互作用互易性：；4.3.1线性、各向同性媒质中互易定理的一

4、般形式【证明】4.3.2洛伦兹互易定理于是有源在体积V外，则★若S为无限大球面时，面S上于是有源在体积V内，则故得于是有若，则有讨论：4.3.2卡孙互易定理若，则有★若S为电壁或磁壁，则于是有在电壁上，无切向分量，即，所以，由于是任意的，故。4.3.4应用设产生的场为；电流元产生的场为。由互易定理，有例1：利用互易原理证明，紧贴理想导电体表面的电流源不产生辐射场。证明：理想导体例2：研究一般弯曲天线的远区辐射特性理论基础：惟一性定理。基本思想：等效源替代真实源；4.4等效原理等效源4.4.1面等效原理将区域V1内的源和用分界面S上的等效源和来替代，且将区域V1内的场设为零，则区域V2内的

5、场不会改变。★拉芙（Love）等效原理讨论：若区域V2内无源，则其中的场由分界面S上的等效源和产生。★Schelknoff等效原理在紧贴分界面S的内侧设置电壁，则不产生辐射场，区域内V2的场由产生（1）电壁＋磁流源?（2）磁壁＋电流源在紧贴分界面S的内侧设置电壁，则不产生辐射场，区域内V2的场由产生?例1：向z方向传播的均匀平面波E=exE0e-jkz在z=0面上的等效源为JS=－exE0/Z0、=－eyE0，证明此等效源在z<0区域产生的场为零。考虑满足满足考虑产生的场为产生的场为总场为例2：已知z>0的空间区域无源，z=0的界面上为（1）电壁，紧贴电壁的磁流源为=－eyE0（2）磁壁

6、，紧贴磁壁的电流源为JS=－exE0/Z0，Z0为波阻抗。证明对于以上两种情况，z>0的空间区域的场相同。（1）考虑满足满足（2）考虑得例3：传输TEM波的同轴线终端开路，外导体与一无限大接地导体板相连，如图所示。求同轴线开口终端的辐射场。，等效面磁流密度：解：同轴线开口处的电场终端开路同轴线此小磁流环的电矩为故同轴线开口终端的辐射场根据一般等效原理，保持散射体中总场E、H不变，散射体外只保留散射场ES、HS，则应在散射体表面设置等效源、（3）、（1）问题：电磁波在传播过程中遇散射体，散射体受场的作用产生二次辐射场（散射场），空间的电磁场是入射场与散射场的叠加将（1）代入（2），得，（2

7、）散射体4.4.2感应定理在散射体表面上，数值等于入射场的切向分量的等效源在散射体内产生总场，在散射体外产生散射场。即散射体对入射场的散射场等效于紧贴散射体表面的等效电流源和磁流源在散射体外所产生的场，此等效源由入射场的切向分量所确定。散射体感应定理：散射体内部：E=H=0应用方式：电壁＋磁流源由式（2）等效源：，特殊形式：★散射体为理想导电体表面：电壁★散射体为理想导磁体表面：等效源：，由式（2）应用方式：磁壁＋电流源。内部：E=