IC封装用铜合金引线框架及材料

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1、第卷,第期电子与封装总第∀期#!∀#∃‘一23年4月%&%∋()∗∃+∋,−./∋0/1+∃1+∋封装用铜合金引线框架及材料龙乐,一2,∀3∀335龙泉长柏路46号栋3室四川成都7!8,摘要本文评述了国内外+∋封装用铜合金引线框架及材料的研发现状主要涉及封装对引线框架材料的要求,铜合金引线框架材料的特性,铜合金引线框架材料研发动态,引线框架的制作技术,。以及市场需求等内容并由此分析它们的发展趋势899关键词封装引线框架铜合金中图分类号8(∃∗7文献标识码8/+Ι的许多可靠性性能都是由封装的性能决定的,引线框架为芯片5或管芯!提供电通路、散热引言通路、机械支撑等

2、功能,+∋封装要求其必须具备高+∋产品由芯片、引线和引线框架、粘接材料、封强度、高导电、导热性好、良好的可焊性、耐蚀性、。,、,装材料等几大部分构成其中引线框架的主要功塑封性抗氧化性等一系列综合性能因而对其所,并,能是为芯片提供机械支撑载体作为导电介质连用材料的要求也十分苛刻所用材料的各项性能指,,,,。接+∋外部电路传送电信号以及与封装材料一起标的优劣最终都将直接影响+∋的质量及成品率向外散发芯片工作时产生的热量,成为+∋中极为关其材料应满足下列特性要求8键的。,、,,零部件目前芯片集成度一直以摩尔定律的导电导热性好伴随芯片集成度的提高尤,,,,规则高速推进即集成度每年

3、增长:倍特征尺寸其是功耗较大的芯片工作时发热量增加要求,,,,。每年缩小沂倍功能增强速度更快功耗降低引线框架能及时向外散发热量良好的导电性可降。、。,封装也在随其不断发展封装密度引线密度5单低电容和电感引起的不利效应材料导电性高将,,。位封装面积上的引线数!越来越高封装引线脚数使引线框架上产生的阻抗小也利于散热,,,平均每年增加∀7;.1/已由3一:3条增加到∀33!较高的强度和硬度冷热加工性能良好抗,,.,条9<=.>:3条引线节距逐年下降从2#:转拉强度至少为∀∀#∃%&∋∀()∗+,−−/尤其是薄形化?,,向∀#2≅∀ΑΑΒΑ升3#7ΧΒΔ斗3#ΕΧΒ们Β升3

4、#:ΒΔΑ斗3#∀∀∀们Β斗的材料强度要求高延伸率不小于(0硬度12应##,3∀ΔΔΦ、、、345。ΦΑΔΔ引线框架正向短轻薄高精细大于,,。度、多引线、小节距方向研发,所用材料以往大多6弹性优良屈服强度高提高强度改善韧性,,,采用铁镍:2合金5=Γ一∃Η:2!或覆铝铁镍合金而目7耐热性和耐氧化性好热稳定性优良耐氧,,前其6;为铜合金所替代以铜为基体的复合材料化性对产品的可靠性有很大影响要求因加热而生。一直是国内外许多+∋封装材料厂商的商业化开发热成的氧化膜尽可能小,点,取得多项实用化技术及商品。8具有一定的耐蚀性不发生应力腐蚀裂纹以。及潮湿气候下断腿现象,9较低的热膨

5、胀系数:;<并与封装材料的;<2封装对引线框架材料的要求,。匹配确保封装的气密性=收稿日期>∋?/4城1一4:甩士勺封表??ϑ??一一ϑ一ϑϑϑϑ一ϑϑϑϑϑ?一一一???叫?????,?????????门???????????ϑ??,#,自一,???????曰???ϑ。、,、≅弯曲一冲制加工容易且不起毛刺Α弯曲微最广泛的金属材料之一铜的导电率和导热率仅次,,,细加,于银工艺性能优良价格远比铁镍∀>合金便宜工的刻蚀性能好适应引线框架加工制作方法,多。作为引线框架用材料的关键是强度问题纯铜的强样化需求,,,。,Β表面质量好可焊性高为提高可焊性需度只有铁镍∀>合金的3,>但是铜

6、具有另一个极为,,、,电。优势的性能这就是很容易与其它元素形成合金要采取镀锡镀金或镀银镀性好,通过合金化完全可将其强度提高到相当于铁镍∀>Χ成本尽可能低满足大批量商业化应用要合,,。金的水平同时其导电率可以提高巧一>5倍铜合求。、、以上要求可归纳为=一次特性成形特性二金现成为主导的引线框架材料表3示出常用引线,、、,一,次特性引线框架材料要具有物理机械化学等框架材料特性表中Δ2&Ε是ΦΓΗΙ∀>因瓦合金)ϑ2&Ε。、Γ一一ϑ,。多方面特性以铜为基体的复合材料因其高强度代表ΦΗΙ可伐合金其余为纯金属材料合金,、,而。的强度和导电率具有内在联系合金元素的种类高导热和低廉的价格日

7、益受到重视热处理、塑性变形程度等强度与导电率有很大的影。4响铜合金引线框架材料的特性、引一一Κ线框架用铜合金大致分为铜铁系铜镍、、,,硅系铜一铬系铜一镍一锡系∋Λ>合金/等三铜及铜合金是人类应用最早的金属也是应用)Κ表3常用材料特性;<Μ%−,Ν/密度∋Γ−,材料名称∋/热导率∋Ο,−Ν∗,/特点ΘΘ、#Π肛5∀##Ρ3导热率与导电性热膨胀性好、、)ΣΠ&Ε(Τ#ΥΡ4强度高加工性能好成本高ΘΘ、、ς∀∀3Υ∀3Τ4强度高匹配性差成本高∃5(Θ53∀535Θ>强度高、匹配性差、成本高Ω3ΥΘΥ∀∋?/

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