层压后曲线异常小结

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1、曲线异常的研究与返修总结原因分析经验总结后续计划曲线异常形成原因的初步分析曲线异常的种类不良实际曲线试验模拟结果以上是曲线异常中最为常见的2/3VOC处的台阶，左图为不良组件的实际I-V曲线，右图为用遮挡方法模拟出的不良曲线，3串电池串中任选一串，在这一串中任选一片电池片，在不将整片电池片完全遮挡的前提下，就会出现这类曲线异常。曲线异常的种类不良实际曲线试验模拟结果以上是曲线异常中最为常见的1/3VOC处的台阶，左图为不良组件的实际I-V曲线，右图为用遮挡方法模拟出的不良曲线，3串电池串中任选两串，在这两串中任选一片电池片，在不

2、将整片电池片完全遮挡的前提下，就会出现这类曲线异常。曲线异常的种类不良实际曲线试验模拟结果上图的曲线在I-V曲线的起始位置有一个突然的下降，看上去与前两类曲线异常不属于同一类型，但如果在ISC点将曲线做个延长，如图所示，可以认为是在起始位置有台阶，按照前两类异常的推论，应该在三串电池中，每串任选一片电池片遮挡，会出现此类异常，右图为模拟结果，与实际情形基本相符。不良实际曲线试验模拟结果左图不良曲线在1/32/3VOC处出现两个台阶，在三串电池中任选一片电池片，按遮挡面积1：2：3的比列进行遮挡模拟，可以得出以上的不良曲线异常的种

3、类单串不良累加模拟PIC1PIC2PIC3PIC4单串不良累加模拟以上四组图片是同一串电池中，增加遮挡的电池片的数量（四组被遮挡的面积依次减小），所得的结果，四组试验在曲线形状及各个参数相差都不大。二极管在曲线异常中的作用不加二极管加二极管两次模拟是在完全相同的条件下，左图是不加二极管的情况，右图是加了二极管的情况，在没有二极管的情况下，曲线异常不能形成明显的台阶，且加了二极管之后，ISC大了接近0.1A。二极管在曲线异常中的作用不加二极管加二极管在完全相同的条件下，将一串电池中的任一片几乎全部遮挡，不加二极管与加了二极管之间的

4、区别，两次的ISC相差了0.2A,且从图形看，两者的区别在于红线标出的部分。从表现看，正是因为二极管的作用，产生了红线标出的曲线，与原先的曲线叠加，产生了如右图的曲线。二极管在曲线异常中的作用为进一步验证上述的叠加理论，将Page9中的加二极管（红色边框）与不加二极管（黑色边框）的对比图在台阶处分开，并进行重新组合，可以发现重新拼接起来的曲线在分割处仍然可以很好的匹配。二极管在曲线异常中的作用上图是1/3台阶处的拼接图。上述两例从表象说明了二极管在曲线异常当中扮演的角色。遮挡模拟试验总结综合以上的试验结果，曲线异常是由串间电流不

5、匹配引起，其不匹配的程度（分为三种情况1.三串电流均有较大差异2.只有一串电流偏小3.有两串电流偏小决定了台阶的个数以及台阶的位置。偏小的那一串或2串电流偏小的程度决定台阶的大小。且二极管决定台阶的明显程度，假定二极管中也有电流通过（因为加二极管条件下，ISC有比较明显的增加，可以认为二极管有分流作用），其产生的I-V曲线与不加二极管的曲线进行叠加能得到加二极管条件下的曲线异常。理论分析曲线异常形成的原因电池的等效电路模型标准组件I-V曲线由电池的等效电路模型看，当外接负载为零时，在标准I-V曲线中得到ISC点，随着外界负载的增

6、加，负载两端的电压随之增加，在一定的范围内（V小于Vmp),虽然负载增加，但负载与Rs之和仍远小于Rsh,电流仍主要流经Rs这一支路，但当负载大到一定程度的时候（某一临界点）随着负载的增加，电流也流过Rsh支路，流经Rs支路的电流开始明显减少，直到负载无穷大时，减少至零。问题组件I-V曲线理论分析曲线异常形成的原因在异常情况下，Rs偏大或Rsh偏小时，随着负载的增加，比正常情况下更早的达到所谓的临界点，在临界点即开始下降，以下是组件的临界点，黑线的部分是理论上，问题电池片的曲线（从临界点开始下降，直到为零），组件与单片电池片I-

7、V曲线的差别的原因还需进一步研究。不良电池片组件的临界点正常电池片组件的临界点理论分析曲线异常形成的原因单片电池和组件模型不同的地方在于，电池与外界无联系，组件中有多个电池串联而成，每片电池在一般情况下，理论分析总结理论分析总结虽然从红外结果来看，引起曲线异常的原因有很多种。但从根本上，基本可以认为是Rsh和Rs异常引起的。Isc受Rs影响，可以通过Isc来判定不良。当Rs和Rsh都正常时，FF较大，曲线正常。Rs越小同时Rsh越大，临界点电压值越大，FF越大，曲线越接近正方形，最大功率越大。理论分析总结综合试验结果以及对单个电

8、池等效电路模型的分析，可以看出曲线异常基本是由电池片本身的不良引起，组件生产过程中导致的碎片只要仍和组件连接在一起（隐裂），基本不会造成曲线异常，曲线异常的程度由一串中问题最严重的电池片决定，如果要彻底消除曲线异常需要更换所有有问题的电池片。曲线异常返修经验总结