公司基本概况及所处行业发展分析

《公司基本概况及所处行业发展分析》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、.朗科科技公司（代码300042）投资价值分析班级：保险1241班姓名：潘文臣学号：50一、公司基本概况及所处行业发展分析（一）公司基本信息公司名称：深圳市朗科科技股份有限公司主营业务：从事电脑软硬件、移动存储产品、数码影音娱乐产品、多媒体产品、网络等最新总股本：13360.00万股最新流通A股：8225.51万股公司网址：http://www.netac.com.cn所属板块：预盈预增-深圳本地-国家安全董事长：石桂生董秘：石桂生(代)高管减持：邓国顺与2014年06月11日减持2000000股。交易提示：朗科科技

2、2014年05月15日发布召开2014年第三次临时股东大会。最新预约披露：2014年一季报于2014年04月24日披露。最新龙虎榜：2014年06月04日日涨幅偏离值达7%的前三只证券

3、前五只证券股票代号300042（二）公司主营业务及其变化情况公司基于闪存应用及移动存储领域内持续自主创新的全球领先技术及专利，专业从事闪存应用及移动存储产品的研发、生产、销售及相关技术的专利运营业务。本公司在全球范围内拥有闪存盘相关领域的系列原创性基础发明专利、闪存应用及移动存储领域其他核心技术及其专利，凭借专业的技术创新与研发平台、

4、成熟的专利运营体系、知名的品牌和多渠道营销网络，与多家全球知名企业建立了战略合作关系，面向全球进行产品销售和专利授权许可以实现公司长期可持续发展。公司自成立以来，主营业务未发生变化，一直致力于闪存应用及移动存储产品的研发、生产、销售及相关技术的专利运营业务。目前，公司已与Toshiba（东芝）、Kingston（金士顿）、美国PNY、Phison(群联)等全球知名企业签订专利授权许可协议，实现专利盈利。公司产品运营主要包括中国石油、中国联通、中国移动、中国网通、中国电信、中国人民银行、中国银行、中国工商银行、中国农业

5、银行、浦发银行、北京大学、哈尔滨工业大学、中南大学、中山大学、电子科技大学、创维、长虹、TCL、康佳、富士施乐、人民日报、深圳人民政府、南方都市报、微软、国家气象信息中心、华为、拜耳医药、上海世博会、通用电气、惠普、东芝、海尔集团、金蝶软件、中兴通讯等优质能源、医药、电信、信息电子、政府组织、教育、金融等行业客户，并于2009年新增宏兆集团、郑州VCOM、安徽移动、宝钢集团、中佳讯14等行业客户。（二）行业基本情况闪存应用技术是计算机、移动存储、消费电子等领域持续迅速发展的关键驱动因素之一。闪存应用及移动存储技术已被

6、广泛应用于闪存盘、手机、数字音视频播放设备(包..括MP3/MP4)、电视机、数码相机、数码相框、闪存卡、固态硬盘、GPS导航仪、汽车电子等领域。1、主要政策2、行业上下游产业链①闪存应用及移动存储与上游行业的关系闪存应用及移动存储产业的上游行业主要为半导体制造产业，包含存储介质制造产业、芯片制造产业、电子元器件制造产业等。上游产业的发展对本行业的技术、成本等因素影响较大。半导体制造产业经过多年的发展，具有较高的技术成熟度，目前竞争充分、供应充足，并保持持续高速发展态势，有利于推进本行业技术进步。同时，上游产业中的闪

7、存制造行业技术革新速度较快，对于掌握闪存控制核心技术的企业发展有利。②闪存应用及移动存储与下游行业的关系闪存应用及移动存储产业的下游产业主要为信息技术、消费电子和工业控制等领域。下游产业的发展对本行业的技术、公司规模等因素影响较大。从产业规模来看，下游产业涉及领域广泛，发展潜力和市场规模巨大，对本行业的长期发展较为有利。同时，下游产业对本行业的技术应用水平较低，应用领域尚未充分挖掘，本行业相关技术及产品在下游行业中的应用前景十分广阔。3、闪存应用及移动存储发展现状①固态硬盘控制芯片技术处于发展初期近年来，以闪存为存储

8、介质的固态硬盘由于具有读写速度快、高性能、高密度、高寿命、低功耗、防震抗摔、耐高低温、静音等众多优点，替代传统磁介质硬盘趋势愈发明显。根据iSuppli15等公司预测，2009年固态硬盘全球销售额将达26亿美元，2010年为43亿美元，2011年将超过60亿美元。目前全球从事固态硬盘控制芯片设计开发的公司约有20家左右，从事固态硬盘产品制造的规模企业约有50家左右，但产品以32GB为主流容量，读写速度在120MByte/sec左右，单位容量价格是传统硬盘的10倍左右。固态硬盘的大规模产业化尚未启动.未来市场潜力较大.

9、具备性能适中、高性价比、稳定性突出的产品且拥有固态硬盘关键元器件控制芯片核心技术的企业将在市场竞争中..胜出。②闪存制程技术更新换代加速自上世纪90年代开始，闪存的生产制程一直沿着180nm到20nm的方向提升，每隔1-2年发生一次制程的更新换代，目前已发展到40nm甚至30nm，从而有效降低了闪存的生产成本。③闪存存储单位、存储容量不断变化闪