2.晶圆的制作

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1、晶圓的製作IC製作過程晶體•amorphous（非晶）•polycrystalline（多晶，多結晶，複晶）•crystalline（結晶）•AmorphoussiliconAmorphoussilicon（非晶矽）•Polysilicon（多晶矽，多結晶矽，複複矽晶矽）非晶複晶結晶鑽石與石墨高純度矽之製作（99999999999%99.999999999%純度）SiO硅石（silica）2以碳還原不純矽純度99%冶金級矽氯化SiH,SiCl,SiClH等液態矽烷443總稱silane分餾超純矽烷以氫還原超純複晶矽冶金級

2、矽氯化成矽烷以氫還原成複晶矽單晶矽晶棒（ingot）的製作•CZ法（Czochralski法，柴式長晶法）•FZ法（FloatingZone法，浮融長晶法）CZ法FZ法晶棒的切割•區塊切斷分離•外圍研磨•平面方向記號加工•區塊切離流程晶圓研磨晶邊研磨•防止邊緣破碎•避免應力集中•使光阻劑於表面均勻分布晶圓缺陷表面處理denudedzone,剝蝕區，溶蝕區缺陷有捕捉雜質的作用吸除（getter）表面雜質方法•外質吸除（extrinsicgettering,EG）：–於表面生成一層多晶矽–於晶圓背面形成氮化矽晶粒邊界–晶圓背

3、面以機械方式摩擦–以雷射光束照射晶圓背面–離子植入晶圓背面–以磷擴散入晶圓背面•內質吸除（intrinsicgettering,IG）：以熱循環造成氧沉澱，使氧離開晶圓表面•化學吸除：使用氯化氫或三氯乙烯除去表面污染晶圓平坦度1mil=1/1000in=25μm使用HF+HNOHF+HNO+CH+CHCOOH33拋光目的：改善前製程所留下的微缺陷提高晶圓平坦度微粒不易附著晶圓直徑磊晶（epitaxial）晶圓無塵室，潔淨室（cleanroom）