电子技术基础第15章

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1、15.1只读存储器15.2随机存储器RAM15.3用存储器实现组合逻辑函数本章小结习题第15章半导体存储器15.1.1ROM的结构图15.1.1是ROM的结构框图。15.1只读存储器图15.1.1ROM的结构框图15.1.2ROM的工作原理下面以图15.1.2所示的二极管存储器为例来说明ROM的工作原理。图15.1.2二极管ROM电路1.存储矩阵图15.1.2中的存储矩阵有4条字线和4条位线，共有16个交叉点(注意，不是结点)，每个交叉点都可看做一个存储单元。2.地址译码器在图15.1.2中，是4个二极管“与”门组成了地址译码器，两位地址代码A1、A0能指定4个不同

2、的地址。根据译码电路的逻辑关系(图中的4个二极管“与”门)，地址译码器输出的4个地址的逻辑式分别为地址译码器具有如下特点:(1)N取1译码。4个地址的存储内容列于表15.1.1中。表15.1.1图15.1.2中ROM的存储内容(2)最小项译码。图15.1.2所示的ROM电路可以画成图15.1.3所示的简化电路，有二极管的存储单元用一黑点表示，这样就使ROM地址译码器和存储矩阵之间的逻辑关系变得十分简洁而直观。图15.1.3简化的ROM存储矩阵阵列图15.1.3可编程只读存储器1.PROM图15.1.4是熔丝型PROM存储单元的原理图，它由一只三极管和串在发射极的

3、快速熔断丝组成。　　图15.1.5是一个16×8位PROM的结构原理图。2.可擦除可编程只读存储器(EPROM)由于可擦除可编程ROM(EPROM)中存储的数据可以擦除重写，因而在需要经常修改ROM内容的场合它便成为一种比较理想的器件。图15.1.4熔丝型PROM存储单元图15.1.5熔丝型PROM的结构原理图15.2.1RAM的结构和工作原理RAM的结构框图如图15.2.1所示。1.存储矩阵2.地址译码器3.读/写控制电路4.片选控制15.2随机存储器RAM图15.2.1RAM的结构框图15.2.2静态存储单元1.RAM的结构和工作原理以2114静态RAM为例，

4、其外引线排列如图15.2.2所示。图15.2.22114静态RAM的外引线排列图图15.2.3是2114静态RAM的结构框图。图15.2.32114静态RAM的结构框图2.RAM位数的扩展图15.2.4是由八片RAM1024组成的存储器位数扩展电路，八片RAM的I/O分别作为八位数据输入/输出端，构成1024字×8位的RAM存储器。图15.2.4RAM1024位数扩展表15.3.1是一个ROM的数据表。15.3用存储器实现组合逻辑函数表15.3.1一个ROM数据表【例15.3.1】用ROM产生下列一组逻辑函数，写出ROM中应存入的数据表。解：将已知的逻辑函数化为最小

5、项之和的标准形式，即若将A、B、C、D依次接至ROM的地址输入端A3、A2、A1、A0，并按表15.3.2所示的数据写入ROM中，则在ROM的数据输出端D3、D2、D1、D0就得到了函数Y3、Y2、Y1、Y0，如图15.3.1所示。表15.3.2ROM数据表图15.3.1由ROM构成的全加器半导体存储器是一种能存储大量数据或信息的半导体器件。由于要求存储的数据量往往很大，而器件的引脚数目不可能无限制地增加，因而不可能将每个存储单元电路的输入和输出端都固定地各接到一个引脚上，故采用了按地址存放数据的方法，只有那些被输入地址代码指定的存储单元才能与输入/输出端接

6、通，并进行读/写操作，存储器输入/输出端是公用的。为此，存储器的电路结构中必须包含地址译码器、存储矩阵和输入/输出电路(或读/写控制电路)这三个组成部分。本章小结半导体存储器有许多不同的类型。从读、写的功能上可分成只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM)两大类；根据存储单元电路结构和工作原理的不同，又将ROM分为掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM等几种类型;将RAM分为静态RAM和动态RAM两类。掌握各种类型半导体存储器在电路结构和性能上的不同特点，将为我们合理选用这些器件提供理论依据。当一片存储器芯片的存储量不够用时，可以将多片存储器芯片组合起来，构

7、成一个更大容量的存储器。当每片存储器的字数够用而每个字的位数不够用时，应采用位扩展的连接方式;当每片的字数不够用而每个字的位数够用时，应采用字扩展的连接方式;当每片的字数和位数都不够用时，则需同时采用位扩展和字扩展的连接方式。　　存储器的应用领域极为广阔，凡是需要记录数据或各种信息的场合都离不开它。尤其在电子计算机中，存储器是必不可少的一个重要组成部分。此外，还可以用存储器来设计组合逻辑电路。只要将地址输入作为输入逻辑变量，将数据输出端作为函数输出端，并根据要产生的逻辑函数写入相应的数据，就能得到所需要的组合逻辑电路了。除了一般常见的