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《内皮素1对慢性低氧大鼠肺动脉平滑肌细胞电压门控钾通道的调控机制研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、癸屁博全}W应l灵内皮素一f对慢性低氛大鼠肺动脉平滑肌细胞电压门控钾通道的调控机制研究际中文摘要究背景低氧性肺动脉高压(hypoxicpulmonaryhypertension,HPH)的发病机制目前尚未明了，低氧性肺血管收缩thypoxicpulmonaryarteryvasoconstriction,HPV)和低氧性肺血管重建(pulmonaryvascularremodeling,PVR)是其两大病理生理基础。现认为，低氧引起的肺血管收缩并非完全依赖于血管内皮细胞，至少部分收缩反应是由血管平滑肌细胞介导的。在影响血管张力的各种综合因素中，来自血管平
2、滑肌细胞内在的电生理活动发挥着十分重要的作用。如钾通道开放，促使细胞膜电位负值增加，细胞膜超极化，从而使血管平滑肌兴奋性降低:反之，钾通道关闭，则使血管张力增加。慢性低氧可引起肺动脉平滑肌细胞(pulmonaryarterysmoothmusclecells,PASMCs)去极化，而细胞膜电位的建立主要是钾离子梯度决定的。因此，学者们自然将研究重点转向低氧与钾通道活性之间的关系上。低氧可抑制肺动脉平滑肌细胞钾通道活性，引起PASMCs去极化，达到一定阐值后，电压依赖性钙通道开放，引起细胞内钙离子浓度([Ca'勺+)升高，作为重要的第二信使，Ca2+促发肺动
3、脉平滑肌细胞收缩、增殖和迁移，进一步引起低氧性肺血管收缩和肺血管重塑，最终导致肺动脉高压。已知大鼠PASMCs上存在三种钾通道，分别是电压门控钾通道(Kv).钙激活的钾通道(Kca)和ATP敏感的钾通道(KAT)。目前的研究表明，Kv在控制静息膜电位及氧感受方面起着重要的作用。在低氧性肺动脉高压的发生发展中，低氧介导肺血管舒缩障碍的各种体液因子以及介导肺血管重建的各种细胞增殖因子形成了复杂的网络，这些网络之间的调控机制是怎样的，它们又是如何对钾通道调控的，关于这一方面的研究目前鲜!,产拜友丈学TJz筑牙学雳娜士癸少居二之有报导。内皮素一I(endothel
4、ia-1,ET-1)是由21个氨基酸残基组成的活性多肚，具有强大的缩血管和促进血管平滑肌细胞增殖的作用。在慢性低氧性肺动脉高压时，血管内皮细胞(endothelialcells,ECs)的ET-1的合成和分泌都有较大幅度的增加，尤其是EC，与PASMCs连接处ET-1的浓度最高，而PASMCs是ET-1发挥作用最主要的靶细胞，同时PASMCs在低氧时也高表达ET-1。基于小研究从离子通道水平和基因表达水平观察了ET-1对慢性低氧大鼠PASMCsKv的调控，阐明慢性低氧性肺动脉高压发生发展过程中肺动脉内皮细胞和平滑肌细胞的相互作用，为HPH的发病机制提供基础
5、资料。汁法本研究首先用原位杂交技术，以阐明ET-1及其受体ETA,ET$在常氧和慢性低氧大鼠肺内动脉的不均一表达及分布特征。其次以多种钾通道特异性阻断剂4AP,TEA,CTX,Glib,高选择性ETA受体阻断剂BQ123为研究工具，以急性酶分离法得到的常氧、慢性低氧大鼠PASMCs为研究基础，运用全细胞膜片钳技术，从离子通道水平探讨ET-1对PASMCs电压门控钾电流(IKV)的影响以及这种影响的可能受体机制。另外又运用RTPCR,Westernblot等分子生物学技术，从基因水平探讨了慢性低氧对大鼠肺组织及体外培养的PASMCsKvJE型Kv1,5,Kv
6、2.1,Kv9.3mRNA和蛋白质表达的影响，以及BQ123对这些Kv亚型mRNA和蛋白质表达水平的影响。最后，应用钙荧光探针Ftra-2负载体外培养的PASMCs和MTT比色法，探讨了三种钾通道对常氧、慢性低氧条件下PASMCs[Cap`'];的调节以及对其增殖的影响。结果1①在对照组大鼠，从肺动脉轴的近端到远端，ET-1的表达逐渐增强(N0,01).在近端肺动脉，阳性部位一般位于内膜，而在远端肺动脉，主要位于中膜。ETA沿肺动脉轴的分布和ET-1相反，它主要位于近端肺动脉的中膜，在远端肺动脉几乎不表达(P<0.01).ETH和ET-1一致，近端肺动脉主
7、要表达于内膜，而在远端肺动脉，阳性部位主要位于中膜，但表达强度无差异(P>0.05).②慢性低氧组，ET-1在三型肺动脉的表达都增强，尤以远端肺动脉显著(P<0.01)。ETA在远端肺动脉的表达明显增加，且主要位于中膜(P<0,01)，慢性低氧组小2型肺动脉ETA的A值增加了4倍，而近端肺动脉的表达无明显变化(P>0.05)a低氧组大鼠ETa受体最主要的变化是远端肺动脉内膜也有表达，中膜表达增强(P<0.01)。2①ET-1(1X1护mol-L-'),4AP(Kv抑制剂，5mmol-L"勺均可引起PASMCs去极化，膜电位从一42.1士2.8mV分别到-2
8、3.6士1.5mV(n=20,P<0.05)和一20.3士1.6m
