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《PECVD制备SiO_x_SiN_x薄膜的研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、工艺技术与材料ProcessTechniqueandMaterialsdoi:103969/jissn1003353x201007017PECVD制备SiOxSiNx薄膜的研究1,22,32221,3韩培育,季静佳,朱凡,王振交,钱洪强,李果华(1江南大学理学院,江苏无锡214122;2尚德电力控股有限公司,江苏无锡214028;3江苏省(尚德)光伏技术研究院,江苏无锡214028)摘要:首先使用工业型DirectPECVD设备,采用SiH4和N2O制备了SiOx薄膜。针对Si太阳电池的应用,比较了Si
2、Ox薄膜在不同射频功率、气压、气体流量比和温度下的沉积特性,得出了最佳的沉积条件,这些沉积特性包括沉积速率、折射率和腐蚀速率。在该条件下沉积的SiOx膜均匀性良好、结构致密、沉积速率稳定,其性能满足了现阶段Si太阳电池对减反钝化层的光学和电学性能方面的要求。然后制备了SiOxSiNx叠层减反钝化膜,并比较了SiO2与SiNx单层膜的减反和钝化效果,结果显示SiOxSiNx叠层膜在不增加反射率的同时显著提高了Si片的钝化效果。关键词:晶体硅太阳电池;氧化硅;减反;钝化中图分类号:TN9144文献标识码:A文章编号:
3、1003353X(2010)07068004StudyofSiOxSiNxFilmsDepositedbyPECVD12,32221,3HanPeiyu,JiJingjia,ZhuFan,WangZhenjiao,QianHongqiang,LiGuohua(1SchoolofScience,JiangnanUniversity,Wuxi214122,China;2SuntechPowerHoldingsCo.,Ltd.,Wuxi214028,China;3Jiangsu(Suntech)Institutefor
4、PhotovoltaicTechnology,Wuxi,214028,China)Abstract:SiOxthinfilmsweredepositedbyindustrializedDirectPECVDwithSiH4andN2O.ThebestdepositionconditionofSiOxfilmsforcSisolarcellwasobtainedfromthepropertiesofSiOxdepositedunderdifferentRFpower,pressure,gasratioandtemperatu
5、re,thepropertiesincludeddepositionrate,refractiveindex,andcorrosionrate.Underthisdepositioncondition,theSiOxfilmsperformedhavegooduniformityandcompactstructure,theperformancecanmeettheopticalandelectricalrequirementsoftheantireflectionandpassivationlayerofsiliconso
6、larcells.SiOxSiNxstackfilmsarecomparedwithSiNxsinglefilminreflectivityandpassivationperformance,theresultshowsthatthereflectivityofbothfilmsarealmostthesame,butthestackfilmshasbetterpassivationperformance.Keywords:crystallinesiliconsolarcells;SiOx;antireflective;p
7、assivationEEACC:0520F导致Si片少数载流子寿命下降,并引起衬底掺杂0引言[1]浓度的再分布。采用低温(通常为250~450)SiO2薄膜是一种良好的表面钝化薄膜,在SiPECVD(等离子体增强化学气相沉积法)制备SiO2太阳电池和微电子器件中得到了广泛应用。在Si薄膜,不仅避免了上述高温过程所带来的各种缺太阳电池的表面,SiO2薄膜能够降低表面态密度和点,还减小了热能耗。作为Si太阳电池表面减反表面复合速率,从而提高了Si太阳电池的光电转膜,SiO2的折射率较低,并不是很好的减反膜,但换效率。在Si衬底
8、上制备SiO2薄膜的常规方法主它可以和其他薄膜如SiN、TiO2等组成双层减反膜[23]要有热氧化法和热分解淀积法。对于多晶Si片,进一步降低反射率,提高光电转换效率。并且由于热生长SiO2是一个高温过程,通常生长温度可以在PECVD设备中连续生长SiO2和SiNx双层在9
