rf-pecvd制备微晶硅薄膜的x射线衍射研究

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2、o313 . Jn.07ue20 R.EV制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究 FPCD蔡宏琨 ,张德贤 何 青 赵 飞,,, 陶 科 席 强 孙 云 ,,(.南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所,1天津307;001 2.南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系,天津307)001 摘要:x射线衍射(R)采用XD技术连续扫描法和薄膜衍射法对R—EVVPCD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改 变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XD测 R试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,晶硅薄膜的晶化程度不断增

3、大。微 关键词:x射线衍射(R)氢化非晶硅(—:)XD;aiH薄膜;s氢化微晶硅(—:) ciH薄膜;尺寸 s晶粒中图分类号:N0 T34文献标识码: A文章编号:009520)304-510-8X(070-550 Styo ud fXRD nMircytlieSlcnThnFisPrpae yRF-o corsaln iio i l erdb mPECVD CIogkn,HN ein,EQn ZA e,A e,IQag,UYnA n-u ZAGD—a H ig,HOFiTOK X in SN u Hx (.Istto ht—ltnc hnFl eie n ehiu,oeeo

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