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时间:2019-02-26
《vhf-pecvd法制备非晶硅锗薄膜材料的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、暨南大学硕士学位论文题名(中英对照):VHF-PECVD法制备非晶硅锗薄膜材料的研究AmorphousSilicon-GermaniumThinFilmsPreparedbyVHF-PECVD作者姓名:汪文明指导教师姓名及学位、职称:杨恢东博士教授学科、专业名称:通信与信息系统论文提交日期:2014年6月论文答辩日期:2014年6月答辩委员会主席:论文评阅人:学位授予单位和日期:独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或
2、撰写过的研究成果,也不包含为获得暨南大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名:签字日期:年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解暨南大学有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权暨南大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本授权书)学位论文作者签名:导师签名
3、:签字日期:年月日签字日期:年月日学位论文作者毕业后去向:工作单位:电话:通讯地址:邮编:暨南大学硕士毕业论文VHF-PECVD法制备非晶硅锗薄膜材料的研究摘要与氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜材料具有不可避免的光致衰退效应相比,硅锗薄膜作为窄带隙材料,能够提高太阳光的吸收效率,从而提升薄膜太阳电池的转换效率。在力求降低成本,提高效率以及节能减排的大背景下,硅锗薄膜材料已成为研究的热点。本文采用SiH4+GeH4作为反应气体在高纯H2稀释的情况下,运用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了非晶硅锗薄膜材料样品。通
4、过控制变量法,研究了锗烷浓度、氢稀释率、衬底温度、辉光功率和反应气体压强对薄膜样品的微结构、光学特性和电学特性的影响,并对参数进行优化。经过实验制备薄膜样品及测试分析得出以下结论:在实验室制备的过程中,衬底温度保持在350~400℃,辉光功率为30W,氢稀释率为96%,锗烷浓度固定在5%,腔室内反应气体压强保持在100Pa时,可以获得光电性能较好,结构较理想的非晶硅锗薄膜材料。在此工艺条件下制备的薄膜材料,生长过程中沉积速率能达到0.45nm/s,光、暗电导率能够相差2-3个数量级,即材料具有较理想的光敏性。关键词:VHF-PECVD
5、,非晶硅锗,薄膜,生长速率,光敏性IVHF-PECVD法制备非晶硅锗薄膜材料的研究AmorphousSilicon-GermaniumThinFilmsPreparedbyVHF-PECVDAbstractComparedtotheamorphousSi:Hthinfilmmaterialwithtaebler-Wronskieffects(light-induceddegradationeffect),thesilicongermaniumfilm,asanarrowbandgapmaterial,hastheabilitytoin
6、creasetheabsorptionofsolarandimprovetheconversionefficiencyofthesolarcells.Duetotherequirementoflowcost,highefficiency,energysaving,thesilicongermaniumhasgraduallybeeninahotresearch.ThesilicongermaniumfilmwaspreparedwithSiH4+GeH4andH2byVHF-PECVD.Themicrostructureandthep
7、ropertiesoffilmswereresearchedwiththesubstratetemperature,dischargepowers,reactivepressure,hydrogendilutionratioandgasconcentrations,tryingtofindingtheoptimalconditionsofpreparingthesilicongermaniumfilmandimprovingtheparameters.Aftertheexperimentalsamplepreparationandte
8、stanalysis,theresultsshowedthattheexcellenthydrogenatedmicrocrystallinesilicongermaniumfilmwith0.45nm/s-9-7-9-
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