《GaN制程设备简介》PPT课件

《《GaN制程设备简介》PPT课件》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、GaN制程设备简介目录化学站蚀刻站黄光站蒸镀站研磨抛光镭射切割点测站分类站化学站1.酸碱清洗槽蒸镀前清洗基板清洗蚀刻2.有机清洗槽基板清洗去光阻金属剥离3.SRD(旋干机)DIwater清洗热N2烘干蚀刻站1.PECVD(化学气相沉积系统)沉积SIO2/SINx作Hardmask阻挡层沉积SIO2/SINx作绝缘层,防止IR以及增加光的输出.2.ICP(等离子蚀刻系统)利用等离子体蚀刻出PN结的N电极.蚀刻金属电极.把光罩上的图形真正意义上的转化到晶片上.3.a-step(表面纵深测量仪)测量PN结的高度差4.椭圆仪对PECVD沉积SIO2/SINx的厚度进行监控.量测PECVD沉积SI

2、O2/SINx的折射指数.黄光站1.Spincoater(上光阻机)利用离心旋转涂布方式在晶片上涂布一层感光物质.2.Aligner(曝光机)利用光的能量对感光物质进行结构上的破坏.3.显影槽把光罩上的图形经由光照后的感光物质显现出来.4.电浆去光阻机对光阻表面进行整理残余光阻去除金属表面整理蒸镀站1.蒸镀机利用电子束/热藕电阻对金属热熔后蒸镀.蒸镀透明导电极蒸镀金属焊垫2.Furnace(炉管)对透明导电极进行高温熔合,以增加透明电极的导电性以及欧姆接触.3.穿透率量测仪器量测透明导电极厚度光的穿透率研磨抛光1.研磨机把经前段制程的晶片从300um研磨至100um左右.由于研磨后的晶片

3、会凹凸不平,必须要经过抛光机把研磨后的晶片抛光到87um左右.镭射切割1.镭射机以镭射能量控制沿晶片切割道对其进行半切2.劈裂机以雪崩劈裂方式把经过半切的晶片完全劈开分离点测站1.Prober(点测机)对晶粒的光电特性(VF,WD,IV.IR)进行点测为Sorter提供有效的分类依据分类站1.Sorter(分类机)根据Prober点测数据,按不同的等级对晶粒分类.2.目检机把分类后外观不良的晶粒挑出.