锑化物的MBE生长及光谱分析

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1、长春理工大学CHANGCHUNUNIVERSITYOFSCIENCEANDTECHNOLOGYABSTRACTInGaAsSb／A1GaAsSbmultiplequamtum—well(MQW)lasersaremostattractiveinrecentyear．Inthisthesis，thegrowthofhighqualityInGaAsSb／AlGaAsSbmultiplequamtum—well(MQw)areextensivelystudied．Aachievementhavebeenobtainedinthinfilmepitaxia

2、lgrowth，structureoptimizatioildesign．Theinfluencesofindividualgrowthconditionsonthefilmqualityareanalyzed．SomemeasuringmethodsareusedtoevaluatethegrowthqualityofourgrownstructurebyRI-IEED，PL，X—raydoublecrystaldifiraction．SEMect．propertyanalysisareprovideforit．Theopticalcharacte

3、risticofGaSbisstudiedbyroomternperature300Kandlow—temperature10KPLspectrum．Basedontheabove．theoptimalprocessdataareobtained．HighqualityInGaAsSb，AlGaAsSbandInGaAsSb／AlGaAsSbmultiplequantumwellStructuresbeensuccessfullygrownbysolidsourceMBEon(100)GaSbsubstrates．ThePLFWHMofInGaAsS

4、b／AlGaAsSbmultiplequantumwellis23meV(300K)，it'semittingwaveleogthis1．598pm．Keywords：MBEsemiconductormaterialsantimonidePhotoluminescene(PL)¨长春理工大学硕士(或博士)学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的硕士(或博士)学位论文，《论文题目》是本人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体己经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和

5、集体，均己在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名：荪熏要旦2年；月丝日长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使用规定”，同意长春理工大学保留并向国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。作者签名：缨12年牟月立盈目指荆币签名碜马4年立月旦日／f第一章绪论§1．1弓l言在过去的血十年罩，由于半导体科学

6、技术的进步，使得计算机和微电子技术得以广泛应用．从而同新月异地改变着人类地生活。随着信息社会的来临。人们渴望能够更快更多地传输和处理信息。近年来计算机和通信技术的结合趋势同益明显，而商性链的光计算和大容量高速的光纤通信将在其中起重要作用。这些都向以半导体光电子材料和器件为核心的光电子技术提出更高的要求。同时，上世纪六十年代发展起来的激光技术也向人们展示了广阔的应用fji『景。半导体激光器利用半导体材料作激光器的光激射物质，是半导体光电子的核心器件。由于激光固有的良好相干特性和半导体激光器已于集成等渚多优点，随着半导体工业技术的成熟，半导体激光器的重要

7、性越来越受到广泛的重视。半导体激光器的主要工作物质是IIl-V元素构成的化合物半导体，波长范围从0．325um(ZnS)至tJ34um(PbSnTc)，覆盏了从可见光到中红外波段。目静用于光通信的光波波长主要是在2pm以下的三个波段即0．85“nl、1．3pm、1．55“m。中红外波段特别是2pm．4um的红外光源，可广泛用于大气环境监测、电子对抗、红外监控及空I'oJ对点通讯、激光医疗设备等领域。出于GaSb及其相关化合物材料的禁带宽度能量对应的波长在2ttITi附近，GaSb材料体系被视为在光纤通讯领域中用以替代InP基材料理想材料之一。它能够与

8、很多三元，四元III—V族达到零应力匹配(见图1．1)。GaSb有Gahs一样的Zitic—blende结构