ingaasn在mbe上的外延生长技术及太阳能电池的制备

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1、InGaAsN在MBE上的外延生长技术及太阳能电池的制备查阅了很多文献，大部分都是研究（退火温度、氮成分含量、生长温度等）1.N的浓度。相对MOCVD，MBE的氮浓度相对比较小（这将会影响相关氮化物的缺陷）[1]。2.后快速退火温度（RTA）影响InGaAsN晶体的质量（长量子阱）[2]。1.氮成分的不同与生长温度的控制对InGaAsN的影响[3]。氮成分：生长温度：1.[1]AcomparisonofMBE-andMOCVD-grownInGaAsN.A.J.Ptak,D.J.FriedmanandS

2、.W.Johnston(NationalRenewableEnergyLaboratory,1617ColeBlvd.,Golden,CO80401)[2]MBEGrowthofThickInGaAsNLayerswithAbsorptionEdgeat1.95μmonInPSubstrates.K.Miura,Y.Nagai,Y.Iguchi,H.Okada(1),Y.Kawamura(2,3)[3]OpticalcharacterizationofInGaAsNlayersgrownonInPsub

3、strates.M.Yoshikawaa,K.Miurab,Y.Iguchib,Y.Kawamuraa,(a:FrontierScienceInnovationCenter,OsakaPrefectureUniversity,1-2Gakuen-cho,Naka-ku,Sakai,Osaka599-8570,Japanb:TransmissionDevicesR&DLaboratories,SumitomoElectricIndustries,Ltd.1-1-3,Shimaya,Konohana-ku,

4、Osaka554-0024,Japan)