锑化物外延生长

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1、化合物半导体材料生长与表征2016春季锑化物外延生长锑化物锑化物锑Antimony,SbSbOSbS2323辉锑矿锑化物锑Antimony,Sb早在公元前3100年的古埃及，SbS就被用作化妆用的眼影粉。2360%的锑用于生产阻燃剂，而20%的锑用于制造电池炼金术符号中的合金材料、滑动轴承和焊接剂。SbO用于制造耐火材料。23锑化物锑Antimony,Sb锑化物锑Antimony,SbGaSb/InSb衬底对华禁运锑化物Latticeconstant[angstrom]锑化物锑化物锑化物探测器黑体辐射普朗克公式锑化物探测器大气窗口0

2、.7-3微米的短波红外波段、3-5微米的中波红外波段、8-12微米的长波红外波段锑化物探测器二类超晶格探测器锑化物探测器InAs/GaSb二类超晶格探测器锑化物探测器InAs/GaSb二类超晶格探测器工作温度高—通过调节应变及能带结构，使轻重空穴能级分离，从而降低俄歇复合及暗电流，提高了载流子的寿命，提高了红外探测器的工作温度；暗电流低—InAs/GaSb的不对称型二类能带结构，使得电子和空穴在空间分离，即电子主要被束缚在InAs层里，空穴被限制束缚在GaSb层，从而大大减小电子与空穴之间的相互作用，提高电子的有效质量，使得隧

3、穿的暗电流减少；波长可调—InAs/GaSb二类超晶格红外探测器则可以通过改变超晶格的周期厚度，并且可在3-30μm范围内连续调节其响应截止波长;均匀性好—分子束外延(MBE)技术可以在单原子层的精度控制材料生长，因此响应波长由周期厚度决定这一特性使得InAs/GaSb二类超晶格探测器在实现红外焦平面均匀性方面具有优势；可垂直入射—相比于量子阱红外探测器来说，量子阱红外探测器是子带间跃迁吸收红外光进行探测，这使得探测器的量子效率较低，另外由于量子选择定则和量子阱本身结构的限制，它不能吸收垂直入射的红外光，而在InAs/GaSb二类

4、超晶格红外探测器中，电子和空穴能级形成微带，该探测器属于带间跃迁，具有高的量子效率，能够吸收垂直入射的红外光，不需要制作工艺复杂的光栅；锑化物探测器InAs/GaSb二类超晶格探测器JournalofELECTRONICMATERIALS,Vol.34,No.6,722,2005锑化物探测器InAs/GaSb二类超晶格探测器锑化物探测器InAs/GaSb二类超晶格探测器锑化物探测器InAs/GaSb二类超晶格探测器德国弗朗霍夫应用研究促进协会应用固体物理研究所Fraunhofer-InstitutfürAngewandteFes

5、tkörperphysik,IAFJournalofELECTRONICMATERIALS,Vol.34,No.6,722,2005锑化物探测器InAs/GaSb二类超晶格探测器Dual-colorinfraredimageshowingahandholdingaplasticlidwithvaryingtransparencyinbothbands.德国弗朗霍夫应用研究促进协会应用固体物理研究所Fraunhofer-InstitutfürAngewandteFestkörperphysik,IAF锑化物探测器InAs/GaSb二类

6、超晶格探测器德国弗朗霍夫应用研究促进协会应用固体物理研究所Fraunhofer-InstitutfürAngewandteFestkörperphysik,IAFphys.stat.sol.(a)203,No.14,3545–3549(2006)锑化物探测器InAs/GaSb二类超晶格探测器德国弗朗霍夫应用研究促进协会应用固体物理研究所Fraunhofer-InstitutfürAngewandteFestkörperphysik,IAF锑化物探测器InAs/GaSb二类超晶格探测器Picturesofastudenttakenby

7、1024×1024LWIRInAs/GaSbsuperlatticeFPA.(a)81Kand(b)68Koperatingtemperatures美国西北大学量子器件中心CenterforQuantumDevices,NorthwesternUniversityIEEEJOURNALOFQUANTUMELECTRONICS,VOL.48,NO.2,221FEBRUARY2012锑化物激光器QCL锑化物激光器锑化物激光器锑化物激光器SarnoffCorporation,USA‘2.3–2.7µmRoomTemperatureCW

8、OperationofInGaAsSb–AlGaAsSbBroadWaveguideSCH-QWDiodeLasers’,IEEEPTL,11,794(1999)锑化物激光器WalterSchottkyI