08数字电路复习

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1、一、填空题：1．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（地址译码器、）、（、存储矩阵）、（输出缓冲器）。2．8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。若只有最低位为高电平，则输出电压为（0.039）v；当输入为10001000，则输出电压为（5.31）v。3．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（双积分型）的抗干扰能力强，（逐次逼近型）的转换速度快。4．由555定时器构成的三种电路中，（施密特触发器）和（单稳态触发器）是脉冲的整形电路。5．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图

2、）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。6．将2004个“1”异或起来得到的结果是（）。7．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL）电路和（CMOS）电路。8．施密特触发器有（两）个稳定状态.，多谐振荡器有（0）个稳定状态。9．已知Intel2114是1K*4位的RAM集成电路芯片，它有地址线（10）条，数据线（4）条。10．已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz，则A/D转换器的采样频率应高于（20、）kHz；完成一次转换所用的时间应小于（50μS）11.TTL门电路输出高电平为3.4V

3、，阈值电压为1.4V；12.触发器按动作特点可分为基本型、  同步型、主从型和边沿型；13.组合逻辑电路产生竞争冒险的内因是逻辑器件的传输延时；14.三位二进制减法计数器的初始状态为101，四个CP脉冲后它的状态为  001；15.RAM的扩展可分为字扩展、位扩展扩展两种；16.四位DAC的最大输出电压为5V，当输入数据为0101时，它的输出电压为5/3V；17.如果一输入电压的最大值为1V，采用3位ADC时它的量化阶距为1/7V。18.如图1所示，A=0时，Y=0；A=1，B=0时，Y=1；19.，Y的最简与或式

4、为；20.如图2所示为TTL的TSL门电路，EN=0时，Y为高阻态、，EN=1时，Y=；21.触发器按逻辑功能可分为RSF、JKF、 TF、T’F和DF；22.四位二进制减法计数器的初始状态为0011，四个CP脉冲后它的状态为1111；24.数字系统按组成方式可分为 组合逻辑电路、时序逻辑电路两种；25.四位DAC的最大输出电压为5V，当输入数据为0101时，它的输出电压为5/3V；27.函数F=的最简对偶与或式是F′=__________。28.图示三态门在C=1时，F的输出状态是__________。29、A/

5、D转换过程是通过取样、保持、________、编码四个步骤完成的30、TTL集电极开路门必须外接________才能正常工31、表示逻辑函数的常用方法有四种，分别为____、_____、_____和______.32、若存储器的容量为512K8位，则地址码应取________位。33、施密特触发器有____个稳定状态，多谐振荡器_____稳定状态.34、FPLA由________与逻辑阵列和________或逻辑阵列以及输出缓冲器组成；PAL器件由________的与逻辑阵列和________或逻辑阵列和输

6、出电路组成。35、555定时器构成的施密特触发器，在电源电压为12V，控制电压接10V，则回差电压为______36、在下列图中，各门电路都是74系列TTL电路，Y1=______Y2=_____Y3=_____37、编码器的逻辑功能就是把输入的（）信号编成对应的（）代码。38、衡量DAC和ADC性能优劣的主要标志为（）和（）。39、用户想对不符合要求的只读存储器重新编程，应选（）。40、可以有多个有效输入电平的编码器为_________41、若存储器的容量为1024K8位，则地址码应取_______

7、___位42.555定时器构成的单稳态触发器为负脉冲触发，若负脉冲的宽度大于TW,应在单稳态触发器输入端之前加________.43.表示逻辑函数的四种方法中，____和_____表示法的形式是唯一的。44.在下图中，各门电路都是74系列TTL电路Y1=________,Y2=________,Y3=_____.二、选择题（每题2分，共10分）1、下列具有记忆功能的器件为（）(A)逻辑门（B）触发器（C）译码器（D）比较器2、寄存器具有（）功能(A)暂存(B)长期存储(C)可以暂存也可以长期存储3.若逻辑函数F=X

8、++Z，则=()(A)(B)(C)Y(D)XZ4.二输入与非门的一个输入值为“0”，那么它的输出值为（）(A)0(B)1(C)取决于另一输入值5、只具有计数功能的触发器为（）（A）JK触发器（B）D触发器（C）RS触发器（D）T’触发器6.A/D转换中，采样频率fs的表达式为（）(A)fs≥2fmax(B)fs≤fmax(C)fs≥10fmax(D)fs≤1