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时间:2019-03-22
《半导体行业:硬核科技代表,半导体设备重装上阵》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、行业深度研究内容目录1.投资逻辑:行业自身成长+中国厂商进口替代4投资逻辑之一:行业自身成长41.1.集成电路设备成长动力:先进制程+新晶圆厂投产41.2.LED芯片行业设备成长动力:LED芯片应用扩大+行业生产效率提升6投资逻辑之二:中国厂商进口替代空间广阔8投资逻辑之三:科创板主打硬核科技,半导体设备公司直接受益102.半导体主流设备分析10半导体制造相关设备101.晶圆清洗(waferCleaning)102.氧化(Oxidation)113.薄膜沉积(FilmDeposition)——占晶圆制造20%114.曝光(Exposure)——占晶圆制造20%125.显影(Developm
2、ent)126.刻蚀(Etch)——占晶圆制造环节25%137.离子注入(IonImplantation)138.化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolisher)13工艺检测与封测相关设备149.探针检测(waferProbe)1410.切割机(Dicing)1411.键合(Bonding)1412.测试机143.行业内重点公司简析153.1.中微半导体——硬核科技的代表153.2.北方华创——A股半导体设备公司稀缺标的163.3.长川科技173.4.上海微电子194.推荐标的215.风险提示21图表目录图表1:半导体设备产业链4图表2:半导体设备产值4图表3:近十年半
3、导体先进制程4图表4:光刻机发展路径5图表5:2017-2020新建晶圆厂分布5图表6:半导体设备销售额区域分拆6图表7:LED芯片的产值(亿)7-2-行业深度研究图表8:MOCVD保有量和新增数量7图表9:LED芯片成本7图表10:LED灯泡价格7图表11:MoCVD设备生产效率对比7图表12:MiniLED与MicroLED区别8图表13:MicroLED工艺流程8图表14:世界主流厂商与中国厂商财务数据对比8图表15:晶圆厂市占率9图表16:世界前五大设备厂研发费用(亿美金)9图表17:中国半导体市占率10图表18:中国半导体自给率10图表19:集成电路制造流程与设备占比10图表2
4、0:半导体制程对于清洗设备的需求11图表21:光刻机市场份额12图表22:刻蚀设备市占率201613图表23:原子层刻蚀市场趋势13图表24:集成电路封测主要流程14图表25:2017主营业务分拆16图表26:公司财务数据16图表27:2017年北方华创主营业务情况表17图表28:2017主营业务分拆18图表29:公司财务数据18图表30:2017年长川科技主营业务情况表18图表31:测试机19图表32:分选机19图表33:公司发展历程19图表34:公司主要产品20图表35:盈利预测(股价截止到2019年3月5日)21-3-行业深度研究1.投资逻辑:行业自身成长+中国厂商进口替代半导体设
5、备行业处于半导体行业中上游,属于芯片制造厂和封测厂的供应商。整体行业景气度伴随着半导体周期而波动,虽然周期性比较明显,但如果从拉长时间轴看,半导体设备整体产值是向上的。全球2018市场规模达到620亿美金,同比增长28.57%,预计未来七年复合成长8%-10%图表1:半导体设备产业链图表2:半导体设备产值来源:国金证券研究所来源:SEMI国金证券研究所投资逻辑之一:行业自身成长半导体设备整体需求来源于泛半导体领域,即集成电路、LED芯片等子方向均对半导体设备有不同方面的需求。1.1.集成电路设备成长动力:先进制程+新晶圆厂投产图表3:近十年半导体先进制程集成电路设备的需求1:先进制程的推
6、进。集成电路行业的发展史就是芯片先进制程的发展历史。从1960s开始集成电路商用化以来,制程从10um到最新的7nm,大约基本每5年左右半导体制程提升一代,每一代的性能与功耗都会大幅度提升。制程提升的动力就是下游电子行业的对于算力的需求的不断提高。上海华虹三星200620102014201820082012201665纳米中芯国际联华电子英特尔台积电台积电7纳米14/16纳米28纳米45纳米10纳米22纳米-4-行业深度研究来源:国金证券研究所集成电路新的制程工艺需求更新的半导体设备。但需要注意的是即便制程更新换代,并不是所有步骤的机器都需要更换,只有最关键的步骤才需要更新。以最贵的设
7、备极紫外光刻机(EUV)为例说明先进制程对于半导体设备的拉动:晶片在从空白硅片到填满上亿个晶体管的过程中,需要经过很多个步骤,而其中很多步骤都需要经过光刻工艺。而光刻机就是实施光刻的关键。在14nm工艺及以上制程,193nm沉浸式光刻机可以满足需求。但到了14nm制程以后,传统的光刻机遇到技术瓶颈,需要采用极紫外光刻机。极紫外光刻机(EUV)以波长为13.5纳米的极紫外光作为光源的光刻技术,目标市场是先进制程7nm工艺。
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