基于65nm工艺新型sram存储单元设计

《基于65nm工艺新型sram存储单元设计》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、密级：保密期限：告备水爹硕±学位论文基于巧ｎｍ工艺新型ＳＲＡＭ存储单元设计ＮｏｖｅｌＳＲＡＭＣｅｌｌＤｅｓｉｇｎｉｎ６５ｎｍＣＭＯＳＰｒｏｃｅｓｓ学号Ｐ１３２０１００６姓名徐玉峰学位类别工学硕±喊骑统指导教师陈军宁完成时间２０１６年５月＾答辩委员会－７＞Ｊ＞主席签名－４／Ｗ．作独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知除了文中特别加Ｗ标注和致谢的地方外论文中不包含其，，他人已经发表或撰写过的研究成果也不包含为获得安徽大学或其

2、他教育机构的，学位或证书而使用过的材料一。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。■２２日学位论文作者签名：王＾山争签字日期：立０苗年５月学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解安徽大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权安徽大学可Ｗ将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索可Ｗ采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。，（保密的学位论文在解密后适用本授权书）Ｉ学位论文作者签名：：＾争主山导师签名争Ｗ？

3、■日签字日期：年！Ｔ月签字日期：如￥月ＬＬ日（年摘要摘要静态随机存储器（ｓｔａｔｉｃｒａｎｄｏｍａｃｃｅｓｓｍｅｍｏｒｙ，ＳＲＡＭ）具有可靠性高、存取速度快及能够和逻辑电路相兼容的特点，使得它在高性能处理器和片上系统（ｓｙｓ化ｍｏｎｃｈｉｐ，ＳＯＣ）结构中占据了重要的地位。对ＳＲＡＭ存储单元的研究具有十分重要的意义。本文低功耗、高稳定性和较好的读写能为的ＳＲＡＭ存储单元为设计目标，一ＳＲＡＭ二提出了种新型十管存储单元结构，和传统ＳＲＡＭ单元相比，新型存储单元结构提高了写裕度，读稳定性，同时解决了半选问题。本文主要研究工作如下

4、：首先研究了传统六管、四管、屯管和八管存储单元，分析了它们在读、写和保持状态下工作原理和优缺点。并对他们的性能做了简单对比，从结构上给出了性能差异的原因。其次，随着工艺制程技术提高、电源电压的下降Ｗ及存储容量的增大，ＳＲＡＭ存储单元的软错误率越来越高，ＳＲＡＭ存储阵列在设计中广泛采用了位交错技术来解决软错误问题，但是位交错结构会带来半选问题。本文分析半选问题产生原因Ｗ及新型存储单元结构解决半选问题原理。最后，在６５纳米１．２ＶＣＭＯＳ工艺下对新型存储单元的写能力，稳定性和功耗分别进行仿真，并和传统六管单元进行对比。仿真结果表明新型存储单元结构

5、比传统六管单元写裕度提高０．４倍，读噪声容限提高１．３倍，ＭＵＸ为４时１２８单元动态读和写功耗分别下降了８１．３％和８８．２％。二、、、关键词：十管单元、半选问题写能力低功耗读稳定性Ｉ基于６５ｎｍ工艺新型ＳＲＡＭ存储单元设计ＡｂｓｔｒａｃｔＨｉｇｈｉｎｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ，拉Ｓｔｉｎａｃｃｅｓｓａ打ｄｃｏｍｐａｔｉｂｌｅｗｉｔｈｌｏｇｉｃｃｉｒｃｕｉｔｓ，ｔｈｅＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ（ＳＲＡＭ）ｔａｋｅｓａｇｒｅａｔｉｍｐｏｒｔａｎｔｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｔｈｅ－ｒｆｈｉｈｅ

6、ｏｒｍａｎｃｅｍｉｃｒｏｒｏｃｅｓｓｏｒｓａｎｄＳｅｍＯｎＣｈｉＳＯＣ．Ｓｏｉｔｈａｓａｒｅａｔｇｐｐｙ巧ｐ（）ｇｓｉｇｎｉ巧ｃａｎｃｅｔｏｒｅｓｅａｒｃｈｔｈｅＳＲＡＭｓｔｏｒａｅｃｅｌｌ．ｇＩ打ｔｈｅｐａｐｅｒ，ｌｏｗｐｏｗｅｒｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ，ｈｉｇｈｉｎｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙａｎｄｇｏｏｄａｂｉｌｉｔｙｔｏｒｅａｄａｎｄｗｒｉｔｅａｒｅｏｕｒｄｅｓｉ打ｏａｌｓ．Ｗｅｒｏｏｓｅａｎｅｗｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆ１２ＴＳＲＡＭｃｅｌｌｇｇｐｐ，ｃｏｍａｒｅｄｗｔｔｒａｔｏ

7、ｎａｃｅｔｓｔｒｕｃｔＭｅｎｏｔｏｎｎｃｒｅａｓｅｓＷＭｅｎａｒｓｉｈｄｉｉｌｌｌｈｅｎｅｗｌｉｌｐ，ｙ，ｇｅＲＮＭｂｕｔａｌｓｏｓｏｌｖｅｓｈａｌｆｓｅｌｅｃｔｐｒｏｂｌｅｍ．Ｍａｉｎｒｅｓｅａｒｃｈｗｏｒｋｏｆｔｈｅｐａｐｅｒａｒｅａｓｆｏｌｌｏｗｓ：Ｆｉｒｓｔｌｙ，ｗｅｒｅｓｅａｒｃｈｔｈｅｔｒａｄ化ｉｏｎａｌ６Ｔ，４Ｔ，７Ｔａｎｄ８Ｔｓｔｏｒａｇｅｃｅｌｌｓ，ａｎｄａｎａｌｙｚｅｔｈｅｉｒ