臭氧对大豆抗氧化系统活性及相关抗逆基因表达的影响

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1、分类号：单位代码：１０１４０密级：公开学号：４０３１５３１８４４．八等（￡￥ＬＩＡＯＮＩＮＧＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ硕士学位论文ＴＨＥＳＩＳＦＯＲＭＡＳＴＥＲＤ论文题目：臭氧对大豆抗氧化系统活性及相关抗逆基因论抗逆基因表达的影响ＥｆｆｅｃｔｓｏｆＯｏｎＡｎｔｉｏｘｉｄａｎｔＳｓｔｅｍＡｃｔｉｖｉｔｉｅｓ３ｙ英文题目：ａｎｄＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＧｅｎｅＥｘｒｅｓｓｉｏｎｉｎＳｏｂｅａｎｐｙ论文作者：孔娟娟指导教师：阮亚男副教授专业：植物学完成时间一八年五月：二〇申请辽宁大学硕士学位论文臭氧对大豆

2、抗氧化系统活性及相关抗逆基因表达的影响EffectsofO3onAntioxidantSystemActivitiesandResistanceGeneExpressioninSoybean作者：孔娟娟指导教师：阮亚男副教授专业：植物学答辩日期：2018年5月21日二○一八年五月·中国辽宁辽宁大学学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文是本人在导师的指导卜独立完成的。论文中取得的研究成果除加以标注的内容外，不包含其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果，不包含本人为获得艿他卞位而使用过的成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体均已在文中进行了

3、标注，并表示谢意。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：礼硝娲２帅年兰月刈口学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交学位论文的原件、复印件和电子版，允许学位论文被查阅和借阅。本人授权辽宁人学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印。同时授权屮、缩印或扫描等复制尹段保存和汇编学位论文国学术期刊（光盘版）电子杂志社将本学位论文收录到《中国博士学位论文全文数据库》和《中国优秀硕士学位论文全文数据库》并通过网络

4、向社会公众提供信息服务。学校须按照授权对学位论文进行管理，不得超越授权对学位论文进行任意处理。保密（）年后解密适用本授权书。（保密：，在请在括号‘ｗ”内划）Ｕ授权人签名：指导教师签名：曰期：）邮年ｓ月；＾ｈ日期年ｒ月日Ｙ摘要摘要近地层臭氧（O3）浓度的大幅上升导致世界范围内的植物受到毒害作用，造成包括大豆（Glycinemax(Linn.)Merr.）在内的农作物严重减产。为了研究大豆应对臭氧胁迫的响应机制及臭氧胁迫结束后自身修复机制，本实验以辽豆23号大豆幼苗为材料，利用开顶箱对大豆进行不同浓度（CK、80nmol•mol-1、200n

5、mol•mol-1）臭氧熏蒸及恢复实验。通过测定臭氧熏蒸时期及结束后恢复时期的植株叶片ROS水平、膜质过氧化程度、抗坏血酸（AsA）、谷胱甘肽（GSH）水平、抗氧化酶活性及抗逆基因表达水平的变化来研究臭氧胁迫期和胁迫后恢复期大豆抗氧化系统活性及抗逆基因表达的响应情况。此外通过对受长期及短期不同浓度臭氧熏蒸的大豆形态及农艺性状指标的测定，研究熏蒸时间及浓度对大豆农学性状的影响。为大豆对臭氧抗性的提高以及预防臭氧浓度过高导致大豆减产现象的发生提供理论基础。主要研究结果如下：1.臭氧长期及短期熏蒸对大豆生长及产量的影响200nmol•mol-1臭氧长期熏蒸导致大豆植株叶面积、株

6、高、地上生物量、地下生物量、百粒重指标与对照组相比分别下降26.01%、10.13%、25.96%、63.52%和15.49%。而短期200nmol•mol-1的臭氧处理对大豆农艺性状的影响只在叶面积和地下生物量指标表现为显著低于CK。这表明短时间200nmol•mol-1臭氧胁迫大豆植株对其农艺性状的影响较小。80nmol•mol-1臭氧长期熏蒸导致大豆植株豆荚数和单株粒数相对于对照组显著增加，而短期熏蒸与CK相比差异不显著。80nmol•mol-1臭氧长期处理有助于大豆豆荚数和单株粒数的提高，而短期臭氧处理并没有引起差异变化。2.臭氧胁迫期大豆抗氧化系统活性及抗逆基因

7、表达情况200nmol•mol-1臭氧熏蒸期间大豆叶片活性氧和丙二醛（MDA）水平升高，AsA/DHA及GSH/GSSG比值降低，过氧化氢酶（CAT）、抗坏血酸过氧化物酶（APX）、谷胱甘肽还原酶（GR）、脱氢抗坏血酸还原酶（DHAR）、单脱氢抗坏血酸还原酶（MDHAR）活性保持较低水平；80nmol•mol-1臭氧熏蒸未引起大豆叶片活性氧及MDA水平的持续升高，AsA/DHA及GSH/GSSG比值增加，抗氧化酶活性上升。这表明，200nmol•mol-1导致大豆叶片活性氧爆发，膜脂过氧化程度加深，抗氧化系统受到抑制；80nm