电子电路经典实例new

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1、1.二极管单向导电性二极管截至（较好）一般方法：假设法二极管导通总的原则：某一时刻，电路状态唯一。题2.4.3D1DA23k15V12VΟ(c)假设二极管截至：假设二极管导通：D1D1D2ADA23k3k15V15V12V12VΟΟ(c)(c)题2.4.3D1D导通，V=0V;1AODA则D2也导通，但是VAO=－6V;23k此刻，D必须截至。6V112VΟ(d)假设二极管截至：假设二极管导通：D1D1D2ADA23k3k6V6V12V12VΟΟ(d)(d)题2.4.415V15V+18k+18k25k140k25k140kCC20V20V2kD2k−−AABB5k10k

2、5k10k假设二极管截至：V=15×10／（140＋10）＝1VAV=15×5／（25＋5）－20×2／（18＋2）＝0.5VBV>V,故D导通。AB题2.4.5+−−+稳压二极管RIO++I≤I≤IIRIZZminZZmaxVIDZVORL--I=I－I=(V－V)/R－IZRoIzo思路一：I≤I=(V－V)/R－I≤IZminZIzoZmax在V=V～VI=I～I时，上述不等式必须恒成立。IIMinIMax，LLMinLMax1）若V=VI=I时，I≤I成立;IIMin，LLMaxZminZ则其他情况下，I≤I恒成立。ZminZ2）若V=VI=I时，I≤I成立，II

3、Max，LLMinZZmax则其他情况下，I≤I恒成立。ZZmax稳压二极管RIO++I≤I≤IIRIZZminZZmaxVIDZVORL--I=I－I=(V－V)/R－IZRoIzo思路二：I≤I=(V－V)/R－I≤IZminZIzoZmaxR≤(V－V)/（I＋I）和R≥(V－V)/（I＋I）IzZminoIzZmaxo在V=V～VI=I～I时，上述不等式必须恒成立。IIMinIMax，LLMinLMax所以，R≤(V－V)/（I＋I）；IMinzZminLMaxR≥(V－V)/（I＋I）。IMaxzZmaxLMin稳压二极管RIO++I≤I≤IIRIZZminZZ

4、maxVIDZVORL--I=I－I=(V－V)/R－IZRoIzo思路三：R=(V－V)/（I＋I）IzZo如果R≤R≤R时，I≤I≤I成立。minmaxZminZZmax则R～I，R～I。minzmaxmaxzmin在V=V～VI=I～I时，R≤R≤R必须恒成立。IIMinIMax，LLMinLMaxminmax所以，R＝(V－V)/（I＋I）；minIMaxzZmaxLMinR＝(V－V)/（I＋I）。maxIMinzZminLMax验证例2.5.1(V－V)/（I＋I）≤R≤(V－V)/（I＋I）；IMaxzZmaxLMinIMinzZminLMax代入数据V=1

5、2～13.6,I=0～56mA,I=5～56mA,V=9V。ILZz得82.1≤R≤49.2,即不存在满足要求的电阻。应更换容量更大的二极管然而，实际上P=1W，则I＝112mA，此处I=56mA=0.5I。zzmaxZMzmax这样处理是否合适呢？代入数据I=5～112mA。Z得41.1≤R≤49.2,例题中51Ω是否合适呢？{end}2.1半导体的基本知识2.1.1半导体材料2.1.2半导体的共价键结构2.1.3本征半导体半导体的导电机制2.1.4杂质半导体2.1.1半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以

6、及砷化镓GaAs等。半导体有温敏、光敏和掺杂等导电特性。2.1.2半导体的共价键结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构2.1.3本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。2.1.3本征半导体1T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.4×1010/cm32本征硅的原子浓度:4.96×1022/cm3本征半导体中虽然存在两种载流子，但因本征载流子的浓度很低，所以总的来说导电能力很差。本征半导体的载流子浓度，除与半

7、导体材料本身的性质有关以外，还与温度密切相关，而且随着温度的升高，基本上按指数规律增加。因此，本征载流子的浓度对温度十分敏感。2.1.4杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。1T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.4×1010/cm32某种掺杂半导体中的自由电子浓度:n=5×1016/cm3掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。2.1.4杂质半导体为了尽量保持半导体的原有晶体结构，掺入的杂质主要是微量的价电子数较为接近的三价或五价元素。N型半导体——掺入五价杂质元素（