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时间:2019-03-05
《基础电子电路经典实例讲解(数码之家)》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、1.二极管单向导电性二极管截至(较好)一般方法:假设法二极管导通总的原则:某一时刻,电路状态唯一。题2.4.3D1DA23k15V12VΟ(c)假设二极管截至:假设二极管导通:D1D1D2ADA23k3k15V15V12V12VΟΟ(c)(c)题2.4.3D1D导通,V=0V;1AODA则D2也导通,但是VAO=-6V;23k此刻,D必须截至。6V112VΟ(d)假设二极管截至:假设二极管导通:D1D1D2ADA23k3k6V6V12V12VΟΟ(d)(d)题2.4.415V15V+18k+18k25k140
2、k25k140kCC20V20V2kD2k−−AABB5k10k5k10k假设二极管截至:V=15×10/(140+10)=1VAV=15×5/(25+5)-20×2/(18+2)=0.5VBV>V,故D导通。AB题2.4.5+−−+稳压二极管RIO++I≤I≤IIRIZZminZZmaxVIDZVORL--I=I-I=(V-V)/R-IZRoIzo思路一:I≤I=(V-V)/R-I≤IZminZIzoZmax在V=V~VI=I~I时,上述不等式必须恒成立。IIMinIMax,LLMinLMax1)若V=VI
3、=I时,I≤I成立;IIMin,LLMaxZminZ则其他情况下,I≤I恒成立。ZminZ2)若V=VI=I时,I≤I成立,IIMax,LLMinZZmax则其他情况下,I≤I恒成立。ZZmax稳压二极管RIO++I≤I≤IIRIZZminZZmaxVIDZVORL--I=I-I=(V-V)/R-IZRoIzo思路二:I≤I=(V-V)/R-I≤IZminZIzoZmaxR≤(V-V)/(I+I)和R≥(V-V)/(I+I)IzZminoIzZmaxo在V=V~VI=I~I时,上述不等式必须恒成立。IIMin
4、IMax,LLMinLMax所以,R≤(V-V)/(I+I);IMinzZminLMaxR≥(V-V)/(I+I)。IMaxzZmaxLMin稳压二极管RIO++I≤I≤IIRIZZminZZmaxVIDZVORL--I=I-I=(V-V)/R-IZRoIzo思路三:R=(V-V)/(I+I)IzZo如果R≤R≤R时,I≤I≤I成立。minmaxZminZZmax则R~I,R~I。minzmaxmaxzmin在V=V~VI=I~I时,R≤R≤R必须恒成立。IIMinIMax,LLMinLMaxminmax所以
5、,R=(V-V)/(I+I);minIMaxzZmaxLMinR=(V-V)/(I+I)。maxIMinzZminLMax验证例2.5.1(V-V)/(I+I)≤R≤(V-V)/(I+I);IMaxzZmaxLMinIMinzZminLMax代入数据V=12~13.6,I=0~56mA,I=5~56mA,V=9V。ILZz得82.1≤R≤49.2,即不存在满足要求的电阻。应更换容量更大的二极管然而,实际上P=1W,则I=112mA,此处I=56mA=0.5I。zzmaxZMzmax这样处理是否合适呢?代入数据
6、I=5~112mA。Z得41.1≤R≤49.2,例题中51Ω是否合适呢?{end}2.1半导体的基本知识2.1.1半导体材料2.1.2半导体的共价键结构2.1.3本征半导体半导体的导电机制2.1.4杂质半导体2.1.1半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体有温敏、光敏和掺杂等导电特性。2.1.2半导体的共价键结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构2.1.3本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶
7、体形态。电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。2.1.3本征半导体1T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.4×1010/cm32本征硅的原子浓度:4.96×1022/cm3本征半导体中虽然存在两种载流子,但因本征载流子的浓度很低,所以总的来说导电能力很差。本征半导体的载流子浓度,除与半导体材料本身的性质有关以外,还与温度密切相关,而且随着温度的升高,基本上按指数规律增加。因此,本征载流子的浓度对温度十分敏感。2.
8、1.4杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。1T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.4×1010/cm32某种掺杂半导体中的自由电子浓度:n=5×1016/cm3掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。2.1.4杂质半导体为了尽量保持半导体的原有晶体结构,掺入的杂质主要是微量的价电子数较为接近的三价或五价元素。N型半导体——掺入五价杂质元素(
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