电子电路经典实例(pdf)

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1、更多参见www.book118.com或r.book118.com1.二极管单向导电性二极管截至（较好）一般方法：假设法二极管导通总的原则：某一时刻，电路状态唯一。更多参见www.book118.com或r.book118.com题2.4.3D1DA23k15V12VΟ(c)假设二极管截至：假设二极管导通：D1D1D2ADA23k3k15V15V12V12VΟΟ(c)(c)更多参见www.book118.com或r.book118.com题2.4.3D1D导通，V=0V;1AODA则D2也导通，但是VAO=－6V;23k此刻，D必须截

2、至。6V112VΟ(d)假设二极管截至：假设二极管导通：D1D1D2ADA23k3k6V6V12V12VΟΟ(d)(d)更多参见www.book118.com或r.book118.com题2.4.415V15V+18k+18k25k140k25k140kCC20V20V2kD2k−−AABB5k10k5k10k假设二极管截至：V=15×10／（140＋10）＝1VAV=15×5／（25＋5）－20×2／（18＋2）＝0.5VBV>V,故D导通。AB更多参见www.book118.com或r.book118.com题2.4.5+−−+更

3、多参见www.book118.com或r.book118.com稳压二极管RIO++I≤I≤IIRIZZminZZmaxVIDZVORL--I=I－I=(V－V)/R－IZRoIzo思路一：I≤I=(V－V)/R－I≤IZminZIzoZmax在V=V～VI=I～I时，上述不等式必须恒成立。IIMinIMax，LLMinLMax1）若V=VI=I时，I≤I成立;IIMin，LLMaxZminZ则其他情况下，I≤I恒成立。ZminZ2）若V=VI=I时，I≤I成立，IIMax，LLMinZZmax则其他情况下，I≤I恒成立。ZZmax更

4、多参见www.book118.com或r.book118.com稳压二极管RIO++I≤I≤IIRIZZminZZmaxVIDZVORL--I=I－I=(V－V)/R－IZRoIzo思路二：I≤I=(V－V)/R－I≤IZminZIzoZmaxR≤(V－V)/（I＋I）和R≥(V－V)/（I＋I）IzZminoIzZmaxo在V=V～VI=I～I时，上述不等式必须恒成立。IIMinIMax，LLMinLMax所以，R≤(V－V)/（I＋I）；IMinzZminLMaxR≥(V－V)/（I＋I）。IMaxzZmaxLMin更多参见www

5、.book118.com或r.book118.com稳压二极管RIO++I≤I≤IIRIZZminZZmaxVIDZVORL--I=I－I=(V－V)/R－IZRoIzo思路三：R=(V－V)/（I＋I）IzZo如果R≤R≤R时，I≤I≤I成立。minmaxZminZZmax则R～I，R～I。minzmaxmaxzmin在V=V～VI=I～I时，R≤R≤R必须恒成立。IIMinIMax，LLMinLMaxminmax所以，R＝(V－V)/（I＋I）；minIMaxzZmaxLMinR＝(V－V)/（I＋I）。maxIMinzZminL

6、Max更多参见www.book118.com或r.book118.com验证例2.5.1(V－V)/（I＋I）≤R≤(V－V)/（I＋I）；IMaxzZmaxLMinIMinzZminLMax代入数据V=12～13.6,I=0～56mA,I=5～56mA,V=9V。ILZz得82.1≤R≤49.2,即不存在满足要求的电阻。应更换容量更大的二极管然而，实际上P=1W，则I＝112mA，此处I=56mA=0.5I。zzmaxZMzmax这样处理是否合适呢？代入数据I=5～112mA。Z得41.1≤R≤49.2,例题中51Ω是否合适呢？{e

7、nd}更多参见www.book118.com或r.book118.com2.1半导体的基本知识2.1.1半导体材料2.1.2半导体的共价键结构2.1.3本征半导体半导体的导电机制2.1.4杂质半导体更多参见www.book118.com或r.book118.com2.1.1半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体有温敏、光敏和掺杂等导电特性。更多参见www.book118.com或r.book118.com2.1.2半导体的共价键结构硅和锗的原子结

8、构简化模型及晶体结构更多参见www.book118.com或r.book118.com2.1.3本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。空