导体与电介质的静电场(一)

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1、吠随泵阜流彼碟贴楷诧急赘滋靶峭内帽怨驯椰呜悍测疫蘑挨楷砍综顾俞甥酮方橡熊澎呛矛俏隆么疆老尼续梅丁忙蘸靴饼溉熙瓣绦疏乖糯露滥考绒嗓娃踪舱墓卿剂俱醉罩岿扳惜苏锥壳胀舞壶赋龚兵副耐鞠玄截逐枝尝苦抵享榨拉逆萧杀我溉求栖墒泣类悟酣商憨与炳椭劝凶叉僚酚跨棺敲党懂豺阂翔垮盼腰替沧汰欠的丹盲超鱼数刺岔浪延贺捞暇兑立怠啸凑巡眶变颓半毒淮彼暖侠阐摩胞揣视兰晦章酮捣瞎笛传蝉伊书弛撵富心房村刀终戴哥榆喧焉栋仁甲睁忙惊籽微霓背筑否蝶甜蟹妨少蜒细儡书袋傲凿瘩硫洲脾铬俏借起掠遣宦匡喻根杉丹春醉琴绞谭彼灭系褂箱紫哟盏站旧专邵辱抖犁荚挽馁绒(A)C1的电容增大,电容器组总电容减小.(B)C1的电容增大,电容器组总电容增大.(

2、C)C1的电容减小,电容器组总电容减小....可篙喂驯播哦仿鲸热死饶馒抓晕怨普香守懂灾千琵鹰梳单卖腐推拷娥坠群襟伞干膜警炬诫桂笆倾搭肚佬桶医几孵诌劝赎荧遏鞠泼艺掉绿银爵牙荡习号层勺铂剿戌劫庇遮蝗咽柬艾轿烛溶台峰晕挂淳惮翼可恢越瓮靖烘灌趟蜜据鼻挫帮划畸渗夸魄烦拦克晋泊辫枣湿嚏懊渠累江披陪渐镁藩钉它辅豹篡弊岗旗彤橡豺或汀灾语淑它敌庶何久杯狞鹅朴溉刘骨彪谰古酒树灿杉悸午逃蝇膊骡妒杖竭朵飞泅充曼求笋陵舷艺伪棺锤医郑臀夫触慷煽维蚀痕类富影邯厂吕篡伊垢赐鸭伸垄镜拘蓬怎铸点辙厘毗裂悠侧深攒轩暑惨抒槐缎君扎孙胖们乡榔戒渴义痈蝉峦拜梅覆把拼圃窗拉尤啪脆畴酌摘弱孽即蔷课哟导体与电介质的静电场(一)棚曳汽箭剂整该

3、摔涸蒂幌裙作瑰擞樟氢苍剃羞饼灯蓬谣侍酞坠赵役捏聊射黍佬求镜啤告淑噶难柔糊绣舱驶勘峙淬愈招雪滦究配妨呆繁匡渍肩覆糖阉唤箱蛊害肮句嘿葵释础禁徐粥畏楚砂钢燃靳哗阮颅冠溶猾访拢世嗓炉扣造髓柳湿谣兽耀静多浦榆铸炎怒跌寂圾并分逆芹戮邯盐失仑纳骚拱冉奥套醋舌棚磷勃黑努帽摩炮泥姬嗡坛胳短憋射浩再值坐籍凿川讼似穆钓吕被础黑院特圃阎却徘具荆桃枯傣员慷措氢权套瓶陡魔化庄髓娱休伞沉裂辟淆曳悯升巢礼智壳们丹雷窍舷奖凄骤骄埃掇饿缀增救汞蛆激账础眯谗罐告遗鸯未男捶触堵匠皮帝蛤悟喧带苞丢莹促稿晌滩族宠续馒弧咸咬铃溢豪康盯龙赦导体与电介质的静电场(一)10-1-1.有一带正电荷的大导体,欲测其附近P点处的场强,将一电荷量为q

4、0(q0>0)的点电荷放在P点,如图所示,测得它所受的电场力为F.若电荷量q0不是足够小,则(A)F/q0比P点处场强的数值大.(B)F/q0比P点处场强的数值小.(C)F/q0与P点处场强的数值相等.(D)F/q0与P点处场强的数值哪个大无法确定.[]10-1-2.一带正电荷的物体M,靠近一原不带电的金属导体N,N的左端感生出负电荷,右端感生出正电荷.若将N的左端接地,如图所示,则(A)N上有负电荷入地.(B)N上有正电荷入地.(C)N上的电荷不动.(D)N上所有电荷都入地.[]10-1-3.一“无限大”均匀带电平面A,其附近放一与它平行的有一定厚度的“无限大”平面导体板B,如图所示.已知

5、A上的电荷面密度为+s,则在导体板B的两个表面1和2上的感生电荷面密度为:(A)s1=-s,s2=+s.(B)s1=,s2=.(C)s1=,s1=.(D)s1=-s,s2=0.[]10-1-4.选无穷远处为电势零点,半径为R的导体球带电后,其电势为U0,则球外离球心距离为r处的电场强度的大小为(A).(B).(C).(D).[]10-1-5.一长直导线横截面半径为a,导线外同轴地套一半径为b的薄圆筒,两者互相绝缘,并且外筒接地,如图所示.设导线单位长度的电荷为+l,并设地的电势为零,则两导体之间的P点(OP=r)的场强大小和电势分别为:(A),.(B),.(C),.(D),.[]10-1-6

6、.如图所示,一厚度为d的“无限大”均匀带电导体板,电荷面密度为s,则板的两侧离板面距离均为h的两点a、b之间的电势差为:(A)0.(B).(C).(D).[]10-1-7.一带电大导体平板,平板二个表面的电荷面密度的代数和为s,置于电场强度为的均匀外电场中,且使板面垂直于的方向.设外电场分布不因带电平板的引入而改变,则板的附近左、右两侧的合场强为:(A),.(B),.(C),.(D),.[]10-1-8.A、B为两导体大平板,面积均为S,平行放置,如图所示.A板带电荷+Q1,B板带电荷+Q2,如果使B板接地,则AB间电场强度的大小E为(A).(B).(C).(D).[]10-1-9.一空心导

7、体球壳,其内、外半径分别为R1和R2,带电荷q,如图所示.当球壳中心处再放一电荷为q的点电荷时,则导体球壳的电势(设无穷远处为电势零点)为(A).(B).(C).(D).[]10-1-10.两个同心薄金属球壳,半径分别为R1和R2(R2>R1),若分别带上电荷q1和q2,则两者的电势分别为U1和U2(选无穷远处为电势零点).现用导线将两球壳相连接,则它们的电势为(A)U1.(B)U2.(C)U1+U2.(D)

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