linh络合物及la基合金的储氢性能与改性研究

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1、Li．N．H络合物及La基合金的储氢性能与改性研究摘要本文的主要内容是通过XRD和PCT等材料分析方法，系统地研究了添加剂对Li-N州体系储氢材料的吸放氢性能的影响规律。通过恒电流充放电及循坏伏安等电化学测试技术，研究了Ti含量对LaNi。Co。．7A1。．。合金电极及Ce含量对L她7Mgo．3Ni：．5Coo．。合金电极的综合电化学性能影响。一、通过球磨方法制备Li_N-H络合氢化物，利用XRD和PCT等材料分析方法，系统地研究了添加剂对Li_N-H体系储氢材料的吸放氢性能的影响规律。结果表明：B可有效降低可逆吸放氢温度和吸放氢的平台压，而C的添加使吸放氢平台压有

2、所提高；B、C复合添加能有效提高吸放氢性能的稳定性和动力学性能；适当增加球磨时间，有利提高可逆吸放氢量。二、对在Ar气保护下，电弧熔炼炉熔炼得到的AB。型La。一Ji烈iICo。．7Al。．。(F0，0．1，O．2，O．3)系列合金，通过恒电流充放电及循坏伏安等电化学测试技术，研究了Ti含量对LaNi,Co。．7A1。．。合金电极的综合电化学性能影响。XRD分析结果可知：合金的主相是LaNi。相。电化学性能测试表明：随着Ti含量的增加，系列合金的放电容量逐渐减小；合金的放电容量的衰减率依次减少，虽然合金的循环稳定性得到提高，但是合金电极放电平台有所下降。I三、对在A

3、r气保护下，电弧熔炼炉熔炼和混合烧结得到的AB。型L乩_e瑚go．抖i。．5Co。．。(x---O．1，0．2，0．3，0．4)系列合金，通过恒电流充放电及循坏伏安等电化学测试技术，研究了Ce含量对Lao．,Mg。．3Ni。．,Co。．。合金电极的综合电化学性能影响。电化学性能测试结果表明：所有合金中x=O样品的放电容量最大且为155．45mAh／g；x=O．2样品的放电容量的衰减率最大且为35．54％，衰减率先随Ce含量的增大而增加到最大而后减少。关键词：储氢性能：电化学性能：贮氢合金：‘Li-N-H络合氢化物nRESEARCHOFMODIFICATIONANDH

4、YDRoGENSToRAGEPRoPEI汀YONLI．N．HCoMPLEXANDLA．BASEDALLOYSABSTRACTThemaincontentsofthethesisare：theinfluenceofcatalystsontheLi-N—Hhydrogenstoragematerialswasstudiedusingx-raydiffractionandP-C-Ttest；theeffectsofpartialsubstitutiononalloyswasinvestigatedsystematicallybymeansofelectrochemical

5、test．1．Li-N—Hcomplexhydrideswerepreparedbymechanicalalloying．ThehydrogenstoragepropertiesandthemicrostructuresoftheLi-N-Hhydrogenstoragematerialswithcatalystwerestudied．TheP—C-Ttestresultsshowthatreversiblehydrogenabsorption／desorptiontemperatureandplateaupressuredecreasedeffectivelywi

6、thBadded，plateaupressureincreasedwithCadded，thestabilityofhydrogenabsorption／desorptionandkineticpropertiescanbeimprovedbyaddingBandC．Thereversiblehydrogenabsorption／desorptioncapacityCaBalsobeimprovedwithmilledtime．2．ThemicrostructureandtheelectrochemicalpropertiesofLalo埘i4Coo．TAlo．3(

7、x---0，0．1，0．2，03)alloyswereinvestigatedsystematically．Lal．xTkNi4Coo．TAloz(x=0，O．1，O·2，O．3)alloyswerepreparedinarc-meltingfurnaceatargonatmosphere．XRDtestresultsshowthatLatJijNi4Coo．TAl03(x--0，O．1，0．2，O．3)alloysconsistmainlyofLaNisphase．Theresultsofelectrochemicaltestanalysisshowthatd