ausn共沉积无氰电镀的研究

《ausn共沉积无氰电镀的研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、大连理工大学硕士学位论文摘要LED作为一种节能环保、寿命长和多用途的光源，越来越多的应用在现代生活中。倒装芯片技术(Flip．ChipTechnology)解决了大功率LED散热能力差和出光率低的缺点，但FC技术对封装工艺的要求更加苛刻。本文即是对适用于大功率LED倒装芯片技术中凸点制各工艺进行的研究工作。本文主要对无氰电镀共沉积制备金锡合金凸点的方法进行了研究，内容包括镀液稳定性，电镀参数对镀层的影响以及Au70Sn30共晶凸点的制备方法等，通过研究发现：1．以仅在室温稳定的D．G．Ivey无氰金锡合金镀液为基础，添加E

2、DTA作为金离子的第二络合剂，添加焦磷酸钾作为锡离子络合剂，并将镀液pH从6．0调整到8．0，得到了一种新的无氰金锡合金镀液。新镀液有较好的稳定性，室温下放置数周，高温加热至50℃不分解。2．在T=45℃、镀液中其他成分及其浓度保持不变的条件下，当氯金酸钠浓度依次取4、10、15、209rL时，以10∥L时镀液稳定性最好且合金镀层的生长速度最快。氯金酸钠浓度太低，施加稍大的电流会造成镀层的致密度严重下降。而氯金酸钠浓度过高又会严重影响镀液的稳定性。在本实验条件下适宜的氯金酸钠浓度为10e．／L。3．施镀温度对镀层影响较明显

3、。当施镀温度在35～65℃之问取值时，温度较低时，镀层表面平整性差；温度过高则有可能造成镀层烧焦、粗糙并增加镀层内应力。综合考虑，本文认为45"C作为旌镀温度较合适。4．氯金酸钠浓度为】09／L、T=45℃时，电流密度(，)依次取1、2、3、4、5、6、6．5、7、8、8．5、10mA／cm2时，镀层锡含量呈阶梯状变化：．／=1mA／em2时的镀层锡含量接近16％，为AusSn相镀层；d=2mA／em2时镀层锡含量为30％，为Au5Sn相和AuSn相的混合镀层；也3mA／cm2后镀层锡含量接近50％，为AuSn相镀层。随着

4、电流密度的增加，镀层表面起伏增加，晶粒粗化。镀速在J=7mA／cm2出现一峰值，增加或减小电流均降低镀速。5．用制作Au5Sn相和AuSn相双层膜的方法，可以形成Au70％Sn30％(at．％)共晶成分的镀层，但受到Au，Sn相镀速的影响，总体镀速不快。而用直接沉积30％锡含量镀层的方法，通过改变正向脉冲参数，在平均电流密度6．05mA／cm2，T--45。C的条件下，Au70Sn30沉积速度可达131ma／h。关键词：Au-Sn共晶：无氰电镀；共沉积；无铅钎料Au-Sn共沉积无氰电镀的研究Non-cyanideElect

5、roplatingofAu·SnAlloyAbstractLEDswereappliedinmanyfieldsasalong-life，energyefficient，environmentallyfriendlyandmulti—uselightsourceinmodemlife．Theflip—chiptechnologyimprovedthethermaldissipationandluminescenceefficiencyofHigh—powerLEDs，buthigherrequirementsweresub

6、mittedtothepackagingtechnology．OurpurposewastodevelopanAu—Snbumpingprocessonhigh-powerLEDflip-chiptechnology．Thispaperfocusedontheinfluenceofnon—cyanideplatingsolutionstability，theelectroplatingparametersonthethicknessofcladding，andthepreparationofAu70Sn30eutectic

7、bump．Themainresultsindicatedthat：1．Anewnon—cyanideco-electroplatingsolutionforAu—SnalloyswasdevelopedbasedonD．G．1vey’ssolutionwhichwasstableatroomtemperature．NaS03andEDTAwereusedasgoldencomplexingagent，potassiumpyrophosphateasstannouscomplexingagent，pHvaluewasadju

8、stedfrom6．0to8．0．Thehi曲-temperaturestabilityofthissolutionwasimproved(itwasstillstableafterheatingto50V)．2．WhentheNaAuCl4·2H20concentrationinbathwas4，l0