低压无结铟锌氧化物双电层薄膜晶体管的研究

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1、0469公开分类号：____________密级：______________ＵＤＣ：____________单位代码：______________11646低压无结铟锌氧化物双电层薄膜晶体管的研究硕士学位论文论文题目：低压无结铟锌氧化物双电层薄膜晶体管的研究郭招君学号：_________________________1111071042姓名：_________________________郭招君专业名称：____________凝聚态物理_____________学院：_________________________理学院宁指导教师：_____________________

2、____［单击此处键入学院名称］诸跃进波大_________________________万青教授学论文提交日期：2014年04月28日万方数据0469公开分类号：____________密级：______________ＵＤＣ：____________单位代码：______________11646硕士学位论文论文题目：低压无结铟锌氧化物双电层薄膜晶体管的研究学号：_________________________1111071042姓名：_________________________郭招君凝聚态物理专业名称：_________________________理学院学院：__

3、_______________________［单击此处键入学院名称］诸跃进指导教师：_________________________万青_________________________论文提交日期：2014年4月15日万方数据AThesisSubmittedtoNingboUniversityfortheMaster’sDegreeResearchonlowvoltageJunctionlessIZOThinfilmTransistorsBasedElectrical-Double-LayerCandidate：ZhaojunGuoSupervisors：ProfessorYu

4、ejinZhuFacultyofPhysicsNingboUniversityNingbo315211，ZhejiangP.R.CHINAApr.15,2014万方数据独创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写的研究成果，也不包含为获得宁波大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。若有不实之处，本人愿意承担相关法律责任。签名：___________日期：____________关于

5、论文使用授权的声明本人完全了解宁波大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留送交论文的复印件，允许论文被查阅和借阅；学校可以公布论文的全部或部分内容，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。（保密的论文在解密后应遵循此规定）签名：___________导师签名：___________日期：____________万方数据宁波大学硕士学位论文低压无结铟锌氧化物双电层薄膜晶体管的研究摘要近年来，氧化物薄膜晶体管（Thin-filmtransistors,TFTs）凭借着高电子迁移率、低成本、与柔性衬底兼容性好且能大面积生产、透光性能良好等优势，引起了广大研究者的兴趣。在众多的氧

6、化物半导体中，铟锌氧化物（IZO）不仅能够在室温条件下完成2制备过程，而且电子迁移率也通常较高（>10cm/Vs）。IZO这些优势在平板显示、电子纸、生物传感等领域具有巨大的潜力和应用价值。在IZO氧化物薄膜晶体管相关文献报道中，通常采用致密的SiO2或者SiNx薄膜作为栅介质，由于栅介质介电常数较低，这种栅介质电容较小，因此器件的工作电压较高（＞20V）。与此同时，文献中报道的氧化物薄膜晶体管工艺程序复杂，需要经过多次薄膜沉积，并且需要复杂的光刻掩膜工艺完成器件的研制，这极大地增加了工艺成本。在这一背景下，本文围绕如何降低器件工作电压和工艺成本展开研究。论文主要有以下几方面内容：一

7、是在室温条件下采用PECVD工艺制备SiO2质子导电膜。研究发现:厚度2为500纳米SiO2膜的双电层电容在1Hz时达到了在6.2μF/cm，这比同等厚度的致密-5的SiO2膜的电容高出几个数量级，同时测试表明纳米SiO2膜导电率为5.6×10S/cm。二是采用单步掩膜法研制了具有底栅结构的无结IZO薄膜晶体管。由于超强的双电层静电调控特性，器件的工作电压仅为1.5V。研制的IZO薄膜晶体管具有优异的电学性能：亚阈26值斜率为110V/decade，迁移率