低压铟锌氧双电层晶体管研究

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3、中文摘要首页用纸毕业论文题目：低压铜摔氧双电层晶体管研究微电子学与固体电子学专业１３级硕去生姓名：蒋双鹤指导教师（姓名、职称）：万青教授２氧化物薄膜晶体管（ＯｘｉｄｅＴｈｉｎＲｉｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）具有高迁移率（〉１０ｃｍ／Ｖｓ），，，应用范围广等优点制备工艺都在常温下进行适合大规模生产，成本低，在世Ｉ－－Ｚｎ－界上引起了广泛研究兴趣，ｎＧａＯ（ＩＧＺＯ）。在众多类型的氧化物半导体中２材料作为沟道层材料，具有非常平整的表面结构，非常高的迁移率（＞ｌ〇ｃｍ／Ｖｓ）

4、，－Ｉ衬底兼容性好，无毒无污染而受到许多研究小组的关注，ＧＺＯＴＦＴ。但是由于栅介质在栅电极和有源沟道之间的电容賴合比较弱，导致器件需要很大的栅极电压才能驱动，不节能便携，大大限制了应用的空间，。而且随着柔性电子学的发。，展，柔性的薄膜晶体管器件受到了越来越多的关注最后人们对环境保护的意识越来越高一，使用无毒无污染的天然材料生物材料制作薄膜晶体管器件也是个趋势。本文中，经过我们的探索，成功的在常规的导电玻璃Ｗ及新型的柔性纸张衬底上分别制备了天然鸡蛋清和天然蜂蜡膜为栅介质的低压调控的

5、氧化物薄膜晶体管，：。我们的器件是底栅结构分四部分组成衬底材料分别是玻璃１＾１及柔性纸张材料底栅分别为１５０ｎｍ厚的导电ＩＴＯ和银金属薄膜；栅介质材料是天然生；物材料鸡蛋清ｙＡ及蜂蜡，膜厚度约５＿ｍｉ上层是ＩＺＯ制备的厚度为２００ｎｍ的；最｜有源沟道和源漏电极，，。其中银金属膜底栅是用真空热蒸锻工艺蒸锻的天然生物材料鸡蛋清膜和蜂蜡膜是用旋涂匀胶机旋涂制备，ＩＺＯ有源沟道和源漏电极是一０００＝在沟道长宽比为Ｗ（１ｉｍ）／Ｌ（８０ｍ）１２．５的镇掩膜板遮挡下用步法｜Ｍ磁控瓣

6、射生长。我们使用Ｋｅｉ化ｌｅｙ半导体参数分析仪测试了器件的性能，Ｗ低压纸张衬底蜂蜡膜栅介质薄膜晶体管为例，它是增强型器件，单位面积的栅２介质电容达到了５征／ｃｍ，工作电压低至２Ｖ，器件的阔值电压、载流子迁移率、Ｉ２６电流开关比和亚阔值摇摆分别为化４３Ｖ，１４．６ｃｍ／Ｖｓ，７．６Ｘ１０和％ｍＶ／ｄｅｃ，漏电流仅为２．８ｎＡ。经过３０天的老化测试Ｗ及超过３０００次的弯曲测试后阀值电压０１Ｖ，１５，Ｌ只漂移了．迁移率降低了％展示了良好的老ＡＡ及机械性能。上述结果表明，我们在室

7、温环境下制备的这种低压天然生物材料柔性纸张衬一底薄膜晶体管在下代高性能低功耗，环境友好，柔性可弯曲的微电子器件领域尤其人体传感器方面具有非常大的应用前景。ｉｉ：薄膜晶体管ｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｓｆｉｏｒｓＩｎＧａＺｎ关键词；Ｔｈ；低压；氧化物半导体；〇４；室温；射频磁控漉射Ｉ南京大学研究生毕业论文英文摘要首页用纸ＴＨＥＳＩＳ：－－－０Ｄｏｕｂ－ＬｏｗＶｏｌｔａｅＩｎＺｎｌｅＬａｙｅｒＴｈｉｎＦＵｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ艮ｅｓｅａｒｃｈｇ－ＳＰＥＣＩＡＬＩＺＡＴＩＯＮ

8、：ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓａｎｄＳｏｌｉｄｓｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＰＯＳＴＧＲＡＤＵＡＴＥ：ＳｈｕａｎｇｈｅＪｉａｎｇＭＥＮＴＯＲ：ｉｎＷａｎＰｒｏｆｅｓｓｏｒＱｇ，Ｏｘｉｄｅｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｉｓａｔ化ａｃｔｉｎｇｗｉｄｅｓｐｒｅａｄｒｅｓｅａｒｃｈｉｎｔｅｒｅｓｔｓｉｎｔｈｅｗｏｒｌ